快闪存储器及其测试系统

快门存储器目前非常流行,由于它是非易失性的,当电源关断时数据不会消失,因而,电子计算机、移动通信、家用电器,特别是手持设备,在关断电源后需要保留数据时,或者数据交换时,快闪存储器起着重要作用。例如MP3数字音乐播放机和数字照相像都使用快闪存储器作为记录介质,由于     

高兼容CMOS工艺嵌入EEPROM技术

电可擦除只读存储器是非易失性存储器。文章介绍了高兼容常规CMOS工艺的一种嵌入式电可擦除只读存储器设计与工艺技术,对电可擦除只读存储器单元、高压MOS器件的结构与技术进行了研究。研究结果表明,我们设计的0．8μm电可擦除只读存储器单元Vpp电压在13V～15V之间能够正常工作,擦写时间小于500μs,读出电流大于160μA／μm;在普通CMOS工艺基础上增加了BN＋埋层、隧道窗口工艺,成功应用于含嵌入电可擦除只读存储器的可编程电路的设计与制造。     

快闪存储器市场纵横

快闪存储器市场纵横快闪存储器（ＦｌａｓｈＭｅｍｏｒｙ）是一种可整片擦除或按字节区段重新（反复１０万次）写人指令的新型半导体存储器件，具有非易失性、高速存取、集成度高、耐振动冲击、功耗极微、保存数据无需电池支持等特点，因此自９０年代初问世以来，国际上一...     

Ramtron携铁电存储器发力物联网应用

铁电存储器以几乎无限的读写次数、超低功耗以及高抗干扰能力而在汽车、智能电表、工业控制等领域得到广泛应用,在物联网热潮的带动下,RFID或将成为其未来增长的主要推动力。作为一种非易失性存储器,铁电存储器(FRAM)兼具动态随机存取存储器DRAM的高速度与可擦除存储器EEPROM非易失性优点     

快闪存储器阈值电压分布读取和修正方法

在快闪存储器中,多晶硅浮栅的漏电、存储单元之间的干扰、长期的编程擦除操作都会使存储单元的阈值电压发生漂移,使采用多电平技术的快闪存储器的阈值电压分布规划变得越来越困难。针对这一问题,提出了一种快闪存储器阈值电压分布读取方法,该方法能准确地测量快闪存储器的阈值电压分布,给快闪存储器阈值电压分布规划和编程擦除算法的设计提供参考。     

1兆位3伏闪速电擦除16位存储器AT29LV1024及其应用

AT29LV1024是ATMEL公司推出的3V闪速电擦除存储器(EEPROM),它采用ATMEL公司先进的非易失性的COMS工艺制造,可快速准确地实现数据的存储。因此,它可应用于各种单片机系统。     

EEPROM耐久和数据保持试验方法标准分析

介绍了存储器分类,论述非易失性存储器编程机理以及编程/擦除耐久和数据保持试验方法,分析了MIL-STD-883B中的《耐久寿命试验》和JESD22-A117《电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)编程/擦除耐久和数据保持应力试验》等试验方法标准.     

快闪存储器及其应用

本文评述存储器家庭新成员－快闪存储器的结构原理和特性，研制进展，编程擦除方法以及使用注意事项，提供了快闪存储器的多种应用途径。     

闪速存储器———灿烂前景照眼明

闪速存储器属于非易失性半导体存储器范畴,可以用电的方式写 入、擦除及改写数据。这一存储器于八十年代中期问世,近几年在移动电话、存储器卡及网络设备中使用相当广泛,今后亦可望有大幅度增长。     

1兆位3伏闪速电除擦除16位存储器AT29LV1024及其应用

AT29LV1024是ATMEL公司推出的3V闪速电擦除存储器（EEPROM），它采用ATMEL公司先进的非易失性的COMS工艺制造，可快速准确地实现数据的存储，因此，它可应用于各种单片机系统。     

分离栅式快闪存储器擦除性能的工艺优化

随着电子产品的普及,分离栅式快闪存储器作为闪存的一种,由于具有高效的编程速度以及能够完全避免过擦除的能力,无论是在单体还是在嵌入式产品方面都得到了人们更多的关注。随着闪存市场高集成度的发展需求,分离栅式快闪存储器的尺寸也在逐渐地缩小。从结构和工艺优化方面探讨在这一微缩过程中,如何有效提高分离栅式快闪存储器的擦除效率。通过实验发现通过形成非对称性浮栅结构,优化浮栅到擦除栅侧的结构形貌,可以显著改进分离栅式工艺快闪存储器的擦除性能。     

