杂质离子在Sr(NO3)2晶体中分凝行为的研究

本工作研究了Ba^2 ,Pb^2 ,Ca^2 等9种金属离子在Sr(NO3)2晶体生长过程中的分凝行为，采用蒸发溶剂方法生长晶体，蒸发溶剂的温度固定在45℃，掺杂离子在初始溶液中的浓度的摩尔分数为0.2%-0.02%，使用等离子发射光谱和电子探针测定了杂质离子在溶液和晶体中的分布，研究发现：主体相Sr(NO3)2和杂质硝酸盐结构的类同性，是杂质离子易于进入晶格的关键因素；杂质硝酸盐的溶解度越小，杂质越容易进入晶体；在同一晶体中Ba^2 离子在（100）扇形富集，它与晶体在不同结晶方向的的表面结构有关。     

CaCl2-HCl-H2O体系中铁、镁、铝对 二水硫酸钙转晶过程影响研究

以CaCl2-HCl-H2O电解质溶液为转晶介质,在70 ℃、3.5 mol/kg氯化钙、0.5 mol/kg 盐酸的实验条件下,研究金属杂质Mg2+、Al3+、Fe3+对二水硫酸钙转半水硫酸钙的转晶时间、晶体形态变化的影响。以结晶水含量变化确定转晶时间,以晶体图片表征晶体形态的变化。结果表明：在该体系中,杂质离子促进转晶过程的进行。当Mg2+、Al3+质量分数超过0.01%后,转晶时间分别缩短至1.5、1.0 h左右后趋于稳定;当Fe3+质量分数超过0.001%后,转晶时间缩短至1.0 h左右后趋于稳定;杂质离子含量较低时,不同金属杂质离子对转晶过程促进作用的大小顺序为Al3+＞Fe3+＞Mg2+;晶体逐渐由片状变为针状,且维持针状形态。     

(Ba1-xSrx)(Mg1/3 Ta2/3)O3微波陶瓷介电性能研究

Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(简称BMT)陶瓷是A(B′1/3B″2/3)O3(A=Ba,Sr;B′=Zn,Mg;B″=Nb,Ta)型复合钙钛矿化合物中的一种,A位由Sr离子取代Ba离子,形成(Ba1-xSrx)(Mg1/3Ta2/3)O3(简称BSMT)固溶体型化合物,也具有复合钙钛矿结构。Sr含量x≥0．6时发生相转变,形成一种新的低温相,这是由于氧八面体畸变造成的。这种低温相结构与BMT六方晶系结构相比具有较低的对称性。低温相的形成．可显著降低BSMT陶瓷的烧结温度．在150℃即可烧结致密(BMT为160℃)。BSMT的微观结构和介电性能(如介电常数ε和介电常数温度系数aε)的变化也与此相转变有关。     

C-S-H凝胶对Cd2+、Zn2+和Cu2+的吸附固化作用

以分析纯Ca(NO3)2·4H2O、Na2SiO3·9H2O和重金属硝酸盐为原料,通过溶液反应法分别制备钙硅比为0.8和1.8的纯净及含Cd2+、Zn2+和Cu2+的C-S-H凝胶,研究了C-S-H凝胶在形成过程中对三种重金属离子的吸附固化作用.结果表明,两种钙硅比的C-S-H凝胶均能吸附固化Cd2+、Zn2+和Cu2+,重金属离子较易进入低钙硅比C-S-H凝胶夹层结构中,可以置换高钙硅比C-S-H凝胶结构中的Ca2+,在水化液相中形成Ca(OH)2.C-S-H凝胶对Cd2+和Cu2+的固化能力好于对Zn2+的,低钙硅比C-S-H凝胶对Zn2+的吸附固化作用优于高钙硅比C-S-H凝胶.     

