SiO2对Tb3+掺杂ZnO1-xSx发光材料性能的影响

采用溶胶凝胶-沉淀法,制备以ZnO1-xSx-SiO2为基质掺杂Tb3+发光材料,并通过激发光谱、发射光谱以及红外光谱、X射线衍射等手段研究了材料的发光性质和结构,重点研究了SiO2掺入对发光材料发光性能的影响。结果表明:SiO2的掺入能显著地提高ZnO1-xSx-SiO2∶Tb3+发光材料的发光性能,并确定其最佳激发波长为377nm,最佳退火温度为800℃。结构研究确定了ZnO1-xSx-SiO2∶Tb3+发光材料中主要存在Si-O-Si键、Zn-S键和Si-O4基团,属于晶态。最后依据结构对材料发光机理进行了推测。     

静电纺丝技术制备一维LaPO4:Eu3+红光微纳米纤维

采用静电纺丝技术制备了Eu3+掺杂的LaPO4微纳米纤维.通过扫描电镜(SEM),X射线衍射(XRD),热重-差热(TG-DTA)及荧光光谱(PL)对所得样品进行了表征.样品焙烧800℃后的XRD图谱与单斜LaPO4的标准卡片JCPDS-35-0731基本吻合;在波长为409 nm的紫外光激发下,发射光谱由Eu3+的5D0-7FJ(J=1,2,3,4)特征发射组成,5D0-7F2(在618 nm处)跃迁最强,表现为Eu3+的红色特征发射;LaPO4:Eu3+微纳米纤维中Eu3+的最佳掺杂浓度为5 mol%.Eu3+的光致发光衰减曲线符合单指数行为,其寿命(τ)为3.7ms.     

SO_4~(2-)对BaSO_4-2SiO_2∶Eu~(3+)发光材料的影响

采用溶胶-凝胶法与沉淀法制备了以BaSO4-2SiO2为复合基质的掺杂稀土Eu3+的发光材料,表征了材料的结构,研究了材料的发光性质,重点研究了SO2-4的量对材料发光强度的影响。IR光谱显示:600℃退火处理后材料主要存在Si-O-Si键、Ba-O键和SO2-4基团。XRD测试证明:BaSO4以晶态形式存在,属单斜晶系,SiO2以非晶态形式存在。激发光谱和发射光谱图显示,当掺入的SO2-4量为n(SO2-4)=n(Ba2+)+3/2n(Eu3+)时,SO2-4能有效提高发光材料的发光强度,紫外-可见吸收光谱测试显示SO2-4有很强的吸收紫外光的能力,且其激发态的能级和激活剂激发态能级处于有效传递范围,故能将吸收的能量有效地传递于发光离子,有助于材料发光强度的提高,最后结合能级图对SO2-4的能量传递体进行了说明和探讨。     

YVO_4:Eu纳米微粒的合成及光谱性质研究

在水热条件下,以Y(NO3)3.6H2O,Eu2O3,NH4VO3,Na3C6H5O7.2H2O为原料合成了YVO4纳米微粒以及稀土离子Eu3+掺杂的YVO4:Eu纳米微粒,利用XRD,FE-SEM,TEM,HRTEM和SAED对所得产物的结构和形貌进行表征,并用FT-IR、F-4600对所得产物的光谱性质进行了分析.结果表明,产物为纯净的四方相YVO4,具有较为规则的饼状形貌,单个饼状YVO4纳米微粒的直径约为500nm.XRD图谱显示稀土离子Eu3+取代了Y3+进入YVO4晶体,但在纳米YVO4:Eu的荧光光谱上没有出现VO43-发射峰,这表明YVO4是良好的发光基质材料.水热合成方法简单易行,合成出的YVO4:Eu粒子荧光强度大且荧光强度稳定.     

