一种新型芯片粘接用导电银胶的性能研究

制备了一种由环氧树脂基体、咪唑类固化剂、微米级银粉和活性稀释剂体系构成的导电银胶。该导电银胶的常温体积电阻率为3.7×10~(-4)Ω·cm,搁置寿命大于48 h,粘度适中,耐热散热性能良好。将该导电银胶应用在3种引线框架并考察其可靠性,结果表明导电银胶与无镀层框架的粘接性最好,但在高温时各框架的粘接性相差不大。同时考察了该导电银胶应用于LGA封装的芯片粘接效果,封装后界面无气泡和分层现象。     

导电银胶触变性的研究

以环氧树脂为基体,银粉为填料,制备出IC封装用导电银胶。研究了环氧树脂与银粉的比例、银粉的形貌和粒径以及触变剂SiO2的用量对导电银胶触变性的影响。结果表明,银胶触变性随树脂/银粉质量比的减小而增大,当其为0.2时,触变指数达到5.68。在一定粒径范围内,银胶的触变性与银粉粒径呈反比关系;银胶触变性随SiO2的用量增大而增大。     

鸡蛋清中金霉素残留的银胶表面增强Eu(III)的荧光检测

鸡蛋清中残留的金霉素(CTC)易进入人体内蓄积,从而对人体的健康产生损害。研究表明,银胶能作为表面基底来修饰金霉素与Eu(III)的配合物,进而使配合物的荧光强度得到显著性的增强。本研究应用银胶表面增强Eu(III)的荧光来检测鸡蛋清中金霉素的残留量,分别分析了不同胶体、银胶的加入量、Eu(III)的加入量、反应时间等因素对荧光强度的影响,并确定了最佳的实验条件,在最佳条件下建立了以617 nm处的荧光特征峰强度(Y)与鸡蛋清中金霉素含量(X)之间的标定曲线。结果表明:鸡蛋清中金霉素浓度范围在1.5~29.5 mg/L时,鸡蛋清中金霉素含量与荧光强度之间呈现良好的线性关系,线性方程为Y=5.2265X+24.033,决定系数R2为0.9043,实测值与预测值之间的R2=0.9182。可见用银胶表面增强Eu(III)的荧光来快速检测鸡蛋清中金霉素的残留量是可行的。     

中温固化胶及其胶接电子柜的可靠性

本文研究了中温固化双组份环氧胶各组份和制备工艺与胶接性能的关系；该胶胶接铝型材电子机柜骨架的工艺，特别在胶接的耐久性与可靠性方面作了大量工作，经过十几年的生产使用证明其是完全可靠的。     

中温固化胶及其胶接电子机柜的可靠性

本文研究了中温固化双组份环氧胶各组份和制备工艺与胶接性能的关系；该胶胶接铝型材电子机柜骨架的工艺，特别在胶接的耐久性与可靠性方面作了大量工作，经过十几年的生产使用证明其是完全可靠的。     

中温固化环氧胶及其胶接电子机柜骨架的可靠性

文章论述了中温固化双组份环氧胶各组份和制备工艺与胶接性能的关系；对该胶胶接铝型材电子机柜骨架的胶接接头的可靠性作了大量试验，十几年的生产使用证明胶接电子机柜是十分可靠的。     

锌白铜微米掺杂对纳米导电银胶性能的影响

纳米导电银胶因其便捷的使用条件被广泛地应用于芯片封装及电子制造业中,但纳米粒子容易团聚,导致导电银胶的导电性下降。为改善纳米银粒子的分散性,首次选用微米锌白铜颗粒对纳米银片进行掺杂改性,研究了纳米导电银胶中掺杂微米锌白铜颗粒对导电银胶导电性及热性能的影响。分析了不同接触类型的导电通路对纳米导电银胶导电性的影响。实验结果表明,锌白铜颗粒的加入可以改善纳米银片在环氧体系中的分散性,改善导电银胶导电性,当锌白铜添加量占填料质量分数的4%时,导电胶的体积电阻率可达1.68×10~(-4)Ω·cm。且锌白铜的加入有利于提升导电银胶的温度稳定性。当锌白铜添加量占填料质量分数的12%时,导电胶的平均电阻温度系数为0.0045/℃。     

