液晶显示器用ITO透明导电膜技术现状

随着液晶显示器件产业的飞速发展，对作为平板显示器透明电极的ＩＴＯ导电玻璃的需求也日益增，由于ＬＣＤ正向大型化和高精细化发展，因而对ＩＴＯ膜的特性提出了许多新的更为严格的要求，本文综述性介绍透明导电膜制造中最常的ＩＴＯ膜磁控溅射成膜技术和设备以及靶的现状主。     

液晶显示器用ITO透明导电膜技术现状

随着液晶显示器件（LCD）产业的飞速发展，对作为平板显示器透明电极的ITO导电玻璃的需求也日益增长，并由于LCD正向大型化和高精细化发展，因而对ITO膜的特性提出了许多新的更为严格的要求。本文综述性介绍透明导电膜制造中最常用的ITO膜磁控溅射成膜技术和设备以及靶的现状。     

石墨烯太阳能电池透明电极的可行性分析

太阳能电池的光电转换效率仍然较低,并且进一步提高效率非常困难。相对来说,通过提高太阳能电池透明电极的性能是一个简单有效的方法。石墨烯仅有一个sp2碳原子的厚度,超高的载流子迁移率使它可以极大地降低透过率与导电性之间此消彼长关系的影响,同时具备高透光和高导电的特性,因此有望替代目前的商业标准氧化铟锡(ITO)。化学掺杂可以大大降低石墨烯面电阻并调整石墨烯的功函数至合适值。本文的分析表明石墨烯作为太阳能电池透明电极应该是可行的并且具有优越性。     

石墨烯作太阳电池透明电极的研究进展

综述了石墨烯作太阳电池透明电极的研究现状,并提出了今后的研究思路,即对石墨烯内部的位错、晶界、应变等缺陷进行理论计算,用来指导实验研究,最终通过控制位错、晶界等缺陷的运动,使其性能得到有效控制。另外,石墨烯作透明电极时,与太阳电池其它部分直接接触。在未来的研究中,制备高性能石墨烯的同时,也应该关注太阳电池中石墨烯与其它部分的界面情况。     

p型GaN上透明电极的研究现状

GaN基发光器件通常采用金属作为p型GaN的接触电极,但由于金属透光率低,大大降低了器件的发光效率,解决办法之一就是采用透明导电薄膜作为其接触材料.本文在分析p-GaN上难以形成欧姆接触原因的基础上,提出了获得良好电极性能的途径,并从电极的制备方法、光电特性等方面讨论了近年来透明导电薄膜作为p-GaN接触的研究进展,并对未来的发展方向进行了简要说明.     

液相还原法制备铜纳米线及其在透明电极方面的应用

综述了液相还原法制备铜纳米线及包覆有其他物质的铜纳米线制备技术的最新进展;通过与其他透明电极的比较,探讨了铜纳米线在透明电极方面的潜在应用优势,总结了铜纳米线在透明电极方面的研究进展;最后展望了铜纳米线的应用前景。     

高透过率透明液晶显示器的开发与实现

透明液晶显示器的发展和使用,给当前普通显示器市场带来相当大的冲击。当前普通显示器在使用时,显示器后置光源的功率一般比较大,这主要是为了在降低后置光源的情况下,使显示器达到高透过率的作用。彩膜样品实验是研究白坐标、色度域和透过率之间的关系,以此来确定透明液晶显示器与彩膜样品类型之间的关系,找到提高显示器透过率的方法。     

高分子网状图案制备金属网格透明电极研究进展

高分子网状图案结合不同的金属化方法是制备金属网格透明电极(MMTE)的常用策略.高分子网状图案制备的要点在于线宽和孔隙率的控制,上述参数与MMTE光电性能直接相关.文中综述了高分子网状图案的制备方法及其在MMTE中的应用.目前,高分子静电纺丝网状图案应用较广,可实现低成本、大面积制备MMTE.为了得到高性能的MMTE,...     

退火温度对ZnO/Mo/ZnO透明导电薄膜结构及光电性能的影响

采用电子束蒸发法成功制备了透明导电的ZnO/Mo/ZnO(ZMZ)复合薄膜,研究了不同的退火温度对其电学和光学性质的影响规律。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线能谱仪、紫外可见分光光度计和四探针测试仪等检测手段对样品的性能进行了分析。实验结果表明:随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度提高,晶粒尺寸增大;薄膜的电阻率先降低后升高;薄膜的光学透过率先升高后降低。当退火温度为250℃时,ZnO/Mo/ZnO薄膜具有最佳的综合光电性能,在400nm~900nm波长范围内最高透过率为81.4%,平均透过率高于80%,最低电阻率为1.71×10-4Ω·cm,表面电阻为15.5Ω/sq。研究表明所制备的ZMZ复合透明导电薄膜可应用于太阳能电池、液晶显示器等领域。     

NiO/Ag/NiO透明导电膜光电特性研究

在室温条件下, 利用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了NiO/Ag/NiO透明导电膜, 研究了不同NiO层和Ag层厚度对三层膜可见光透过率和电阻特性的影响。结果分析表明:制备的NiO/Ag/NiO为N型透明导电膜。在400~800 nm的可见光区域内, 随着NiO和Ag层厚度的增加, 薄膜的透光率先增大后减小。NiO层厚度为30 nm且Ag层厚度为11 nm时, 叠层膜具有较好的光学特性, 其最大透过率为84%, 薄膜电阻为3.8Ω/sq, 载流子浓度为7.476×10²¹cm^-3。对薄膜透过率进行了计算机模拟, 发现结果与实验中大致趋势相同, 但因为折射率选择和薄膜界面等因素的影响, 在可见光区域后半段实验值大于计算值。     

