SiO＿2－PbO玻璃的EPMA定量分析方法

ＳｉＯ＿２－ＰｂＯ玻璃的定量分析方法，是一项国际合作研究课题，我们是中国的唯一参加者。本文阐述了我们在ＥＰＭＡ定量分析过程中的样品制备方法、分析条件、标样选择及定量修正的计算方法等，并给出了我们及其他国家各实验室的ＥＰＭＡ定量分析结果和偏差。我们的分析结果与公布的标准结果十分接近。     

一种高速CMOS SRAM读出灵敏放大器的设计

提出了一种ＣＭＯＳ ＳＲＡＭ读出灵敏放大器的新结构。该放大器同传统的ＰＭＯＳ电流镜放大器和ＰＭＯＳ交叉耦合放大器相比，具有速度快、增益大、功耗小等特点，可广泛应用于ＳＲＡＭ的设计中。最后，用ＨＳＰＩＣＥ的仿真结果证明了该设计的正确性及其优点。     

DEM技术中微复制工艺研究

利用ＤＥＭ（Ｄｅｅｐｅｔｃｈｉｎｇ，Ｅｌｅｃｔｒｏｆｏｒｍｉｎｇ，Ｍｉｃｒｏｒｅｐｌｉｃａｔｉｏｎ）技术获得的微复制金属模具进行了微复制工艺研究。对微复制工艺参数进行了优化，在ＰＣ、ＰＭＭＡ和ＰＯＭ塑料上获得了高深宽比的微结构，并对ＰＣ、ＰＭＭＡ和ＰＯＭ和不同图形的微复制效果进行了比较。     

双固相外延技术及高性能1μmCMOS／SOS器件的研究

本文较为详细地介绍了能有效地改善ＳＯＳ材料结晶质量的双固相外延ＤＳＰＥ工艺，给出了优化的工艺条件．通过比较用ＤＳＰＥ及普通ＳＯＳ材料制作的ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件和电路的特性可以看出，采用ＤＳＰＥ工艺能显著改善ＳＯＳ材料的表面结晶质量，应用ＤＳＰＥ工艺在硅层厚度为３５０ｎｍ的ＳＯＳ材料上成功地研制出了沟道长度为１μｍ的高性能ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件和电路，其巾ＮＭＯＳＦＥＴ及ＰＭＯＳＦＥＴ的泄漏电流分别为２．５ｐＡ和１．５ｐＡ，１９级ＣＭＯＳ／ＳＯＳ环形振荡器的单级门延迟时间为３２０ｐｓ．     

单模光纤偏振模色散的测试

偏振模色散在近年来成为光纤光缆的一个重要特性参数。本文着眼于ＰＭＤ测试的原理和方法，首先指出注重ＰＭＤ的统计特性是进行ＰＭＤ测试的一个重要原则；绾而按频域和时域对测试ＰＭＤ的方法进行分类，并分析了目前常用的几种ＰＭＤ测试方法，例如ＪＭＥ，ＷＳＥＣ，ＰＳＰ，ＩＦ，ＷＳＦＦＴ和ＰＯＴＤＲ法，讨论了它们各自的优缺点。最后对这些测试方法进行了有益的比较。     

在EPMA中有关标样问题

本文讨论了在ＥＰＭＡ中，标样的化学组成和晶体结构对分析结果的影响。     

同步数字系列网络的加强性能监视体系结构

现有的高速网络性能监视和测试设备缺乏调节快速２网络状况信息以保证网络的完整性和同步性。本文介绍了一种新的加强性能测试／监视的体系结构，该结构提供灵活的，集中的和分散的定量信息监视，分析和说明，以支持同步数字系列的管理。本文为采用现有ＳＤＨ接口，试验工具及支持ＥＰＭＡ的网络分析设备提供资料，并提出了将现有ＳＤＨ网络个性成提供ＥＰＭＡ的功能性的思路。同时介绍的还有在模型ＳＤＨ网络上采用现有的ＥＰＭＡ定     

消除E10交换机SMM站故障文件超量告警的方法

消除Ｅ１０交换机ＳＭＭ站故障文件超量告警的方法天津市市内电话局申路在ＡＬＣＡＴＥＬ１０００Ｅ１０型ＯＣＢ２８３交换机中，ＳＭＭ站常出现“ＭＡＸＴＨＥＲＥＳＨＯＬＤ－ＯＦＡ”告警，由于ＳＭＭ站是ＯＣＢ２８３交换机的核心，所以我们对其出现的告警十分重视，...     

微波GaAsFET功率放大器的一种建模与调计算方法

本文提出了一种利用测量ＡＭ－ＡＭ，ＡＭ－ＰＭ特性对微波ＧａＡｓＦＥＴ大信号建模式的方法。此外，利用测量或理论求得的ＡＭ－ＡＭ、ＡＭ－ＰＭ非线性特性，可进一步分析放大器的增益、互调性能，避免多音激励下进行测量或理论分析的麻烦。结果表明，理论与实验甚为一致。     

数据库数据完整性的实现

本文根据数据库系统开发及维护经验论述了数据库的完整性，并将ＯＲＡＣＬＥ７与几种主要关系数据库系统的完整性实现方法进行比较，重点介绍了ＯＲＡＣＬＥ７（目前已推出ＯＲＡＣＬＥ７．１）是如何实现完整性的。     