快闪存储器的特点及应用

快闪存储器是一种新型存储元件,它的存储容量大,数据不挥发,使用方便,可靠性高,具有广泛的应用前景。典型元件 Ａ Ｍ２９ Ｆ０４０ Ｂ 的读写十分方便,还具有独特的整片擦除和分区擦除功能。     

同时读写技术

快闪存储器自从80年代中期出现以后,有了很大的发展,已经成为首选的非易失性存储器。当前的闪存,除了能够一次全部被擦除以外,还可以仅仅擦除掉存储器中的一部分(一般为64k字节的存储块或存储区）。而不同厂家可同时进行读与写的RWW（Read-While-Write）器件,对于NOR型闪存的用处则更为显著。它们有各种各样的名字（同时读与写,双操作,双平面分区,后台操作等）。从根本意义上说,RWW器件可以一面从快闪存储器中的一部分读出程序编码而同时又可以对快闪存储器的另一部分进行编程或擦除。这一特性,就好象存在两个闪存似的。RWW…     

走向实用化的FeRAM

FeRAM（Ferro-electric RandomAccess Memory,铁电随机存取存储器）是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器。不仅如此,与以往的非易失性存储器相比。它还能够在比较低的电压条件下实现1000倍以上的高速信息改写。 一般来说,人们对存储器有五个方面的要求,即容量、速度、非易失性、功耗和价格。目前广为使用的DRAM、快闪存储器和SRAM各有优缺点。DRAM的优势在于容量、速度和成本,弱点在于不具备非易失性;快闪存储器的长处在于容量和非易失性,短处是写入速度慢;SRAM的优点则是速度和功耗,缺点是难以实现大容量化。而FeRAM有可能成为能够同时满足这5大类要求的存储器。本文将对FeRAM的一些最新的进展情况做简要介绍。     

快闪器件研究

快闪存储器由于其所具有的非挥发电可编程和片擦除特性,在嵌入式应用中有望取代SRAM、DRAM以及磁性存储器,并愈来愈受到重视,产品的市场占有率稳步上升,近10年来发展迅速。随着嵌入式系统和移动设备的发展以及集成电路特征尺寸的进一步缩小,在现有基础上对嵌入式存储器又提出了新的要求,主要有两条:更低的工作电压和更快的擦写速度。为满足这些要求,国际上在快闪存储器单元结构和相应的工艺实现方法上开展了大量的工作。对快闪存储器结构方面的研究进行了综述,以利于国内同行对该领域及快闪存储器的机理和研究方向有一个较全面的了解。     

快闪存储器的特点及应用

快闪存储器是一种新型存储元件，它的存储容量大，数据不挥发，使用方便，可靠性高，具有广泛的应用前景。典型元件ＡＭ２９Ｆ０４０Ｂ的读写十分方便，还具有独特的整片擦除和分区擦除功能。     

快闪存储器—存储器家族的新成员

磁盘和快闪存储器有一个共同的特点，即整块数据存储。计算机通常采用磁盘存储整块数据，而快闪存储器在数据存储方面更具有优越性。我们研究了快闪存储单元及其工作原理，从中了解到快闪存储器的特性以及与便携式计算机比较的结果。     

几个存储器问题的再思考

一、存储器的分类 从使用功能角度看,半导体存储器可以分成两大类:断电后数据会丢失的易失性(Volatile)存储器和断电后数据不会丢失的非易失性(Non-volatile)存储器。过去直至目前,绝大多数教科书都把可以随机读写数据的易失性存储器称为RAM。     

基于SST25VF020的数据存储系统设计

前言 近年来,闪速存储器已应用在数以千计的产品中,特别是移动通信、MP3音乐播放器、手持PC管理器、数码相机、网络路由器、舱内录音机等工业产品。闪速存储器由于具有非易失性和电可编程擦除性,从而具有半导体存储器的读取速度快、存储容量大等优点,同时又克服了DRAM及SRAM断电丢失所存数据的缺陷。与EPROM相比较,闪速存储器的优势在于系统电可擦除和可重复编程,且不需要特殊的高电压,此外,它还有成本低,密度大的特点。[第一段]     

快闪存储器前途无量

一、全球快闪存储器市场 正当全球半导体市场面临货源短缺而厂商将发展的关注焦点集中到动态存储器上时,快闪存储器(Flash memory)也面临了市场需求殷切所产生短缺的问题。但由于快闪存储器的产品发展技术与特性都与动态存储器有相当大的差异,因此在市场竞争厂商不多的状况下,所引起的关注也就不像动态存储器那样引人注目。