溶胶-凝胶法和微波辐射法制备Mg2SiO4Mn2＋红色荧光粉制备及发光性质的研究

采用溶胶-凝胶法和微波辐射法制备了Mg2SiO4Mn2＋红色发光材料。研究了以Mg2SiO4为基质,在掺杂Mn2＋的情况下,微波合成时间和Mn2＋的掺杂浓度对发光性能的影响。选择最佳微波合成时间和Mn2＋的掺杂浓度,制备了在410nm激发下,发光中心位于690nm的红色发光材料。     

MCM41-CaTiO3∶Pr3+超细颗粒的制备及发光性能研究

通过溶胶-凝胶法合成了负载CaTiO3∶Pr3+的多孔SiO2复合材料,并探究了材料的最佳煅烧温度。利用SEM、XRD、FT-IR研究了材料的结构,采用荧光分光光度计检测了材料的发光性能,为选择合适的温度提供了依据。材料的激发波长为325nm和375nm;发射波长为613nm,对应于Pr3+的1 D2-3 H4跃迁。随着煅烧温度由500℃升高到1000℃,发光强度先增大后减小,在800℃发光最强,且由SEM电镜看出,合成的材料分布均匀,呈球形,颗粒尺寸在500nm左右,煅烧之后材料的形貌及颗粒尺寸并未发生明显变化。     

核-壳结构SiO_2@SrAl_2Si_2O_8∶Eu~(2+)粒子的制备及其性能

采用溶胶-凝胶法制备了核-壳结构SiO2@SrAl2Si2O8∶Eu2+粒子.经1000℃煅烧,在粒径约为350~400nm的单分散SiO2微球表面包覆了一层SrAl2Si2O8∶Eu2+.分别以X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、光致发光(PL)对合成产物进行了表征.XRD结果表明,SrAl2Si2O8∶Eu2+包覆层为六方相结构;SEM分析表明,在进行包覆后,核-壳结构SiO2@SrAl2Si2O8∶Eu2+粒子仍然呈良好的单分散状态;TEM分析表明,核-壳结构粒子存在明显的包覆层,其厚度约为20~30nm;激发和发射光谱测试表明,Eu2+有效地掺入了SrAl2Si2O8基质中,并具有良好的发光性能,SiO2@SrAl2Si2O8∶Eu2+的激发光谱峰值在361nm,发射光谱峰值在441nm,为Eu2+5d-4f跃迁.     

MCM41-CaTiO3:Pr3+超细颗粒的制备及发光性能研究

通过溶胶-凝胶法合成了负载CaTiO3:Pr3+的多孔SiO2复合材料,并探究了材料的最佳煅烧温度.利用SEM、XRD、FT-IR研究了材料的结构,采用荧光分光光度计检测了材料的发光性能,为选择合适的温度提供了依 据.材料的激发波长为325nm和375nm;发射波长为613nm,对应于Pr3+的1D2-3 H4跃迁.随着煅烧温度由500℃升高到1000℃,发光强度先增大后减小,在800℃发光最强,且由SEM电镜看出,合成的材料分布均匀,呈球形,颗粒尺寸在500nm左右,煅烧之后材料的形貌及颗粒尺寸并未发生明显变化.     

微反应器中LaPO4:Eu3+纳米棒的制备及表征

以Eu2O3、La(NO3)3·6H2O和NaHzPO4·2H2O为原料、乙二醇为溶剂,在微反应器中合成了铕掺杂磷酸镧(LaPO4:Eu3 )纳米棒.采用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和荧光光谱仪对LaPO4:Eu3 纳米棒的物相、微结构和荧光性能进行了表征.结果表明:LaP04:Eu3 纳米棒具有六方晶系的晶体结构,形貌为长度100nm左右,直径10nm左右的针状纳米棒,并且具有较强的荧光性能.     

高比表面积Ag掺杂SiO2气凝胶的制备及表征

以正硅酸乙酯（TEOS）为前驱体,硝酸银为掺杂剂,采用酸碱两步催化sol—gel方法,获得掺杂纳米Ag微晶的SiO2气凝胶,其中银的掺入量在1％-30％wt范围内可控。用红外光谱（IR）、透射电子显微镜（TEM）、X射线荧光（XRF）、X射线衍射（XRD）和比表面积仪（BET）技术分析了气凝胶的结构组成和掺杂物质的存在形式。测量显示,Ag—SiO2气凝胶平均孔径在15nm左右,比表面积在500m^2／g以上;掺杂物以单质银微晶形式存在,微晶大小在50nm左右。     