激光烧蚀法制备纳米银胶体及其特征研究

利用Nd：YAG激光器1064nm激发光照射金属Ag表面，通过控制光照时间，制备出纳米金属Ag胶体。利用透射电子显微镜(TEM)，对胶体Ag粒子的尺寸及形态进行观测表明，这些胶体为粒径介于5—35nm的纳米体系，并对其进行了紫外—可见吸收光谱的研究。对经过激光照射后的金属Ag表面进行了扫描电镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)的测量结果显示，该表面的组糙度平均为60nm。     

高导热烧结银胶的可靠性研究

市场对功率半导体器件的导热和导电性能要求越来越高,经过调查评估找到了一款纳米级烧结银胶。对该纳米级烧结银胶的粘结强度、导电性、调入性和可靠性进行了研究,并与普通铅锡焊料及普通导电胶进行了对比分析,发现纳米级烧结银胶具备粘结强度超强、平均剪切强度稳定、导热导电性能高等特点,并且在经历严格的热应力和机械应力试验后,其粘结强度、导电导热性能保持稳定,没有下降的现象。因此,高导热纳米烧结银胶可作为导热性要求极高的高可靠性应用领域的一种理想材料。     

纳米金胶体的制备及其对血液光吸收性的影响

纳米金是指粒径介于1~100 nm之间的金粒子,具有良好的生物兼容性、结构稳定性和光学性质,可用于强化激光治疗血管性皮肤病的光吸收。采用柠檬酸钠还原法制备纳米金胶体,研究了温度、加热时间、柠檬酸钠还原剂用量等因素对其粒径和吸收光谱的影响,得到了制备纳米金胶体的最佳条件。取制备得到的粒径为16 nm左右的纳米金胶体与血液混合后稀释,研究了胶体金对血液光吸收性能的影响及其随温度的变化规律。结果表明,加入胶体金后血液的光吸收性能随着加入体积比的增大而增强,当胶体金与血液的体积比为5时,血液在545 nm和581 nm处的吸收峰值分别提高了1.33倍和1.09倍。在变温条件下,胶体金不会对血液的动态吸收特性产生影响。     

光镊--研究分散体系的新手段

光镊能够稳定捕获微米、亚微米量级粒子的特性，使得人们可以在粒子层次上直接研究它们之间的相互作用，从而为深入认识分散体系的各种宏观性质的微观机制开拓了有效的研究途径。本文对光镊出现以后，它在分散体系研究中的一些重要进展作了综合评述，并对光镊在该领域的应用进行了展望。     

蓝宝石衬底片化学机械抛光的研究

为了提高蓝宝石化学机械抛光（CMP）效果，对其抛光工艺进行了研究。采用SiO2磨料对蓝宝石衬底片进行抛光，分析了抛光时的温度、pH条件、磨料粒径及浓度，结果表明，采用80nm大粒径、高浓度的SiO2磨料，既可以保证抛光速率，又能得到良好的表面状；当pH值在10～12时，可加速蓝宝石在碱性条件下的化学反应速率，从而提高抛光速率；在30℃时，能较好地平衡化学作用与机械作用，获得平滑表面；加入适量添加剂，可增大反应产物的体积，易于提高机械作用的效果，以获得较高的去除速率。     

微胶体推进器起始工作电压的估计方法研究

提供了一种考虑到微制造工艺实际的对微胶体推进器的起始电压进行估计的方法。本方法的关键在于把基于深度干法腐蚀的微推进器的两极简化成一组双曲等势面中的两个 ,利用拉麦方程得到微推进器两极间静电场分布的近似解。进而分析微胶体推进器源极顶端工质液滴的静电力和表面张力的平衡 ,得到微胶体推进器的起始工作电压。按照工作电压的估计方程 ,基于ICP腐蚀 ,设计了 4种微胶体推进器。利用悬臂梁和电涡流微位移传感器对微推进器的测试结果表明 ,利用该方法对微胶体推进器起始电压进行的估计和实际测试结果有很好的一致性     

Electroless Cu deposition process on TiN for ULSI interconnect fabrication via Pd/Sn colloid activation

