TFT—LCD供电电路

1 MAX1748的引脚与功能 有源矩阵薄膜晶体管(TFT)液晶显示器(LCD)具有轻薄、省电、抗干扰能力强、有效显示面积大等特点,已被广泛应用于移动电话、PDA、数码相机等手持终端产品中.TFT-LCD的栅极驱动通常需要正、负电源供电,因此在采用TFT-LCD的便携式产品中一般需要三组供电电源,MAX1748就是针对这一应用而研制开发的.它内部包括:主电源DC-DC转换器和两个电荷泵.主电源输入电压范围为2.7～5.5V,输出电压可达13V,稳定度在±1%以内.双电荷泵电路用于提供独立的正、负电压输出,并为TFT栅极驱动器供电,通过外接二极管和电容器,输出电压可达+40V/-40V.MAX1748采用20脚TSSOP高度仅为1.1mm封装,引脚排列如图1所示.表1为各引脚的功能说明.     

125V、2A、半桥MOSFET驱动器

Maxim Integrated Products推出高压、高速、半桥MOSFET驱动器：MAX5062／MAX5063，能够驱动高边和低边n沟道MOSFET。MAX5062A和MAX5063A分别与工业标准器件HIP2100和HIP2101引脚兼容。与其它同类竞争产品最大105V的工作电压相比，这两款器件的高边引脚(HS引脚)可工作在高达125V电压下。利用它们来做电源设计，输入电压的最大值为125V，从而为要求必须能承受100V或更高输入瞬态电压的电信设备电源提供了充分的安全裕量。     

HOT PRODUCTS

世界上功耗最低的12位5V的数模转换器8管脚SOIC及DIP封装型(MAX538/MAX539)具有内部基准电压源(MAX530/MAX531)MAX530、MAX531、MAX538和MAX539都是12位的电压输出数模转换器.它们都非常适用于便携式和以电池供电的电路应用中.其电源电压均为5V,汲取的电源电流低至300μA(最大值).MAX530(并行输入)和MAX531(串行输入)均具有内部基准电压源.它们的输出电压选择范围可分别为0V至2.048V、0V至4.096V或±2.048V,每一种均可作四象限的乘法,而不必外接电阻或运算放大器.对布线空间要求苛刻的应用,则可使用外接基准电压源,并选用MAX531的8管脚SO/DIP封装的版本:MAX538(0V至2.048V输出范围)和MAX539(0V至4.096V输出范围).     

功率P-FET控制器LTC4414

LTC4414是一种功率P—EFT控制器,主要用于控制电源的通、断及自动切换,也可用作高端功率开关。该器件主要特点：工作电压范围宽,为3．5～36V;电路简单,外围元器电流小,典型值为30μA;流P沟道功率MOSFET;有保护及外接P—MOSFET的件少;静态能驱动大电电池反极性栅极箝位保护;可采用微控制器进行控制或采用手动控制;节省空间的8引脚MSOP封装;工作温度范围-40℃～＋125℃。     

凌特6A MOSFET驱动器驱动标准与逻辑电平N沟道MOSFET,可防止振铃

凌特公司(Linear Technology)推出一个6A MOSFET栅极驱动器LTC4441,使DC/DC控制器能够驱动更高功率的 N 沟道 MOSFET 或多个并联MOSFET,从而提高了DC/DC 控制器的输出功率和效率。LTC4441的栅极驱动电压在5V~8V范围内可调,使设计师能够选择标准门限或逻辑电平 MOSFET,而不仅仅局限于用一种类型的 MOSFET或使用两种不同的MOSFET驱动器。LTC4441还提供具有可调前沿消隐的漏极开路输出,以防止检测功率MOSFET源极电流时振铃。LTC4441具有从 5V~25V的宽输入电源电压范围,为电信和工业系统中增加输出功率能力提供了一…     

