Cu－Zn－Al合金贝氏体的三个生长阶段及其精细结构研究

利用透射镜研究了Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ合金贝氏体ａ＿１相在相变过程中的精细结构变化，发现贝氏体的生长经历三个阶段：初生态、中间态和退化态。初生贝氏体内不含层错亚结构，ａ＿１依台阶机制长大到一定程度后，内部出现层错；随转变进一步进行，ａ＿１内的层错结构逐渐消失，发生“过退火”，最终向平衡相转变。     

Cu—Zn贝氏体α1及平衡相α的加厚动力学

利用透射电镜温台观察了Cu—Zn合金等温转变产物的加厚动力学。发现初期产物贝氏体α_1的加厚具有明显的层错面间扩展或层错切变性质。经长时间“过退火”后,α_1内部层错亚结构消失,“退化”为平衡相α。无层错约束的α的加厚表现为体扩散加厚特性。     

关于Cu—Zn—Al贝氏体相变的阶段性—亚结构与体转变激活能

从Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ合金相变产物的形貌与亚结构的特征着手分析了贝氏体相变的阶段性。测定了贝氏体相变阶段的体转变激活能并讨论了贝氏体相变的性质。     

秦岭—大别榴辉岩中绿辉石的显微结构特征

本文对秦岭－大别山高压超高压变质带中的绿辉石进行了高分辨电镜研究。绿辉石的超微结构以Ｐ２有序结构为主，其次为Ｐ２／ｎ次有序结构和Ｃ２／ｃ无序结构。并观察到绿辉石的Ｐ２或Ｐ２／ｎ结构的反相畴界及π层错；Ｃ２／ｃ结构中１／２（ａ＋ｂ）或１／２＜１１０＞的反相畴结；构有序绿辉石中的位错斜壁和低角度亚晶界；绿辉石的有序无序结构的相转变及晶畴结构。由电子衍射和高分辨像的分析结果表明，三个不同地区的绿辉石是在     

Hg1—xCdxTe多层薄膜材料结构缺陷的透射电子显微镜测定

用透射电镜对Ｈｇ１－ｘＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ和ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ两种异质结的横截面进行了观测分析，对异质结附近的某些结构缺陷，如微孪晶的尺寸，几何形态、层错、界面失配位错的组态特征进行了研究，并对多层膜之间的取向差进行了分析，说明在ＧａＡｓ衬底上用分子束外延法制备的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ多层膜，就大量结构缺陷而言，ＣｄＴｅ缓冲层对Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延层起到了屏障作用，在Ｈｇ１－ｘ     

自对准结构α—Si：H TFT特性的分析和研究

本文描述了用自对准工艺制备自对准结构的αＳｉ：Ｈ ＴＦＴ。从理论上分析了有源层α－Ｓｉ：Ｈ的厚度对α－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ特性的影响，据此提出一种新型的双有源层结构的α－Ｓｉ ＴＦＴ。它可以有效地提高自对准αＳｉ：Ｈ ＴＦＴ的开态ＩＯＮ，其通断电流比ＩＯＮ／ＩＯＦＦ＞１０＾５。     

硅中层错带中空位的电子态

计算了硅中带状层错中的空位电子态，所使用的Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法是建立在原子轨道线性组合法的基础上，考虑了ｓ－ｐ－，ｄ－型十个原子轨道．用Ｌａｎｃｚｏｓ法得到了带隙及带连续态中的电子态，局域态密度是用连续连分数来表示的．硅中理想空位的三重简并态分裂为三个能级．从价态顶算起，它们的能量分别为－０．３，０．３，１．７ｅＶ．价带顶之上０．３ｅＶ的带隙态同纯层错中发现的电子态相似，但局域态密度要高一些．价带顶之上１．７ｅＶ的在导带中的电子态是一个强共振态．价带顶之下０．３ｅＶ的价带中的电子态则是一个弱共振态     

本征α—Si：H MIS结构电导机制

利用本征α－Ｓｉ：Ｈ薄膜材料制成了Ａｌ－Ｓｉ１－ｘＮｘ－α－Ｓｉ：Ｈ金属－绝缘体－半导体结构，用高精度差分电容谱仪在５０℃和暗背景条件下测量了这种结构的变频电容谱及变电导谱。讨论了该ＭＩＳ结构可能存的电导机制，计算了禁带态能谱并根据修正后的实验结果得到了其浮获电子的时间常数及截面。     

