高频控制开关用沟槽MOSFET的研究

高频控制开关用功率器件要同时具备极低的导通电阻和栅漏电荷值,从而降低导通损耗和开关损耗.基于器件与工艺模拟软件TsupremⅣ和Medici,研究了工艺参数和设计参数对沟槽MOSFET器件击穿电压、比导通电阻和栅漏电荷的影响,优化设计了耐压30 V的开关用沟槽MOSFET器件.对栅极充电曲线中平台段变倾斜的现象,运用沟道长度调制效应给出了解释.     

降压式DC/DC转换器的MOSFET选择

同步整流降压式DC/DC转换器都采用控制器和外接功率MOSFET的结构。控制器生产商会在数据资料中给出参数齐全的应用电路,但用户的使用条件经常与典型应用电路不同,要根据实际情况改变功率MOSFET的参数。对功率MOSFET的要求同步整流降压式DC/DC转换器的输入及输出部分电路如图1所示,它是由带驱动MOSFET的控制器及外接开关管(Q1)及同步整流管(Q2)等组成。目前,Q1和Q2都采用N沟道功率MOSFET,因为它们能满足DC/DC转换器在输入电压、开关频率、输出电流及减少损耗上的要求。开关管与同步整流管的工作条件不同,其损耗也不一样。…     

在ZVS拓扑中选择最优的死区时间

中压和高压功率MOSFET在各种隔离式转换器拓扑中被广泛使用,例如,半砖或全桥整流,以及单端升压或同步降压稳压器。桥式整流可以是硬开关或软开关,但目前的大多数转换器使用零电压开关（ZVS）,避免导通时的开关损耗。功率部分是一样的,只是需要对器件开启和关闭的次序进行调整。在宽输入电压DC／DC砖式转换器里,同步降压转换器一般用于前端预稳压,在ZVS模式中还用来开关低边MOSFET。     

IR完成DC/DC转换器用MOSFET发展计划的第二阶段

IR针对DC/DC转换器发展功率半导体器件和集成电路,已推出了五十多种新的功率MOSFET器件,这些器件可以提高多种电路的低电压隔离式DC/DC转换器及降压DC/DC转换器的效率。用于功率转换的新型专用MOSFET和集成电路可以用于输出电压为1.6V、输出电流高达40A以上的多相降压转换器。新的IRF7901D1包含两个MOSFET,用于输出1V的高效率降压转换器,利用它可以把1V的     

建筑光伏系统中升压DC/DC变换器研究

DC/DC变换器是建筑光伏系统的重要组成部分,主要功能包括升压、最大功率跟踪和电力载波等,文中重点研究DC/DC变换器的升压能力。利用开关电容-电感技术对准Z源升压型DC/DC变换器进行改进,得到一种改进型准Z源DC/DC变换器,其升压能力增强,电容电压应力降低。该变换器在占空比小的情况下可实现高增益升压;当电压增益相同时,改进型Z源DC/DC变换器比传统Z源变换器开关管导通时间短,更有利于开关管的散热,延长开关器件的使用寿命。文中先分析改进型准Z源升压型DC/DC变换器拓扑的推演过程,详细分析其工作原理,分析变换器增益特性和电容电压应力特性,在理论研究的基础上,仿真和实验结果验证了新型变换器的优点。     

英飞凌推出采用创新芯片嵌入式封装技术的新一代DrMOS器件DrBlade

近日在2013应用电力电子会议暨展览会(APEC)中宣布推出DrBlade:全球第一款采用创新芯片嵌入式封装技术的集成式器件,它集成了DC/DC驱动器及MOSFET VR功率级。DrBlade包含最新一代低压DC/DC驱动器技术及OptiMOS MOSFET器件。该MOSFET技术拥有最低的单位面积导通阻抗及针对应用优化的品质因数,能达到最高的DC/DC调压系统效率,适用     

中国IGBT功率半导体器件产业观察

正IGBT是功率器件技术演变的最新产品,是未来功率器件的主流发展方向。IGBT器件是一种MOSFET与双极晶体管复合器件。既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点,又有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。基于技术和功能上的优势,IGBT产品可以实现对以往功率     

5V／10W DC—DC变换器

用3端DC－DCPWM开关TOP414G构成的SV10W隔离的DC－DC变换器示于图1。此变换器具有宽输入范围（36～72VDC输入）,输出5V2．0A。图1中的TOP414G是PowerIntegrations公司一款3端DC－DCPWM开关,它具有DC－DC变换器所需的所有功能。它含有：带控制导通栅极驱动器的高压N沟道功率MOSFET,带集成120kHz振荡器的电压模式PWM控制器,高电压启动偏置电路,带隙分支基准,环路补偿的偏置并联调节器／误差放大器和失效保护电路（见图2）。在图1的变换器电路中最大元件高度是12mm。EFD－20变压器铁芯的选择适合这个最大元件高度…     