具内置5V MOSFET栅极驱动的DC／DC微型模块稳压器

LTM4611能产生自己的5V N沟道MOSFET栅极驱动,以实现从3．3VIN或更低的输入到0．8V（在高达15A）负载的高效率电压转换。具N沟道MOSFET 的可替代传统低输入电压大功率开关模式DC／DC转换器需要第二个稳压器电路,以提供逻辑电平MOSFET所需的5V栅极驱动。就3．3VIN～2．5VOUT而言,LTM4611在满负载（15A）时的转换效率为92％,而在2．5VIN～1．5VOUT和1．5VIN～0．9VOUT时则分别为88％和81％。     

针对有限驱动电压应用的MOSFET

Zetex Senliconductors推出三款为有限驱动电压应用设计的N沟道增强模式MOSFET。这三款新产品分别为20V的ZXMN2803E6（SOT236封装）、ZXMN2814FH和ZXMN2801F（均为S0323封装）。这些器件均具有1．8V岱条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1．2V电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。     

MAX5098A：汉路输出、高开关频率DC-DC转换器

Maxim公司宣布推出MAX5098A,MAX5098A是双路输出、高开关频率DC-DC转换器,集成高边或低边n沟道开关。每路输出可配置为buck转换器或boost转换器。配置为buck转换器时,转换器1和转换器2输出电流分别为2A和1A。MAX5098A也集成了抛负载保护电路,可承受汽车应用中高达80V的瞬态电压。抛负载保护电路采用内部电荷泵驱动外部n沟道MOSFET栅极。当出现过压或抛负载时,串联保护MOSFET可吸收高压瞬变以防止损坏低压器件。     

德州仪器MOSFET驱动器

德州仪器（TI）推出一款针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器。TI的TPS28225驱动器以4．5V至8．8V电压控制MOSFET栅极，从而实现了高效率和低电磁卜扰（EMl），在7V至8V电压范围内时，器件效率达到最高。TPS28225实现了14ns自适应停滞时间控制、14ns传输延迟时间、2A大电流电源以及4A吸入驱动功能。针对较低栅极驱动器，驱动器的0．4欧姆阻抗可使功率MOSFET的栅极低于闽值电平，以确保高dV／dT相位节点转换时不会出现贯通电流。内部二极管充电的自举电容器使器件能在半桥配置下使用N通道MOSFET。     

针对服务器与DC／DC电源系统的4A高速MOSFET驱动器

8引脚电源栅极驱动器，每相位40A电流 TPS28225驱动器以4．5～8．8V电压控制MOSFET栅极；在7～8V电压范围内，器件效率达到最高；具有14ns自适应停滞时间控制，14ns传输延迟时间，2A大电流电源以及4A吸入电流。     

IR推出新型逻辑电平沟道MOSFET,提供基准效率和更高电流额定值

国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻（RDS（on））和高封装电流额定值，适用于高功率DC电机和电动工具，工业电池及电源应用。     

构成大功率反相-5V电源的降压型稳压器

将降压型开关转换器IC配置成反相器,便可获得一个高效大功率-5V电源,其输出电流在输入电压为12V时高达4.5A,在输入电压为5V时为3.2A(图1).常见的反相电源用一个D沟道MOSFET进行开关切换(图2).这种电路配置在输出电流很小时能运转正常,但在输出电流超过2A左右时,其使用受到限制,这要视输入、输出电压电平和你使用的MOSFET而定.     