E^2PROM中PMOS管开启电压的工艺控制

采用实验研究的方法，通过比较分析阱注剂量，掺杂杂质类型及调整注入剂量对ＰＭＯＳ管开启电压的影响。很好地解决了开启电压的工艺控制问题，同时又保证了ｐｎ结击穿电压的要求，满足了Ｅ＾２ＰＲＯＭ研制的需要。     

注F MOSFET漏电流的辐照和退火行为

分析研究了不同偏置辐照和退火条件下，Ｐ沟和Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的漏电流变化特性。结果表明，ＰＭＯＳＦＥＴ的辐射感生漏电流与栅偏压的依赖关系类似于辐照陷阱电荷的栅偏压关系；注ＦＰＭＯＳＦＥＴ的辐射感生漏电流增长小于未注Ｆ样品；ＮＭＯＳＦＥＴ辐照后漏电流随时间的退火呈现下降、重新增长和趋于饱和的特征，注Ｆ对退人过程中漏电流的重新增长有一定的抑制作用。     

FOXBASE的PCX图像接口

给出一种ＦＯＸＢＡＳＥ的ＰＣＸ图像接口的实现方法，该方法通过ＦＯＸＢＡＳＥ的汇编语言接口来实现在ＦＯＸＢＡＳＥ下直接显示ＰＣＸ图像，具有占有内存空间小，执行速度快及用户界面友好等特点。     

ORACLE RDBMS进程结构的研究

本文介绍了ＯＲＡＣＬＥ进程种类和功能，分析了ＯＲＡＣＬＥ的单任务结构和双任务结构，以及相关的影子进程和程序接口的功能，使ＯＲＡＣＬＥ的高级用户更好地了解ＯＲＡＣＬＥ的实现机理，提高ＯＲＡＣＬＥ的性能。     

O2反应离子深刻蚀PMMA

高深度比结构是提高微器性能的重要环节之一。利用ＲＩＥ深刻技术和工具有高深宽比结构的图形,方法简单：它不像ＬＩＧＡ技术那样,需昂贵的同步辐射光源和特制的掩模板,对光刻胶的要求也不是特别高,利用这种技术深刻蚀ＰＭＭＡ膜,以Ｎｉ作掩模,采用普通的光刻胶曝光技术和湿法刻蚀的方法将Ｎｉ掩模图形化,然后利用Ｏ２ＲＩＥ技术刻蚀ＰＭＭＡ,可以得到深度达１００μｍ,深度比大于１０的微结构,图形表面平整,侧壁光滑垂直     

微波GaAs FET功率放大器的一种建模与互调计算方法

本文提出了一种利用测量ＡＭ－ＡＭ、ＡＭ－ＰＭ特性对微波ＧａＡｓＦＥＴ大信号建模的方法．此外，利用测量或理论求得的ＡＭ－ＡＭ、ＡＭ－ＰＭ非线性特性，可进一步分析放大器的增益、互调性能，避免多音（射频）激励下进行测量或理论分析的麻烦．结果表明，理论与实验甚为一致．     

电离辐射引起MOSFET跨导退化的机制

通过研究６０Ｃｏｒ射线对ＭＯＳＦＥＴ跨导的影响，定性描述了辐照栅偏置条件以及氧化物电荷积累和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度增加分别与ＮＭＯＳＦＥＴ和ＰＭＯＳＦＥＴ跨导衰降之间的依赖关系。试验表明，对于ＰＭＯＳＦＥＴ，电离辐射感生氧化物正电荷累和界面太度增加降导致器件跨导退化。对于ＮＭＯＳＦＥＴ来说。这种退化只与辐射感生界面态密度增长有关。     

MOSFET电离辐射感生跨导退化的简单模型

本文提出了一个能有效反映辐射感生氧化物电荷积累和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度增加分别对ＭＯＳＦＥＴ跨导退化影响的简单模型．通过模型与实验结果比较，讨论了不同沟道类型ＭＯＳＦＥＴ（ＮＭＯＳＦＥＴ和ＰＭＯＳＦＥＴ）跨导退化的机制．     

小型TEACO2激光器的锁定技术研究

对小型ＴＥＡＣＯ２激光器的注入锁定技术和混事式锁技术进行了理论分析，指出了这两处锁定 缺点，提出了一种新型的用复合腔注入锁定方法来锁定小型ＴＥＡＣＯ２激光器，给出了复合腔注入锁定的实验结果。     

新一代功率计

ＨＰ推出了包括ＥＰＭ系列功率计和Ｅ系列功率传感器在内的新一代功率计组合。其中ＥＰＭ功率计分为ＥＰＭ441Ａ单通道功率计和ＥＰＭ442双通道功率计;Ｅ系列传感器分为ＥＣＰＥ18Ａ功率传感器(10ＭＨｚ～18ＧＨｚ)和ＥＣＰＥ26Ａ功率传感器(50ＭＨｚ～26.5ＧＨｚ)。新一代功率计组合可以与原先的功率传感器兼容。ＥＰＭ功率计完全与ＨＰ8480系列功率传感器兼容,ＨＰ8480系列传感器与ＥＰＭ功率计组合,构成工作频率范围为100ｋＨｚ～110ＧＨｚ(因传感器而定)的功率测量系统;ＥＰＭ功率计的高度和宽度与ＨＰ437Ｂ和ＨＰ438Ａ相同,因此,在机架…