采用PowerPAK12128封装的新型功率MOSFET

Vishay公司推出17款新型功率MOSFET,这些器件采用小型Power PAK1218封装,具有低至3.7mΩ的超低导通电阻值。主要面向用于数据通信系统的负载点(POL)转换器及高密度DC DC变换器中的同步整流、同步降压及中间开关应用。这些TrenchFET第二代器件的尺寸仅为3.3mm×3.3mm×1mm,仅是S     

一种900V超结VDMOSFET器件的设计与仿真

功率MOSFET在现代电子工业中已经得到了广泛的运用,然而在高压功率MOSFET器件中,如何平衡功率MOSFET的击穿电压与导通电阻的冲突一直是研究热点。结合超结理论和传统功率VDMOSFET的生产工艺设计了一款高压超结VDMOSFET器件,运用半导体器件仿真软件对器件结构进行优化,得到P柱区和N柱区掺杂浓度和厚度的最优值和工艺参数。仿真结果表明,设计的超结VDMOSFET器件击穿电压和导通电阻分别为946 V和0.83Ω,很好地平衡了功率MOSFET击穿电压与导通电阻的冲突。     

TOP-10 DC/DC

自2005年开始,《今日电子》杂志开始评选TOP-10DC／DC奖。每年,评审组专家从当年的候选产品中,根据“在技术或应用方面取得显著进步,具有开创性的设计,性价比显著提高”三个方面对产品分别打分,最后选出获奖产品。     

2009 TOP-10 DC/DC 获奖产品

专家评审组成员方佩敏教授北京航空航天大学陈永真教授辽宁工业大学邢岩教授南京航空航天大学降压型DC/DC转换器ADP2108这款600mA     

Current-source parallel-resonant DC/DC converter

This paper introduces, analyzes, and experimentally verifies a novel DC/DC converter called the current-source parallel-resonant converter. The converter consists of a large choke inductor, two switches, and a parallel-resonant circuit. Each switch consists of a MOSFET in series with a diode. It has a nonpulsating input current with a very low AC ripple. The MOSFETs are driven with respect to ground and, therefore, have a simple gate-drive circuit. The analysis of the converter is carried out in the frequency domain using Fourier series techniques. Analytical expressions are derived for performance parameters of the converter. A prototype of the converter circuit was designed, built, and tested. The theoretical results were in good agreement with the experimental results     

如何使DC/DC转换器无需散热器

本文重点分析标准的半砖2.3”×2.4”DC/DC转换器。一般来说,同类型最好的肖特基二极管转换器能够提供150瓦或30安的输出。但由于使用温度环境变坏,转换器实际能够输出的功率通常要低于这个数字。     

DC

本月市场动态： 近日三星再次宣布发布多款升级新品，这是三星在2007年下半年第二次新品发布，其中包括了蓝调NV系列新品NV20、NV15和NV8。它们分别具有1220万、1010万和810万有效像素，配备了高品质施耐德镜头。经过进一步优化升级，NV新品不仅具备了更加华丽的外观，还配备了自动对比度平衡功能（ACB）和超级电子防抖功能（Faster ASR），使用户在尖端科技的武装下，     

升压型DC—DC转换器MAC1676及其在后备电源的中的应用

升压型DC－DC转换器MAX1676是MAXIM公司生产的新型直流转换器。高转换效率、低静态电流、超小型封装、输出电压可调的特点使其成仪器仪表后备电源较为理想的选择器件。文中介绍MAX1676的基本结构、典型应用,并结合实际介绍了该器件在扩展后备电源中的特殊应用。     

DC

一般来说数码相机镜头等效焦距在200mm以上的机型，就可以称之为长焦相机。长焦数码相机因其超长的焦距、丰富的功能受到了消费者的喜爱，它们也一直是消费级数码相机市场的热点所在。但是由于过大的体积，让携带长焦相机成为一件很费力的事情。现在，随着机身设计的进一步轻便和防抖技术的进一步成熟，长焦相机正在逐渐变得更加小巧、实用。原来拥有超长焦距的机型现在也可以像卡片机一样随身携带，近期上市的索尼DSC—H3就是其中不错的一款。     

DC

本月市场动态： 今年初期随着佳能5D以及尼康D200价格的多次杀低，预示着今年数码单反市场必写是不平静的。     

DC

近期．单反市场最受期待的产品非尼康D40x莫属了，D40x的上市弥补了尼康在低价位千万像素级别无产品的空白，形成了其完整的产品线，D200、D80，D40x和D40．随着D70s的停产，D40x充当这一价位的角色，直接挑战佳能400D及索尼a100．目前千万像素已经普及到了低档单反之中，不难看出尼康D40x是2007年单反市场中的一颗重磅炸弹，相信随着D40x的上市单反的价格战又会再次拉开。