半桥MOSFET驱动器

AAT4910采用一个逻辑输入同时驱动高／低边N沟道MOSFET。当逻辑输入驱动为高时,高侧外部MOSFET开启;当逻辑输入为低时,低侧MOSFET开启。当采用5V电源轨供电时,该器件的电路可通过高达28V的电源输入驱动高侧N沟道MOSFET。当驱动降低,启动输入随之将驱动器关闭,将运行电流降低至1μA以下。快速开关频率有助于将外部元件的成本和尺寸最小化。     

580kHz定频电流模式步降DC/DC控制器ADP1864

<正> 美国模拟器件公司生产的固定频率电流模式 DC/DC 步降变换器控制器 ADP1864与凌特公司的 LTCl772和 LTC3801引脚兼容。ADP1864输入电压 Vin 范围为3.15～14V,输出电压V_0为0.8V～Vin,输出电流可达5A。ADP1864驱动一个 P 沟道MOSFET,效率可达92%。ADP1864的应用领域主要包括无线装置、1～3节锂离子电池供电的设备、机顶盒、处理器内核电源     

通用双热交换控制器允许带电底板插入

引言当把电路板插入带电底板时,由于板上旁路电容充电而从底板电源总线吸入大的瞬态电流。瞬态电流可毁坏电容器、连接器引脚、板迹线以及系统电源,导致系统中其他板复位。新的双通道LTC1645热交换控制器是设计用于控制电路板电源电压,防止系统电源上假信号和对板的毁坏。LTC1645的两个通道可分别设置为上升或下降方式,或同时编程为上升方式,确保两个输出上的电源跟踪。用外部N一沟通路晶体管,电源电压可随可编程速率跃变。两个高瑞开关驱动器控制外部N沟道FET栅极,电源电压范围12V～12V。可编程电子电路断路器防止输出短路。L…     

凌力尔特推出100V高速同步N沟道MOSFET驱动器

凌力尔特公司（Linear Technology）推出LTC4444/-5的H级版本,该器件是一款高速、高输入电源电压（100V）、同步MOSFET栅极驱动器,为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET而设计。     

新的FET管驱动简单时序控制器件提高时间延迟精度

ADM6819和ADM6820是电压时序控制器，它们提供启动两个电源之间的精确时间延迟。内置电荷泵产生一个电压控制N沟道FET管的栅极。ADM6819具有固定的200ms时间延迟和允许输入7．ADM6820采用一只外部电容器精确设置启动两个电源之间的时间延迟。ADM6819和ADM6820都采用6引脚的SOT-23封装。     

新型电荷泵稳压电源MAX5008

<正> MAX5008是 MAXIM 公司最新推出的一种输入电压为2.95～5.5V,输出稳压的电压5V、输出电流可达125mA的电荷泵稳压电源电路。该器件主要特点:有短路保护;输出电流可设定(即输出电流可限制);有关闭电源控制,在关闭状态时耗电0.1μA;开关频率1MHz,所有电容可用小尺寸贴片式多层陶瓷电容;有过热保护;在输出有过流或输出电压超过稳压范围时,有故障信号输出;工作温度范围0～70℃;小尺寸10引脚μMAX 封装。该器件组成的5V 稳压电源主要应用于闪存电源、电池供电有系统、3V 转换成5V 的电压转换器等。     

英飞凌推出全新OptiMOS 3系列,可使工业、消费类和电信应用的功率密度提高50%

英飞凌科技近日在中国国际电源展览会上宣布推出采用superSO8和S308(Shrink SuperSO8)封装的40V、60V和80V OptiMOS 3 N沟道MOSFET,在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻.SuperSO8封装与标准TO(晶体管外形)封装相比,可使功率密度增大50%,特别是对于服务器开关模式电源的同步整流应用而言.举例来说,这种采用SuperSO8封装的器件可以只用20%的占位空间提供与D-Pak封装相同的通态电阻.     

ADI ADuM4146米勒箝位的单/双电源高电压隔离SiC栅极驱动方案

<正>ADI公司的ADuM4146是款单通道栅极驱动器,专门针对驱动碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)进行了优化.ADI公司的iCoupler?技术在输入信号与输出栅极驱动器之间实现隔离.ADuM4146包含米勒箝位,以便栅极电压低于2 V时实现稳健的SiC单轨电源关断.输出侧可以由单电源或双电源供电,是否使能米勒箝位功能也可以进行配置.