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1.3μm应变多量子阱激光二极管 总被引:1,自引:0,他引:1
已研制成用于Gb/s传输而勿需温控的无偏置1.3μm激光二极管。由于采用了应变多量子阱(MQW)和短腔结构,在30mA的激励电流下,在-20℃和+85℃之间的功率变化只有2dB。在-40至+85℃的温度范围内和1Gbit/s零偏置调制下可看见眼图的眼开很大。 相似文献
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长波长量子阱LD的实用化研究 总被引:1,自引:0,他引:1
长波长量子阱LD的实用化研究李同宁,刘涛,金锦炎,丁国庆,郭建委,胡常炎,吴桐,李明娟,赵俊英,魏泽民(武汉电信器件公司)近十年来,MBE、MOCVD、CBE工艺研究在半导体超薄层材料制备行业中非常活跃。国际上长波长多量子阱激光器件多采用MOCVD工... 相似文献
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地于半导体分别限制单量子阱激光器,为了降低阈值电流,提高外量子效率,分析和讨论了影响阈值电流和外量子效率的各种因素,并做了一定的数值计算,给出了量佳结构参数。 相似文献
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1.3μm高增益偏振无关应变量子阱半导体光放大器 总被引:4,自引:2,他引:4
采用低压金属有机化学气相外延法 (LP MOVPE)生长并制作了 1 3μm脊型波导结构偏振无关半导体光放大器 (SOA) ,有源区为基于四个压应变量子阱和三个张应变量子阱交替生长的混合应变量子阱 (4C3T)结构 ,压应变阱宽为 6nm ,应变量 1 0 % ,张应变阱宽为 11nm ,应变量 - 0 95 % ;器件制作成 7°斜腔结构以有效抑制腔面反射。半导体光放大器腔面蒸镀Ti3 O5/Al2 O3 减反 (AR)膜以进一步降低腔面剩余反射率至 3× 10 -4以下 ;在 2 0 0mA驱动电流下 ,光放大器放大的自发辐射 (ASE)谱的 3dB带宽大于 5 0nm ,光谱波动小于 0 4dB ,半导体光放大器管芯的小信号增益近 30dB ,在 12 80~ 1340nm波长范围内偏振灵敏度小于 0 6dB ,饱和输出功率大于 10dBm ,噪声指数 (NF)为 7 5dB。 相似文献
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通过优化有源层和采用具有高反射涂层的短腔体,对于1.3μm InGaAsP/InP应变MQW激光器在室温下(25℃)获得了0.56mA这一创记录的低阈值。 相似文献
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本文根据量子理论的薛定谔方程,推导出在有限深势阱条件下载流子满足的能量本征值方程,并给出理论计算结果,为设计用于泵浦固体激光器的激光二极管提供了理论依据。 相似文献
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为了研制满足光纤通讯需求的高性能半导体激光器,对压应变InGaAsSb/GaAsSb量子阱激光器有源区进行了研究。根据应变量子阱能带理论、固体模型理论和克龙尼克-潘纳模型,确定了激射波长与量子阱材料组分及阱宽的关系。基于Lastip软件建立了条宽为50 μm、腔长为800 μm的半导体激光器仿真模型,模拟器件的输出特性,讨论了量子阱个数对器件光电特性的影响。结果表明:当量子阱组分为In0.44Ga0.56As0.92Sb0.08/GaAs0.92Sb0.08、阱宽为9 nm、量子阱个数为2时,器件的性能达到最佳,阈值电流为48 mA,斜率效率为0.76 W/A。 相似文献
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根据光增益与载流子密度的对数关系,在受激发射速率中分别引入了增益饱和项和载流子复合项,通过适应于多量子阱激光器的速率方程,从理论上证明了短腔结构存在与阈值电流最小值对应的最佳阱数。给出了多量子阱激光器的瞬态呼应特性的直接仿真结果及相图,分析了注入电流、阱数和腔长对其激射阈值、开关延误时间、弛豫振荡频率和光输出等能量的影响。 相似文献
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用LPE研制的室温连续工作的1.48μm单量子阱激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
利用液相外延(LPE)技术研制出室温连续工作的InGaAsP/InP分别限制单量子阶(SCH-SQW)双沟平面掩埋(DC-PBH)激光器。室温下,腔面未镀膜的激光器最低阈值电流为23mA(激光器腔长为200μm,CW,13℃)。激射波长为1.48μm,最高输出功率达18.8mW(L=200μm.CW,18℃)。脉冲输出峰值功率大于50mW(脉冲宽度1μs、频率1kHz),未见功率饱和。量子阱的阱宽为20nm[1]. 相似文献
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本文主要从量子理论中的电子波函数所满足的薛定锷方程出发,讨论了量子阱理论。进而介绍多量手阱激光器(MQWL)的重要特征之一——阈值电流密度随量子阱的数目变化的情况。 相似文献
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MOCVD生长1.06μm InGaAs/GaAs量子阱LDs 总被引:1,自引:1,他引:0
用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs量子阱,采用中断生长、应变缓冲层(SBL)、改变生长速度和调节Ⅴ/Ⅲ等方法改善InGaAs/GaAs量子阱的光致发光(PL)质量。PL结果表明,10s生长中断结合适当的SBL生长的量子阱PL谱较好。该量子阱应用于1.06μm激光器的制备,未镀膜的宽条激光器(100μm×1000μm)有低阈值电流密度(110A/cm2)和高的斜率效率(0.256W/A,per.facet)。 相似文献
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单量子阱激光器的Langivin噪声分析 总被引:1,自引:1,他引:0
本文通过在速率方程中加入Langivin噪声项和相位方程,以定量分析量子阱激光器(QW-LD)噪声特性,这样,能系统地表征量子噪声(尤其是影响线宽等参数的相位噪声)特性,我们对单量子阱激光器的噪声特性进行了模拟分析,并得到了有用的结果,如相位噪声谱和激射特性,我们发现在感兴趣的频域内有较大的噪声,并且噪声强度依赖于偏置电流的大小 。 相似文献
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本文介绍了半导体激光器的发展过程和应用领域,以及基本工作原理.对蓝紫色半导体激光器的基本结构和远场特性进行了描叙,给出了远场模场表达式,计算出基于亥姆霍兹方程的严格远场解.根据远场模场表达式和严格远场解,应用CrossLight公司的LASTIP仿真软件,对蓝紫色LD(InGaN)的远场特性进行仿真,得到了蓝紫色LD的... 相似文献
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讨论了影响激光器高温特性的主要因素,提出了在1.3μm高温无致冷AlGaInAs应变量子阱激光器中采用倒台脊波导(RM-RWG)结构可以改善激光器高温无致冷的工作特性,研制出了RM-RWG结构的1.3μm高温无致冷AlGaInAs应变量子阱激光器,其阈值是流为6mA,特征温度达到95K(25℃-85℃),这些结果为目前文献报道的最好水平。 相似文献