高压下La0.4Bi0.1Ca0.5MnO3中晶格畸变的研究

通过原位下的高压同步辐射X光衍射技术，对具有钙钛矿结构的La0.4Bi0.1Ca0.5MnO3中存在的Jahn-Teller畸变，进行了研究。实验表明在压力的作用下，样品中的畸变有所减小，超于理想的立方结构，并且在1．4GPa左右存在一个过渡相。     

气溶胶中210Bi对210Po测量结果推算的影响

气溶胶中²¹⁰Pb和²¹⁰Po两者之间浓度处于不平衡状态,被核素²¹⁰Bi隔开,²¹⁰Bi初始活度浓度往往未知,²¹⁰Po活度浓度较难推算到采样初始时刻的量值。本文从理论上分析了²¹⁰Bi对²¹⁰Po测量结果推算影响大小。大多实际情况空气中²¹⁰Po/²¹⁰Pb比小于1,需要考虑空气中²¹⁰Bi/²¹⁰Pb的比值,需在一个月内对²¹⁰Bi进行快速测量,否则无法衡量采样时刻²¹⁰Bi/²¹⁰Pb的大小。建议在初始空气中²¹⁰Bi的活度浓度值未知的情况下,采取短时间采样、快速测量等措施以避免这种误差。     

同位素丰度对硅晶格常数的影响

本文简述了同位素纯硅材料在新领域中的应用,并回顾早期关于稳定同位素硅-28(28 Si)的获得和进行的一些相关实验.针对在计量单位-千克的重新建立过程中,利用硅-28精确测量阿伏伽德罗常数的问题,本文根据相关理论和文献,推导了同位素丰度与晶格常数的关系,并据此估算了硅同位素丰度需要达到的要求.     

溅射功率对磁控溅射制备Bi薄膜结构和性能的影响

采用直流磁控溅射方法在不同功率下制备了铋(Bi)薄膜,对薄膜的沉积速率、表面形貌、生长模式、晶体结构进行了研究,并对其晶粒尺寸和应力的变化规律进行了分析。扫描电镜(SEM)图像显示：薄膜均为柱状生长,平均晶粒尺寸随溅射功率先增大后减小,薄膜的致密度随着功率的增加而降低,在60W时又变得较致密。X射线衍射(XRD)结果表明：Bi薄膜均为多晶斜六方结构,薄膜内应力随功率的增加由张应力变为压应力。     

Zn原子位置对ZnO晶体电子结构的影响

本文基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,计算了Zn原子位置对ZnO电子结构的影响.Zn的位置变化导致ZnO晶体发生晶格畸变,使电子结构发生变化;能带结构、能态密度(DOS)、电子密度、Mulliken布居等计算结果分析表明:Zn原子位置在z轴方向改变后使得Zn-O键长缩短,Zn的3d电子与O原子的2p电子在-8.0～-0.5 eV区域的杂化作用加强,导致O原子的部分2p电子向低能方向移动,带隙展宽.     

高压氧对γ线诱发外周血染色体畸变的影响

本文研究了高压氧对~(60)Coγ线诱发外周血染色体畸变的影响,结果表明:高压氧本身对淋巴细胞染色体没有明显影响,但对辐射诱发淋巴细胞染色体损伤的恢复有一定促进作用。     

大量Bi中微量Be的分光光度测定

本工作旨在测量我院某单位废水中微量Be的含量。Be是有毒有害元素,会对环境造成污染,为使废水在被排放时不污染环境,Be的含量必须准确测定。 该废水里含有大量Bi,它会干扰Be的测定。采用沉淀法可将Bi和Be分离。具体过程为:用1mol/L NaOH溶液将样品调至pH=13,Bi形成沉淀,离心后,Bi基体被分离去除。实验证明:Be在此条件下无损失。取一定量上清液,加10％ EDTA掩蔽残留的Bi及其它杂质,然     

局部放射治疗对肿瘤患者外周血染色体畸变和微核的影响

本文报道了局部６０Ｃｏ放疗对头颈部肿瘤患者外周血淋巴细胞染色体畸变和微核的影响。观察结果显示肿瘤患者的染色体畸变率、微核率均高于正常人。经局部６０Ｃｏ放疗后，其染色体畸变率、微核率比放疗前更加明显增高（Ｐ＜０．０１），并且以双着丝粒体、断片等二次击中畸变增高为主。这是由于射线对淋巴细胞染色体的直接损伤结果。因而在治疗方案中如何减少放疗对人体的伤害是一个值得注意的问题。     

超氧化物歧化酶对电离辐射诱发染色体畸变保护作用的研究

本研究用离体培养的人淋巴细胞为材料,观察外源性SOD和减少细胞内源性SOD对电离辐射诱发染色畸变的效应。实验结果表明,辐射诱发的染色体畸变除了射线的直接“击中”效应外,也与自由基的间接效应有关。因此,向受照射的淋巴细胞的培养物中加入外源性的超氧化物歧化酶(SOD)以清除损伤DNA的超氧自由基(O_2~-),可减少辐射诱发的染色体损伤。反之向受照射的淋巴细胞的培养物中引入SOD的抑制剂(DDC),则可增加淋巴细胞的辐射敏感性,加剧辐射对染色体的损伤作用。     