硅酸盐玻璃中Zn、Cd、Sr、Pb、Ba二价离子的扩散

本文研究了zn、Cd、Sr、Pb、Ba两价离子在580—640℃下由卤化物和硝酸盐到Na_2O-Al_2O_3-CaO-SiO_2玻璃中的扩散。这些离子在玻璃表面的扩散浓度由离子探针测定。结果表明二价离子的扩散系数(D)、频率因子(D_0)和活化能(E)与其离子半径有关。扩散系数随离子半径的增加而减少,排列成D_(zn)>D_(cd)>D_(sr)>D_(Pb)>D_(Ba),但二价离子的活化能和频率因子随离子半径的增加而增加。本文还讨论了离子场强和极化对扩散的影响。     

分散剂用量对钛酸锶钡水基浆料稳定性的影响

使用聚甲基丙烯酸铵(ammonium polymethacrylate,PMAA-NH4)作为分散剂,研究了不同pH值条件下分散剂用量对钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3)水基浆料稳定性的影响,并分析了其影响机理.结果表明:PMAA-NH4的加入能够显著提高Ba0.6Sr0.4TiO3粉体的zeta电位,在加入量(质量分数,下同)为0.4%时,zeta电位为负值,达到最小,从而提高了Ba0.6Sr0.4TiO3水基浆料稳定性.在pH值小于8时,会发生Ba0.6Sr0.4TiO3料浆中的Ba2 和Sr2 离子溶出;pH值大于8时,Ba0.6Sr0.4TiO3粉体的zeta电位随PMAA-NH4的加入量的增加而增大.在pH值为8～9,PMAA-NH4的加入量为0.4%时,实现Ba0.6Sr0.4TiO3粉体对PMAA-NH4的饱和吸附,此时浆料的稳定性最好.     

碱土金属离子对掺杂NaY(MoO4)2:Sm3+上转换发光的影响

采用水热法合成了不同种类的二价碱土金属离子Re2+(Mg2+、Ba2+、Sr2+、Ca2+)掺杂NaY(MoO4)2:Sm3+上转换荧光材料,通过X射线粉末衍射、扫描电子显微镜、发射光谱,对合成样品的晶型结构、形貌和上转换发光性能进行研究.结果表明:碱土金属的掺杂可以通过Y3+格位和占据晶格间隙的方式进入基质晶格;在8...     

LED白光照明用(Y0.98-xSrx)3Al5O12:Ce0.06和(Y0.98-xBax)3Al5O12:Ce0.06系列荧光粉的晶相与荧光光谱

本研究采用较温和的高温固相法,用碱土金属离子Sr2+和Ba2+取代Y3+离子进行基质取代,合成了一系列(Y0.98-xSr)3Al5O12:Ce0.06和(Y0.98-xBax)3Al5O12:Ce0.06荧光粉.运用XRD对荧光粉进行了表征,试验结果表明:在一定的掺杂取代范围内,这些体系具有立方石榴石结构.运用荧光光...     

凝胶-燃烧法制备Sr1.99SiO4∶Ce0.013+蓝紫色荧光粉

采用凝胶-燃烧法合成了Sr1.99S1O4∶ Ce0.013+蓝紫色荧光粉,对不同C6H8O7和NH4NO3加入量、H3BO3加入量和电荷补偿剂对Sr1.99SiO4∶Ce0.013+发光性能的影响进行了讨论.结果表明:所得Sr1.99 SiO4∶Ce0.013+样品为α'-Sr2SiO4纯相;其发光谱为220～ 400 nm的近紫外宽带谱,归属于Ce3+离子的5d04f1→5d14f0跃迁;发射光谱是峰值位于405nm的不对称单峰宽带谱,由398nm和427 nm两个高斯峰组成,分别来源于同一发光中心的Ce3+离子5d14f0向基态2F7/2和2F5/2能级的跃迁;C6H8O7和NH4NO3的最佳加入量为n(C6H8O7)/n(Sr(NO3)2)=0.5,n(NH4NO3)/n(Sr(NO3)2) =2.0;H3BO3最佳加入量为12mol％;最佳电荷补偿剂为Li+.     

