PDP驱动芯片中高压LDMOS建模

建立了PDP驱动芯片用高压LDMOS的SPICE子电路模型,该模型集成了LDMoS固有特性:准饱和特性、电压控漂移区电阻、自热效应、密勒电容等.与其他物理模型和子电路模型比较,该模型不但能提供准确的模拟结果,而且建模简单快捷,另外该模型可较容易地嵌入SPICE模拟软件中.模型的实际应用结果显示:模拟与实测结果误差在5%以内.     

AC型PDP驱动芯片的研究

主要介绍应用于PDP驱动电路中的高耐压驱动芯片(地址和数据驱动芯片)，简要说明PD驱动电路的主要原理及驱动芯片的应用，重点介绍高耐压部分的工作原理及结构。     

PDP显示驱动芯片的高速高低压接口电路的设计

从分析影响PDP显示驱动芯片中高低压接口电路的工作速度的几个方面出发,提出一个改进了的高速高低压接口电路,从电路结构上改善了驱动芯片的频率特性,进而为等离子显示的高分辨率大屏幕化提供了有利条件。通过Hspice模拟验证了改进结构的速度性能比传统结构提高了5％～10％。     

PDP扫描驱动芯片中高压VDMOS器件的设计

PDP扫描驱动芯片完成高低压转换和功率输出,要求器件耐压170v.本文基于BCD工艺,提出了高压器件VDMOS的结构,采用了不附加工艺的场板和场限环两种终端结构提高器件耐压,并利用器件模拟软件MEDICI进行了仿真验证,得到了优化的器件结构参数.     

半桥驱动芯片中LDMOS的设计仿真

借助工艺和器件仿真软件,对一种用于功率MOSFET和IGBT栅极驱动的半桥驱动芯片中的横向高压功率器件LDMOS进行了设计与仿真。该器件采用了双RESURF技术及双层浮空场板结构,通过对双层浮空场板层之间的距离以及双RESURF结构的ptop层的长度和浓度的优化设计,利用传统的Bi-CMOS工艺获得击穿电压689V和比导通电阻273×10–3.cm2的LDMOS。     

PDP驱动芯片用能量恢复电路的设计

主要提出了一种基于PDP驱动芯片的能量恢复电路,该电路利用将各个输出端通过控制高压开关管连接在一起进行电荷共享的原理,经过Hspice仿真验证具有完整的功能,并在CSMC0.5μm CMOS工艺下得到实现.仿真结果表明这种能量恢复电路不仅可以显著降低驱动芯片的能量损耗,并且具有结构简单的特点,目前被应用于一款等离子电视的列驱动芯片中,降低芯片功耗,提高芯片工作的稳定性.     

浙大研制成功PDP显示扫描驱动IC芯片

日前，浙江大学信息学院微电子与光电子研究所成功研制出数字电视等离子平板显示器（Plasma Display Panel，简称PDP）扫描驱动电路的IC芯片，打破了我国在该类芯片一直依赖进口的局面。随着该芯片的成功研制，一条拥有完全自主知识产权的2．5um 170V高压BCD工艺生产线也在项目合作单位杭州士兰集成电路有限公司问世。[第一段]     

PDP列驱动芯片能量恢复效率模型

为了分析PDP列驱动芯片的能量恢复效率,提出了2种分析模型。DPLD(double-channel p-type lateral extended drain MOS)管是列驱动芯片中能量恢复电路的核心元器件。CRC(电容-电阻-电容)等效电路模型适用于漏电流能力较弱的DPLD管;VCCS(压控电流源)模型适用于漏电流能力较强的DPLD管;测试结果显示CRC和VCCS模型都具备较高的精度,模型误差分别是2.26%和4.04%。CRC模型揭示了影响列驱动芯片能量恢复效率的因素有3个,分别是:充电时间、沟道电阻、负载电容。2种模型分析的对比结果表明,沟道电阻对列驱动芯片的能量恢复效率影响很大,使用较小沟道电阻的DPLD管可以显著提高PDP列驱动芯片的能量恢复效率。CRC和VCCS模型可用于精确预测列驱动芯片的能量恢复效率。     