掺钼氧化锌透明导电薄膜光学性质研究

采用直流磁控反应溅射制备了掺钼氧化锌透明导电薄膜。研究了掺钼氧化锌薄膜的结构、表面形貌及其光学和电学性能。原子力显微镜扫描显示薄膜表面较为平整致密。制备出的掺钼氧化锌薄膜最低电阻率为9.4×10-4Ω.cm,相应载流子迁移率为27.3cm2V-1s-1,载流子浓度为3.1×1020cm-3。在可见光区域的平均透射率大于85%,折射率(550nm)为1.853,消光系数为7.0×10-3。通过调节氧分压可以调节薄膜载流子浓度,禁带宽度随载流子浓度的增加由3.37增大到3.8eV,薄膜的载流子有效质量m*为0.33倍的电子质量。     

低电压缴反射镜型微机械光开关的设计与制作

利用 (1 0 0 )硅片和偏 2 5°的 (1 1 1 )硅片制作了静电驱动扭臂结构微反射镜型 2× 2光开关。微反射镜、自对准V型槽和扭臂结构是在 (1 0 0 )硅片上制作的 ,反射镜与光纤槽之间靠晶向自对准 ,反射镜与光轴垂直度较好。在偏 2 5°的 (1 1 1 )硅片上制作倾斜下电极结构 ,实验测得的 pull in电压为 1 3 2V ,几乎比平面下电极的 pull in电压降低一半。采用准直光纤耦合 ,开关的插入损耗小于 1 4dB ,串话小于 - 5 0dB。     

Biomimic Vein-Like Transparent Conducting Electrodes with Low Sheet Resistance and Metal Consumption

In this contribution,inspired by the excellent resource management and material transport function of leaf veins,the electrical transport function of metallized leaf veins is mimicked from the material transport function of the vein networks.By electroless copper plating on real leaf vein networks with copper thickness of only several hundred nanometre up to several micrometre,certain leaf veins can be converted to transparent conductive electrodes with an ultralow sheet resistance 100 times lower than that of state-of-the-art indium tin oxide thin films,combined with a broadband optical transmission of above 80%in the UV–VIS–IR range.Additionally,the resource efficiency of the vein-like electrode is characterized by the small amount of material needed to build up the networks and the low copper consumption during metallization.In particular,the high current density transport capability of the electrode of>6000 A cm^−2 was demonstrated.These superior properties of the vein-like structures inspire the design of high-performance transparent conductive electrodes without using critical materials and may significantly reduce the Ag consumption down to<10%of the current level for mass production of solar cells and will contribute greatly to the electrode for high power density concentrator solar cells,high power density Li-ion batteries,and supercapacitors.     

p型透明导电的锡镓氧化物薄膜的制备及其表征

本文通过磁控溅射锡镓合金靶(Ga/Sn=0.2)及热氧化的方法,成功地制备了p型透明导电的锡镓氧化物(TGO)薄膜.X射线衍射(XRD)测试结果表明,TGO薄膜保持SnO2的金红石结构.吸收谱测试表明TGO薄膜在可见光范围内透过率可达到85%以上,其光学禁带宽度Eg约3.8 eV.霍尔效应测试结果表明,TGO薄膜的载流子类型及其浓度与热处理温度密切相关.热氧化温度过高或过低均不利于空穴浓度.当热氧化温度处于(600～700) ℃之间时,可以获得p型透明导电的TGO薄膜,最高空穴浓度高达8.84×1018 cm-3.     

汽车氧传感器铂电极的制备及性能研究

本文从铂电极的制备及烧结工艺等方面分析了影响铂电极性能的因素.通过控制铂浆中各组分的配比和烧结工艺参数,初步确定了性能稳定、成本低廉的铂电极制备工艺.     

透明Pt对电极的制备及其在DSSC中的应用

采用简单的电化学沉积法在FTO导电玻璃表面制备了透明的Pt电极,用紫外可见分光光度计和电化学循环伏安法分析了透明Pt对电极的透光性及电催化活性,结果表明,此种方法制备的透明Pt对电极的透光率达到了80%,且具有良好的电催化性能,组装DSSC的效率达到了3.54%。     

臭氧在热反应蒸发法低温制备透明导电薄膜IMO中的作用

虽然采用常规的热反应蒸发法就可以在约350℃的玻璃基底上制备出性能优良的In2O3∶Mo(IMO)薄膜,但是随着基底温度的降低,IMO薄膜的电导率和可见光透射比都迅速减小.通过高频放电在反应气体中加入O3后,可以在室温下将In充分氧化成In2O3,极大地改善了IMO薄膜的透明性.而且,IMO薄膜的结晶程度也得到了小幅度提高,这有利于提高薄膜电导率.在不加热基底的情况下(约30℃),制备的约400nm厚的IMO薄膜的电阻率小于5×10-2Ω*cm;在基底温度为100℃时电阻率可以小于2×10-3Ω*cm;同时它们在可见光区域的总平均透射比(含1.2mm厚载玻片基底)都超过0.8.     

Type Inversion and Certain Physical Properties of Spray Pyrolysed SnO::A1Films for Novel Transparent Electronics Applications

Aluminium doped tin oxide films have been deposited onto glass substrates by using a simplified and low cost spray pyrolysis technique.The Al doping level varies between 0 and 30 at.%in the step of 5 at.%.The resistivity(ρ) is the minimum(0.38 Ω cm) for 20 at.%of Al doping.The possible mechanism behind the phenomenal zig-zag variation in resistivity with respect to Al doping is discussed in detail.The nature of conductivity changes from n-type to p-type when the Al doping level is 10 at.%.The results show that20 at.%is the optimum doping level for good quality p-type SnO_2:AI films suitable for transparent electronic devices.