M1.95P2O7:0.05Eu3+（M=Ba,Sr,Ca）红色荧光粉的制备及其发光性能

以尿素为燃料,采用溶液燃烧法合成出M2P2O7:Eu3+(M=Ba,Sr,Ca)红色荧光粉。利用X射线衍射和荧光光谱研究了激活剂Eu3+对3种荧光粉晶体结构和发光性能的影响。结果表明,制得样品分别为纯相的六方晶系Ba2P2O7、正交晶系Sr2P2O7和四方晶系Ca2P2O7。光谱分析表明,M2P2O7:Eu3+(M=Ba,Sr,Ca)的激发峰位置和发射峰位置均基本相同。M1.95P2O7:0.05Eu3+(M=Ba,Ca)发射红光,其对应于5D0→7F2电偶极跃迁的612nm发射峰强度高于对应于5D0→7F1磁偶极跃迁的588nm和593nm发射峰,说明Eu3+在M2P2O7(M=Ba,Ca)基质中处于非对称格位;而Sr1.95P2O7:0.05Eu3+发射橙红光,Eu3+在Sr2P2O7基质中处于对称格位。在394nm激发下,M1.95P2O7:0.05Eu3+(M=Ba,Sr,Ca)的色度坐标分别为(0.35,0.21)、(0.24,0.15)、(0.35,0.21)。这3种荧光粉均能被394 nm紫外光和464 nm蓝光有效激发,发射红光或橙红光。     

溶剂与杂质对11α羟基-16α,17α-环氧黄体酮晶习的影响

The effects of solvent and impurity on the crystal habit of 11α-hydroxy-16α, 17α-epoxyprogesterone (HEP) grown from solution were studied by scanning electron microscope. Long prismatic crystals were produced when HEP was crystallized from pure acetone and N,N-dimethylformamide, while blocky crystals were produced from pure chloroform by cooling crystallization. One kind of isomorphic impurity, 16α, 17α-epoxyprogesterone (EP)was selected to examine its effect on the HEP crystal habit. When the content of EP in the mother liquor is very high (55.45%, solvent free basis), the habit of produced HEP crystals was greatly modified from prismatic to octahedral. The differential scanning calorimetry and X-ray powder diffraction analyses showed that the change of crystal habit was originated from the crystal structure modification.     

NaBi(WO_4)_2晶体生长与开裂研究

钨酸铋钠 [分子式 :NaBi(WO4) 2 简称NBW ]是一种性能优良的闪烁晶体 .本工作采用提拉法生长出直径为 45mm ,高为 3 5mm的大尺寸NBW晶体 ,对生长的晶体中存在的开裂现象进行了研究 ,从理论上讨论了晶体中的热应力和热应变与晶体尺寸、温度梯度、提拉速度和转速等生长工艺参数之间的关系 .实验研究发现 ,晶体开裂与生长速度过快、转速过大、晶体冷却速率过快所造成的热应力有关 .并给出了制备无开裂优质NBW晶体的最佳生长工艺参数     

Fe^3＋,Al^3＋,Mg^2＋对石膏结晶习性影响的研究

本文在ＭＳＭＰＲ结晶器中研究了无Ｆ存在下，Ｆｅ＾３＋、Ａｌ＾３＋、Ｍｇ＾２＋三咱离子共存时对石膏结晶习性的影响，结果发现，无论硫酸根过量２．４％还是过量４．８％，Ｆｅ＾３＋、Ａｌ＾３＋、Ｍｇ＾２＋共存得到的石膏晶体几乎都是针状晶体；当硫酸另两种相应的离子浓度保持一定水平时，增大Ｆｅ＾３＋含量，石膏晶体变长；增长Ｍｇ＾２＋含量，石膏晶体变小；增长Ａｌ＾３＋含量，石膏晶体长大，Ｆ与Ａｌ＾３＋同时存在     

阿莫西林结晶过程的研究

通过观察阿莫西林晶型形成及成长过程,找出晶型形成的关键控制点.通过改变工艺条件,选择初次出晶最佳的工艺条件来改善药品的质量,并用来指导工业生产.     