自对准结构α－Si：HTFT特性的分析和研究

本文描述了用自对准工艺制各自对准结构的α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ。从理论上分析了有源层α－Ｓｉ：Ｈ的厚度对α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性的影响，据此提出一种新型的双有源层结构的α－ＳｉＴＦＴ。它可以有效地提高自对准α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的开态Ｉ＿（ＯＮ），其通断电流比Ｉ＿（ＯＮ）／Ｉ＿（ＯＦＦ）＞１０￣５。     

Mg—Gd—Y—Zn合金400℃热处理过程中长周期堆垛结构的形成

利用扫描电镜背散射电子像、透射电镜观察及能谱分析,研究了铸态MgGd1.8Y0.8Zn0.7（at．％）在400℃热处理前后结构的变化。结果发现,400qC热处理可导致铸态合金中初生Mg3Gd型第二相的部分分解及长周期堆垛结构（LPS）的形成。热处理形成的LPS结构为畸变的6H型,多存在于Mg3Cd型相及Mg5RE型相的前沿,并与较密集的堆垛层错（SV）组成一个富Zn元素的混合区——（SF＋LPS）区。Mg5RE型相存在于热处理后的合金中,具有fcc结构,与Mg基体有确定的取向关系,其与（SF＋Lps）区的相界处存在一个宽约10nm的过渡层。     

氢化非晶硅带隙态密度光诱导变化的研究

报导了与Ｓｔａｅｂｌｅｒ－Ｗｒｏｎｓｋｉ效应相关的氢化非晶硅（α－Ｓｉ：Ｈ）带隙态密度的光诱导变化，结果表明光照将使α－Ｓｉ：Ｈ带隙上半部分态密度的分布发生变化，采用ＡＭ１太阳光谱＊光照两小时使得导带迁移率边以下０．７ｅＶ处的带隙态密度从４×１０１６ｃｍ－３ｅＶ－１，增大到１×１０１７ｃｍ－３ｅＶ－１。     

本征α—Si：H中隙态的时间常数及俘获截面

制成一批本征α－Ｓｉ：Ｈ的金属－绝缘体－半导体结构；用高精度密差分电容谱仪测量了这种结构在５０℃时的电容，电导谱，通过修正获得了由隙态决定的电导并求得了隙态俘获电子的时间常数及截面。     

关于Cu－Zn－Al贝氏体相变的阶段性──亚结构与体转变激活能

从Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ合金相变产物的形貌与亚结构的特征着手分析了贝氏体相变的阶段性。测定了贝氏体相变阶段的体转变激活能并讨论了贝氏体相变的性质。     

加弧辉光离子渗钛层相组成的研究

本文采用加弧辉光离子渗金属技术，实现了在不同含碳量普通碳钢表面的渗钛。对渗层合金元素的分布进行了测定；并应用Ｘ射线衍射及透射电镜测试方法，研究了渗钛层的相组成及相分布。分析结果表明：在低碳钢（０．１ｗｔ．％Ｃ）试样表面形成的渗层为固溶了一定钛元素的合金铁素体α相，同时含有ξ－ＦｅＴｉ中间相及碳化物γ－ＴｉＣ，当含碳量高时（０．６，１．２ｗｔ．％Ｃ），试样表面形成以碳化物γ－ＴｉＣ为主的化合物渗层。     

试样薄化导致的Cu－Al贝氏体／马氏体组织变化

加热到１１７３Ｋ的Ｃｕ－２５ａｔ；％Ａｌ合金块状试样经７２３Ｋ６０Ｓ等温淬火后其组织由片状的“羽毛状贝氏体（９Ｒ结构）和β＿１＇马氏体（１８Ｒ结构）组成。当试样被离子束轰去进一步薄化后，在足够薄的区域内生成了许多２Ｈ结构的薄片马氏体。初步分析认为该薄片马氏体形成的原因是由于贝氏体生成时在试样内留下了高的应力场，当试样薄化到一临界厚度以下时，试样区的三维约束条件松弛使试样内的应力场触发了薄片马氏体的生成。这些薄片马氏体是通过位于贝氏体界面上位错的重新启动而长大的。     