超氧化物歧化酶对电离辐射诱发染色体畸变保护作用的研究

本研究用离体培养的人淋巴细胞为材料,观察外源性SOD和减少细胞内源性SOD对电离辐射诱发染色畸变的效应。实验结果表明,辐射诱发的染色体畸变除了射线的直接“击中”效应外,也与自由基的间接效应有关。因此,向受照射的淋巴细胞的培养物中加入外源性的超氧化物歧化酶(SOD)以清除损伤DNA的超氧自由基(O_2~-),可减少辐射诱发的染色体损伤。反之向受照射的淋巴细胞的培养物中引入SOD的抑制剂(DDC),则可增加淋巴细胞的辐射敏感性,加剧辐射对染色体的损伤作用。     

γ 照射复合热烧伤时对染色体畸变影响的实验研究

100—600拉德~(60)Coγ线和该剂量复合15%二度烧伤各组,伤后24小时,单纯烧伤和对照组之间,放烧复合伤和单纯照射组之间,染色体畸变无显著性差异,经回归分析表明,不仅模式相同而且同一指标的回归方程式几乎相等,大鼠复合15%二度烧伤对骨髓细胞染色体畸变没产生影响,因此,染色体畸变分析有作为放烧复合伤时生物剂量仪的可能性。     

分次和慢性γ射线照射对家兔外周血淋巴细胞染色体畸变的影响

本文报道了用分次和慢性γ射线照射家兔诱发外周血淋巴细胞染色体畸变的实验研究,探讨了染色体畸变率与累积剂量的关系。实验结果表明,各实验组的畸变类型均以断片这一类单击性畸变为主。染色体型畸变细胞率和总畸变细胞率明显增高的累积剂量对1rad/8h 组分别为50rad 和100rad,对2.5rad/8h 组分别为50rad 和70rad;而对分次照射组则在50rad 剂量点处。各组总畸变细胞率,染色体型畸变细胞率和断片畸变率随累积剂量变化的关系均可拟合成直线回归方程。     

不同核评价数据库中Pb和Bi的截面对铅基快堆k_(eff)的影响

铅基快堆是GIF官方发布的第四代核能系统堆型之一,不同的核评价数据库中铅截面的较大差别会影响铅基快堆物理设计计算的准确性。本文利用国际上最新发布的核评价数据库JENDL-4.0、JEFF-3.2、ENDF/B-Ⅶ.0和BROND-3.1,制作了关键核素Pb、Bi的连续点截面,利用国际基准题评价手册中的PMF035和国际原子能机构发布的铅基快堆RBEC-M基准题以及cosRMC程序,对Pb和Bi的截面对系统有效增殖因数的影响进行了详细研究。对于PMF035带Pb反射层的临界基准题,上述所有核数据库的新版本较旧版本的计算偏差均有所减小,其中BROND的改善最为明显。对于RBEC-M基准题,使用ENDF/B-Ⅶ.0核数据库的计算结果与基准报告中结果符合较好;使用上述其他新版本数据库中截面数据替换计算结果表明,采用不同库中的Pb、Bi截面数据会使计算结果出现不同的偏差,其中,JENDL-4.0中Pb截面对计算结果的影响较Bi截面的影响大。     

γ辐射对大麦过氧化物酶同工酶谱和染色体畸变率的影响

23个大麦品种干种子经γ射线辐照后,其幼苗组织中的过氧化物酶同工酶谱在偏负极端R_f0.29—0.38出现新的酶带,根尖细胞出现各种染色体结构变异,酶带数目和畸变细胞率的辐射剂量效应均可用线性回归方程Y=Ax+B拟合。对供试品种属性的分类分析表明皮大麦的辐射敏感性低于裸大麦,二梭大麦低于四棱和六棱大麦。     

退火温度对掺铒硅1.54μm光致发光的影响

利用金属蒸气真空弧（MEVVA）离子源交稀土金属Er离子注入单晶硅中，经快速退火制备出掺铒硅发光薄膜。RBS分析表明掺铒硅的浓度接近10at%,即可达10^21cm^-3量级。XRD分析薄膜物相结构发现，退火温度升高将导致Er偏析。通过RHEED和AFM显微分析可得，退火温度影响辐照损伤的恢复程度，Si固相外延再结晶和显微形貌。这些结构变化将影响掺铒硅发光薄膜1.54μm光致发光。     

晶粒尺寸对锐钛矿TiO2相变压力的影响

采用在位高压Raman光谱和高压同步辐射能散X射线衍射技术,在室温下对晶粒尺寸为10nm的锐钛矿TiO2进行了压致相变研究,压力范围分别为42．9GPa和23．0GPa,实验结果表明,在16．3GPa TiO2发生了一次结构相变,由原来的锐钛矿结构变为α－PbO2结构（TiO2-Ⅱ）,该相变是不可逆的。同体材料TiO2的高压相变结果比较,由于晶粒尺寸的效应,纳米尺寸的锐钛矿TiO2的相变压力明显高于体材料的相变压力。