In this study, (100)-orientation silicon wafer coated with TiN barrier is catalyzed by a Pd/Sn colloid, which serves as an activator for electroless copper deposition. After activation, electroless deposition of Cu occurs on the catalytic surface. The coverage of the Cu deposit reaches 100% and the adsorptive amount of Pd is greatly increased by the conditioning process. The correlation between deposition rate, resistivity, morphology, crystal structure, and composition of the deposit when varying the temperature of the plating bath is discussed. The deposition rate of Cu is monitored by both the electrochemical method and the profilometer (α-step), while the other properties of the deposit are measured by four-point probe, scanning electron microscopy (SEM), x-ray diffraction (XRD), and Auger electron microscopy (AES). Deposition at 70°C is favorable due to the higher deposition rate, lower resistivity, less impurities, and more preferred orientation in the crystal structure than that at lower temperature. Problems regarding adhesion and high resistivity can be greatly mitigated via 400°C thermal annealing. The resistivity of Cu can be reduced to 2.2 μΩcm. Moreover, trenches of 1 μm and 0.25 μm on patterned wafer have been successfully filled by electroless deposition of Cu with the aid of surfactant C12.     

二维纳米胶体球膜版的制备研究

二维纳米胶体球膜版是利用纳米球刻蚀法制备纳米颗粒阵列的前提条件.介绍了一种利用自组装法在基片上直接制备二维聚苯乙烯纳米球膜版的新工艺,讨论了影响获得大面积、高度有序膜版的主要因素,即基片的倾角、悬浮液的浓度、基片的物理化学性质、环境的温度和湿度.利用原子力显微镜对膜版的形貌进行了表征,结果表明,利用这种工艺可以得到排列均匀、面积达平方厘米量级的纳米胶体球膜版,非常适于纳米球刻蚀法的后序工艺.     

一种四价锡沉降剂的研制

随着各个国家对环境保护的重视,作为图形电镀抗蚀层的电镀铅锡合金镀层已被电镀纯锡镀层所取代。电镀纯锡镀液在使用一段时间后产生四价锡胶体,镀液浑浊,电流效率下降、光亮剂消耗量增大、镀层粗糙脆化、外观灰暗发雾,需用专用的沉降剂进行沉降处理。从纯锡槽液沉降要求出发,综述相关文献,初步确定了八种可适合用作四价锡胶体沉降的沉降剂;从设计的几种配方中筛选出了一种性能优良的电镀纯锡槽液专用四价锡沉降剂,各种使用指标均达到相关要求。     

蓝宝石衬底片的抛光研究

本研究对SiO2磨料抛光蓝宝石衬底片进行了研究,结果表明,采用大粒径、高浓度的SiO2磨料抛光可以获得良好的表面状态和较高的去除速率。抛光的适宜的温度及pH值条件为:T=30℃;13.0>pH≥9.0。并且在抛光时应加入适量添加剂,方可获得较为理想的表面状态和较高的去除速率。实验同样证明,这种低成本、高质量的抛光除可以应用在蓝宝石的抛光以外,还可以应用在其它一些硬质材料的抛光工艺中。     

蓝宝石衬底片的精密加工

对SiO2磨料抛光蓝宝石衬底片进行了研究。结果表明,采用大粒径、高浓度的SiO2磨料抛光,可以获得良好的表面状态和较高的去除速率。抛光的适宜温度及pH值条件为:T=30℃;12.0>pH值≥9.0。并且,在抛光时应加入适量添加剂,方可获得较为理想的表面状态和较高的去除速率。实验同样证明,这种低成本、高质量的抛光除了可以应用于蓝宝石的抛光以外,还可以应用在其它一些硬质材料的抛光工艺中。     

基于Si基沉积拉曼增强活性Au膜的制备与表征

研究了一种新的表面增强拉曼活性Au基底的制备方法,采用无电镀沉积方法,通过HF和HAuCl4的混合溶液对Si片进行处理获得具有不同形貌的Si基Au膜,利用扫描电子显微镜(SEM)分析了基底的表面形态和结构,测定结晶紫分子在基底表面的拉曼光谱。结果表明,Si基Au膜表面的表面增强拉曼散射(SERS)增强随制备时间的增加呈现先增强后减弱的趋势,增强效果优于常用的Au胶体系,是一种非常高效的拉曼活性增强基底。