γ′相的尺寸梯度对富钴镍基高温合金变形机制的影响

本文借助像差校正透射电子显微镜研究了富钴镍基高温合金在高温拉伸变形过程中不同尺度的γ′相对合金变形机制的影响。研究发现,随着γ′相尺寸的增加,基体位错以位错对的方式切割γ′相逐渐转变为以Orowan机制绕过γ′相,并在其周围形成位错环;而不全位错能否切入γ′相主要取决于层错的类型(内禀或外禀),与γ′相的尺寸无关。同时发现,层错之间的交互作用能够促使内禀层错转变为外禀层错并可逐步增加错排片层数量,最终演变为可剪切所有尺寸γ′相的变形孪晶。本文对γ′相尺寸效应的影响以及层错转变为孪晶的过程的研究将有利于对后续合金设计提供理论参考。     

金属氧化膜电阻器电阻温度系数的改善

导致金属氧化膜电阻器失效的主要因素是膜层结构变化、电解和接触部分老化。为了减少失效，改善电阻温度系数α，在生产实践中控制工艺参数及关键工序（镀膜、热处理、刻槽、涂漆）的质量，其中重点是镀膜。通过调整镀膜靶材，Ｈ靶：α从大于１５０×１０－６℃－１调整在±６０×１０－６℃－１之内；Ｆ靶：α从大于２００×１０－６℃－１调整在±１２０×１０－６℃－１之内，提高了金属氧化膜电阻器的可靠性。     

α-Cu2Se的显微缺陷结构

本文利用球差校正电镜对Cu₂Se低温α相的显微缺陷结构进行精细表征。α-Cu₂Se呈层状特征，其中Se构成了刚性亚晶格，Cu离子有序填充于{111}_c晶面之间形成了交替分布的富Cu层和贫Cu层。层间滑移是导致超结构出现的主要原因。在Cu₂Se从高温β相到低温α相的结构转变过程中，由于对称性破缺和Se刚性亚晶格的保留，Cu离子在不同区域的有序性差异使得α-Cu₂Se中存在大量共格连接的畴结构。实验结果有助于更全面地理解α-Cu₂Se的显微缺陷结构。     

MOCVD生长GaN的喇曼散射谱

对在ＧａＡｓ（００１）、Ａｌ２Ｏ３（０００１）和Ｓｉ（１１１）等衬底上ＭＯＣＶＤ技术生长的ＧａＮ薄膜进行了背散射几何配置下的喇曼散射测试分析和比较，观察到了α相ＧａＮ的Ａ１（ＬＯ）模、Ａ１（ＴＯ）模、Ｅ１（ＬＯ）模和Ｅ２模．结合Ｘ射线衍射谱，分析了因不同生长工艺导致ＧａＮ／ＧａＡｓ样品的不同结构相的喇曼谱的差异，发现ＧａＮ的喇曼谱与ＧａＮ外延层的结构相、完整性及工艺条件有关，可利用其作为检测ＧａＮ外延层结构特性的一种有用手段．对含有少量β相ＧａＮ样品，观测到了包含有β相ＧａＮ贡献的声子模式（７４０ｃｍ－１）．     

用高分辨率电子显微技术研究Ⅲ族氮化物半导体的特性

利用高分辨率电子显微技术研究了等离子体增强分子束外延（ＰＥ－ＭＢＥ）生长的ＧａＮ，ＡｌＮ和ＩｎＮ薄膜的微结构特性。闪锌矿和纤锌矿多晶相分别在（００１）ＧａＡｓ和（０００１）６Ｈ－ＳｉＣ衬底上优先成核。沿｛１１１｝平面的层错和微孪晶是闪锌矿结构薄膜的主要缺陷，而在纤锌矿结构薄膜中，以沿｛０００２｝平面的层错和始于衬底表面的线缺陷更为常见。在适宜的缓冲层上生长的薄膜晶体质量有所提高