NaBi(WO4)2晶体生长与光谱性能

采用提拉法生长出钨酸铋钠晶体[分子式NaBi(WO4)2, 简称NBW].生长过程中, 对影响晶体开裂的原因进行了详细的分析, 设计了合理的工艺参数 液面上下10mm内的温度梯度为0.8 ℃/mm, 径向温度梯度小于0.3 ℃/mm.拉速为2～4 mm/h, 转速为10～15 r/min, 降温速率为25 ℃/h, 生长出尺寸为45 mm×35 mm的高质量的钨酸铋钠晶体.X射线衍射分析结果表明, NBW晶体属于四方晶系,空间群为I41/a.光透射测试结果表明了NBW晶体的抗辐照损伤能力强;发射光谱分析发现它的发射峰值位于可见光绿光波段.     

BaAlBO3F2晶体的生长与形貌

以NaF为助熔剂,BaAlBO3F2和NaF摩尔比为11.5,采用熔盐籽晶生长方法,沿[001]方向生长出尺寸为18 mm×18 mm×12 mm的BaAlBO3F2(BABF)晶体.晶体生长参数降温速率为2～4℃/d,晶体旋转速率为15 r/min.研究了BABF晶体的生长形貌,BABF晶体生长过程中,呈现出(001)和(100)晶面.测试了BABF的粉末倍频效应,其倍频系数约为KDP晶体倍频系数的0.8倍.室温下测试了BABF晶体的显微硬度,其(001)面与(100)面显微硬度分别为10.99 GPa和8.137 GPa.     

Yb:Ca5(PO4)3F激光晶体的生长缺陷

采用提拉法生长了质量优异的Yb：Ca5（PO4）2F（Yb：FAP）晶体。运用化学腐蚀,光学显微镜、扫描电子显微镜以及能量散射光谱仪观察了该晶体中的生长条纹和包裹物等宏观缺陷,以及晶体的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布情况,同时观察了晶体中亚晶界的形态。由晶体中位错的径向变化以及生长条纹可知：晶体在生长过程中为微凸界面生长。高温下CaF2的挥发造成了在晶体生长后期熔体中组分偏离化学计量比,出现组分过冷,形成包裹物。且位错密度显著增加。Yb：FAP晶体的各向异性使得晶体在（10 10）面的位错蚀坑形状、大小以及深度不同,而（0001）面的位错蚀坑呈规则的六边形;这也是晶体中形成亚晶界结构的主要原因。讨论了减少晶体中缺陷的一些方法。     

Yb∶Ca_5(PO_4)_3F激光晶体的生长缺陷

采用提拉法生长了质量优异的Yb∶Ca5(PO4)3F(Yb∶FAP)晶体。运用化学腐蚀,光学显微镜、扫描电子显微镜以及能量散射光谱仪观察了该晶体中的生长条纹和包裹物等宏观缺陷,以及晶体的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布情况,同时观察了晶体中亚晶界的形态。由晶体中位错的径向变化以及生长条纹可知:晶体在生长过程中为微凸界面生长。高温下CaF2的挥发造成了在晶体生长后期熔体中组分偏离化学计量比,出现组分过冷,形成包裹物,且位错密度显著增加。Yb∶FAP晶体的各向异性使得晶体在(10 10)面的位错蚀坑形状、大小以及深度不同,而(0001)面的位错蚀坑呈规则的六边形;这也是晶体中形成亚晶界结构的主要原因。讨论了减少晶体中缺陷的一些方法。     

胆甾型液晶的合成及显色示温液晶组成

合成并表征了两种对正烷氧基苯甲酸胆甾醇酯液晶 ,并用于显色示温混合液晶的配制。通过胆甾型液晶的选择及不同含量的调配 ,获得变色温度范围在 1 0～ 40°C、色泽鲜艳、温度感应灵敏、变色可逆的胆甾型混合液晶组成。讨论了混合液晶组成对显色示温的影响     

MgO单晶

透明MgO单晶的熔点高达2800℃,是无残留气孔的高致密性材料。因其光透过率、折射率、热导率、电绝缘性、化学稳定性、机械强度等方面性能优异,具有广泛的用途:(1)可作为光学透明材料。由于从紫外到红外的宽范围内,光透过率Τ≥80％,可用于普通照相、紫外照相、特殊光学系统、光纤以及特殊机械光学装置;(2)可作为耐高温、高压窗口材