PDP驱动芯片选型分析

针对实际应用中选择PDP驱动电路必须考虑的几个问题，比较了目前市场上比较流行的驱动芯片的性能特点，并介绍了驱动芯片的摹本结构及发展趋势。     

基于PDP驱动技术的行扫描芯片浪涌电压抑制方法

分析了等离子体显示器中行扫描芯片的浪涌电压产生机理。结合浪涌电压产生机理从PDP驱动技术的角度提出抑制浪涌电压的理论方案,并以实验室PDP模组为实验载体,通过修改控制板驱动代码来实现该方案。通过实测新方案的波形,并观察PDP屏显示的静态图像与动态图像,验证了该方案可以有效抑制行扫描芯片的浪涌电压。该方案使得芯片的制造成本降低,从而缩减了整个PDP系统的成本。     

交流彩色PDP的驱动集成电路

主要介绍ＡＣ彩色ＰＤＰ驱动技术的发展，为增大面积和提高亮度而采用存储式脉冲驱动，为适应需要高压驱动而设计的介质分离和结分离耐高压工艺，选择两各寻址的扫描集成块。并着重介绍富士通公司开发的全色交流区动系统－－寻址周期分离系统（ＡＤＳ－Ｓｕｂｆｉｅｌｄ）子场驱动法。     

基于PDP扫描驱动芯片的LQFP封装热特性研究

研究了LQFP封装的96路等离子平板显示(PDP)扫描驱动芯片的封装热特性,利用有限元法对所建立的封装模型进行数值求解,并与实测结果进行比较,验证了模型求解的可靠性与准确性。研究表明,在集成电路封装设计中,增大散热基板面积、优化引线框架、提高封装热导率,对于散热性能的提高非常有效,而在外围设计中,增大印制电路板(PCB)有效覆铜面积、增加PCB有效过孔数、在芯片顶部添加散热片、加大空气流速都可使芯片散热能力显著增强。     

用于PDP扫描驱动的双高压p-LDMOS及其兼容工艺

报道了基于硅外延BCD工艺的高栅源、高漏源电压的功率pMOS的设计.采用1μm厚的场氧化层作为栅氧介质及RESURF原理优化的漏极漂移区,器件面积为80μm×80μm,工艺上简化为18次光刻,兼容标准CMOS、双极管和高压VDMOS.测试管耐压超过200V,集成于64路170V PDP扫描驱动芯片,通过了上机测试.     

用于PDP扫描驱动的双高压p-LDMOS及其兼容工艺

报道了基于硅外延BCD工艺的高栅源、高漏源电压的功率pMOS的设计.采用1μm厚的场氧化层作为栅氧介质及RESURF原理优化的漏极漂移区,器件面积为80μm×80μm,工艺上简化为18次光刻,兼容标准CMOS、双极管和高压VDMOS. 测试管耐压超过200V,集成于64路170V PDP扫描驱动芯片,通过了上机测试.     

一种PDP扫描驱动芯片的HV-PMOS的研究和实现

对一种适用于106.68cm PDP扫描驱动IC的HV-PMOS器件进行了分析研究。通过使用TCAD软件对HV-PMOS进行了综合仿真,得到了器件性能最优时的结构参数及工艺参数。HV-PMOS器件及整体扫描驱动IC在杭州士兰集成电路公司完成流片。PCM(Process control module)片上的HV-PMOS击穿电压达到了185V,阈值为6.5V。整体扫描驱动芯片的击穿电压达到了180V,满足了设计要求。     

一种适用于高压集成电路的新型LDMOS器件

高压集成电路是将高压器件和低压控制电路集成在同一芯片上的集成电路，高压集成电路的研究与发展，主要是高压器件、高压集成电路工艺以及设计技术的发展。文章提出了一种适用于高压集成电路的新型LDMOS器件，并对该器件结构进行了耐压分析，给出了该器件的击穿特性；等势线和电流线等模拟曲线。对不同参数模拟的曲线进行了分析和比较。结果表明，该结构具有比较高的击穿电压，并且工艺简单，受工艺参数波动的影响较小，不失为一种提高集成电路耐压的新途径。