煅烧温度对红色长余辉发光材料Sr_3Al_2O_6:Eu~(2+),Dy~(3+)性能的影响

采用溶胶凝胶法合成了Sr3Al2O6:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料,利用X射线衍射仪(XRD)对材料的物相进行了分析,采用荧光分光光度计、照度计测定了样品的发光特性。XRD结果表明:随着煅烧温度的升高,SrCO3杂相的衍射峰越来越弱,Sr3Al2O6相的衍射峰越来越强,1200℃时发光基质为纯的Sr3Al2O6相,1250℃时出现新的SrAl2O4杂相。激发光谱和发射光谱结果表明:长余辉发光材料的激发峰位于473nm,发射峰位于612nm,归属于Eu2+的4f65d1→4f7特征发光。温度升至1250℃时,Eu2+的发射峰为612nm和520nm,后者归属于Eu2+在发光基质SrAl2O4中的发光。综合分析得制备Sr3Al2O6:Eu2+,Dy3+发光材料合适的煅烧温度为1200℃,在此温度下,材料具有较好的初始亮度和余辉时间。     

微波水热合成球形Al_2O_3：Eu~（3＋）及发光性能研究

采用微波水热法制备Al2O3∶Eu3＋红色发光材料。通过XRD、SEM和荧光光谱对系列样品的物相、形貌、发光性质进行表征。XRD测试结果表明合成的样品为γ-Al2O3;SEM显示样品形貌为片组装成的微球;光致发光测试表明,Al2O3∶Eu3＋的发射以594nm的5 D0→7F1磁偶极跃迁为主,最佳激发波长为394nm。随着掺杂浓度的增大,样品5 D0→7F2电偶极跃迁强度变大,掺杂量为0.09%（摩尔分数）的样品在618nm的5 D0→7F2电偶极跃迁强度明显提高。     

Eu在羟基磷灰石中的掺杂及其发光性能研究

本文采用化学沉淀法制备了Eu3+掺杂的羟基磷灰石材料(HAP∶xEu),使用X射线衍射、红外光谱以及荧光光谱等对其结构及发光特性进行了研究。分析表明,制备得到的掺杂羟基磷灰石具有晶态结构,其红外谱中出现隶属于OH-、PO3-4的特征振动峰。光谱分析结果表明,在394nm波长激发下,掺杂Eu的羟基磷灰石样品的荧光发光强度和荧光寿命呈现随掺杂浓度的增加相反的变化趋势:发光强度增加6倍同时其荧光寿命却下降了约30%。此外,样品中电偶极跃迁与磁偶极跃迁强度之比(IR/IO)随Eu3+掺杂浓度增加表明Eu占据羟基磷灰石晶格中的CaⅡ不对称位点的比例大于占据CaⅠ对称位点的比例,并可受到掺杂量的影响。     

氧化锌基红色稀土发光材料的制备研究

以氧化锌为主要原料,采用湿法制备前驱物,在800℃高温煅烧前驱物制备ZnO:Eu,Li的红色稀土发光材料.通过荧光光谱(PL-PLE)分析,所得产物存在595nm和612nm两个发射波长,其强峰值在595nm处.XRD分析表明掺杂元素锂(Li)和铕(Eu)绝大部分进入ZnO的晶格中,Eu3 是发光中心,Li 在其中起敏化剂作用,能够促进Eu3 掺杂进入ZnO晶格,有效地增强了能量在ZnO与Eu3 间的传递,使Eu3 的发光显著增强.与干法制备前驱物相比,湿法能克服一般高温固相法存在的缺点,制得粒度分布均匀且性能优良的发光粉体.     

纳米级发光粉体YVO4∶Eu的合成及光谱性质研究

采用柠檬酸作为络合剂,通过络合溶胶-凝胶法制备出纳米级的钒基发光材料YVO4∶Eu,并利用TEM,红外光谱以及荧光光谱对其进行研究.结果表明:用这种方法制备的YVO4∶Eu粉体粒径在100nm以下;与大颗粒的粉体相比,由于量子尺寸效应的影响, 纳米级YVO4∶Eu的红外光谱发生明显的蓝移现象,而其发射光谱以及激发光谱未发生显著变化,可发出较纯正红光.     

Ba2+离子对Sr2Al2SiO7:Eu2+荧光体微结构及发光性能的影响

采用复合胶体喷雾工艺制备了Ba2 离子掺杂的Sr2-xBaxAl2SiO7:Eu2 (x=0、0.1、0.2、0.4)荧光体.研究了Ba2 离子在基质Sr2Al2SiO7中的取代位置和机理,分析了Ba2 离子取代Sr2 离子对基质微结构及Sr2Al2SiO7:Eu2 荧光体发光性能的影响.XRD结果表明Ba2 离子取代Sr2 格位进入Sr2Al2SiO7晶格,导致晶胞体积增大.进入Sr2Al2SiO7晶格的Ba2 离子由于电负性较大,处在其周围的Eu2 离子外层电子受Ba2 离子影响,电子云膨胀,使发光波长发生红移.同时,掺入Ba2 离子后Sr2-xBaxAl2SiO7晶场强度增强,晶体场对Eu2 离子5d能级的劈裂程度增大,劈裂重心下降.Ba2 离子掺杂的Sr2-xBaxAl2SiO7:Eu2 (x=0、0.1、0.2、0.4)荧光体发射主峰位于520nm,与未掺杂Sr2Al2SiO7:Eu0.022 荧光体的发射峰相比出现红移.     

Eu~(3+)掺杂YBO_3-2SiO_2发光材料的制备及发光性质

采用溶胶-凝胶法制备了掺杂铕离子(Eu~(3+))的硼酸钇(YBO_3)-2二氧化硅(2SiO_2)的红色发光体,通过X射线粉末衍射仪(XRD)、红外光谱(FT-IR)、激发和发射光谱表征和研究了样品的结构和发光性能,确定制备该发光体所需的最佳退火温度为900℃;样品在612nm监测波长下,最佳激发波长为395nm,Eu~(3+)的最佳掺杂量为9%(摩尔百分数)。FT-IR、XRD测试表明,温度达到900℃时,晶体处于晶型转变,此时最有利于钇离子(Y~(3+))、Eu~(3+)的掺杂,样品发光最好。在1000℃时,样品大的三维网结构被破坏,不利于Eu~(3+)的掺杂和发光。     

纳米级发光粉体YVO4：Eu的合成及光谱性质研究

采用柠檬酸作为络合剂．通过络合溶胶一凝胶法制备出纳米级的钒基发光材料YVO4：Eu，并利用TEM，红外光谱以及荧光光谱对其进行研究。结果表明：用这种方法制备的YVO4：Eu粉体粒径在100nm以下；与大颗粒的粉体相比，由于量子尺寸效应的影响，纳米级YVO4：Eu的红外光谱发生明显的蓝移现象，而其发射光谱以及激发光谱未发生显著变化，可发出较纯正红光。     

Eu3+掺杂对Li2BaSiO4荧光粉发光性能的影响

采用凝胶-燃烧法制备了Li2BaSiO4∶Eu3+红色荧光粉。用X射线衍射分析(XRD)表征了Li2BaSiO4∶Eu3+荧光粉的结构,重点考察了激活剂Eu3+的浓度对Li2BaSiO4∶Eu3+发光强度的影响。结果表明,Li2BaSiO4∶Eu3+荧光粉为六方晶系结构。以394nm的近紫外光激发样品,Li2Ba1-xSiO4∶xEu3+荧光粉发红光,其中以614.4nm发射峰发光最强。在800℃灼烧3h条件下,当Eu3+的浓度为5.5%时,Li2BaSiO4∶Eu3+荧光粉的发光性能最佳。Eu3+的掺杂对Li2BaSiO4∶Eu3+荧光粉的发射光谱的峰形和峰位无明显影响。     

Ba^2＋离子对Sr2Al2SiO7∶Eu^2＋荧光体微结构及发光性能的影响

采用复合胶体喷雾工艺制备了Ba2＋离子掺杂的Sr2-xBaxAl2SiO7∶Eu2＋（x=0、0.1、0.2、0.4）荧光体。研究了Ba2＋离子在基质Sr2Al2SiO7中的取代位置和机理,分析了Ba2＋离子取代Sr2＋离子对基质微结构及Sr2Al2SiO7∶Eu2＋荧光体发光性能的影响。XRD结果表明Ba2＋离子取代Sr2＋格位进入Sr2Al2SiO7晶格,导致晶胞体积增大。进入Sr2Al2SiO7晶格的Ba2＋离子由于电负性较大,处在其周围的Eu2＋离子外层电子受Ba2＋离子影响,电子云膨胀,使发光波长发生红移。同时,掺入Ba2＋离子后Sr2-xBaxAl2SiO7晶场强度增强,晶体场对Eu2＋离子5d能级的劈裂程度增大,劈裂重心下降。Ba2＋离子掺杂的Sr2-xBaxAl2SiO7∶Eu2＋（x=0、0.1、0.2、0.4）荧光体发射主峰位于520nm,与未掺杂Sr2Al2SiO7∶Eu0.022＋荧光体的发射峰相比出现红移。