无细胞真皮基质的制备及扫描电镜观察

目的：制备无细胞真皮基质(ADM)及通过扫描电镜(SEM)观察研究所制备的ADM经大剂量辐照后其形态结构是否有改变。方法：用高渗盐溶液除去皮肤的表皮,经十二烷基硫酸钠(SDS)和胰蛋白酶处理去除真皮中的细胞成分,得到ADM。结果：通过SEM观察表明,ADM中细胞成分基本被去除,经20kGy辐照后,胶原纤维排列正常,结构完整。结论：本研究方法能基本去除皮肤中的细胞成分且辐照后不损伤胶原纤维的三维结构,可为临床修复烧伤创面提供良好的移植材料。     

子宫肌瘤中成肌纤维细胞原代培养鉴定及意义

目的：观察子宫肌瘤与正常子宫肌层中成纤维细胞向成肌纤维细胞转分化的差异。原代培养人子宫肌瘤成肌纤维及鉴定。方法：（1）收集人子宫肌瘤、正常子宫肌层组织标本各30例;（2）采用免疫荧光三标鉴别正常子宫肌层与肌瘤组织中成肌纤维细胞的差异;（3）对人子宫肌瘤组织中的成肌纤维细胞进行原代分离培养,免疫细胞化学进行鉴定。结果：免疫荧光证实子宫肌瘤组织中成肌纤维细胞数较正常子宫肌层多,具有统计学意义（P＜0．05）。子宫肌瘤组织成肌纤维细胞原代分离培养成功,免疫细胞化学结果显示所培养的细胞呈 Vimentin、α-SMA阳性表达,H-Caldesmon阴性表达,证实为成肌纤维细胞。结论：子宫肌瘤中成纤维细胞向成肌纤维细胞的转化较正常子宫肌层明显活跃,可能是子宫肌瘤发展过程中的关键因素之一。     

扇贝多肽减轻中波紫外线诱导人真皮成纤维细胞损伤的超微结构研究

目的：观察扇贝多肽(polypeptide from Chlamys farreri,PCF)对中波紫外线(ultraviolet B,UVB)辐射损伤体外培养的人真皮成纤维细胞超微结构的影响。方法：建立单次UVB辐射损伤体外培养的人真皮成纤维细胞的病理模型,应用透射电镜观察细胞超微结构的变化。结果：模型组成纤维细胞超微结构在2h后即出现变化．包括胞内空泡形成、线粒体嵴断裂、基质空泡化、粗面内质网扩张、核异染色质浓缩及边集,呈现早期细胞凋亡改变。而用0．25％～l％的PCF预处理细胞30min,可减轻成纤维细胞受损的程度,且呈量效关系。结论：扇贝多肽可有效地保护人真皮成纤维细胞对抗UVB的辐射损伤。     

基于形态学特征的细胞活性无损检测新方法研究

利用正常细胞、凋亡细胞和坏死细胞在形态学特征上的差异,使用圆度和半径比率2个物理量来表征细胞活性状态,并运用微分干涉相衬（DIC）显微镜获得待测细胞图像,结合图像识别软件,提出了一种基于细胞形态学特征的细胞活性无损检测方法,测得了与细胞活性相关的有关参数。该方法应用于氨乙酰丙酸（ALA）的光动力疗法（PDT）后白血病细胞的活性检测得出的结论与使用四甲基偶氮唑盐比色（MTT）法检测得出的结论基本一致。该方法也可检测出死亡细胞中凋亡、坏死的比例;在对细胞测试的过程不需对细胞进行染色等预处理,是一种无损检测方法。     

人瘢痕疙瘩成纤维细胞原代培养及生物学行为研究

目的:建立可靠的人瘢痕疙瘩成纤维细胞培养方法,为瘢痕疙瘩体外研究提供平台.方法:采用组织块贴壁法进行瘢痕疙瘩成纤维细胞的原代培养,使用含10%胎牛血清的RPMI-1640培养基,37℃,5%CO2,饱和湿度下培养;描述其生长曲线、分裂指数、形态及波形蛋白表达.结果:瘢痕疙瘩成纤维细胞培养成功率43%(6/14),48～65天可传第一代,以后每5～10天可传一代,细胞为长梭形,波形蛋白表达阳性.结论:培养出的瘢痕疙瘩成纤维细胞可用作体外实验研究.     

shRNA对瘢痕疙瘩成纤维细胞Smad3及Ⅰ型胶原表达的影响

目的：构建抑制瘢痕成纤维细胞（keloid fibrobtast,KFB）Smad3基因表达的shRNA真核表达载体一研究Smad3 shRNA对KFBSmad3及Ⅰ型胶原（typ e I collagen,COLIA2）表达的影响：方法：用前期实验筛选出的1对最有效SiRNA重组构建Smad3shRNA表达质粒;通过脂质体介导的方法,将Smad3shRNA转染剑KFB,用RTPCR及Western blot的方法检测Smad3、COLIA2在不同时间点（0d至9d）表达的变化。结果：①重组质粒经酶切鉴定和测序、RT-PCR和westerll blot的结果均证实Smad3shRNA载体构建成功。②转染Smad3shRNA后,随着时间的延长,KFB中Smad3的mRNA蛋白表达都显著减低,到72h作用最强：光密度分析与对照组比较差异有统计学意义（P〈0．05）。COLIA2的mRNA与蛋白表达都明硅下降（P〈0．05）．结论：体外构建的shRNA-Smad3RNAi真核表达载体能显著抑制KFBSmad3的表达。并使其Ⅰ型胶原mRNA和蛋白水平表达出现相同的变化,提示Smad3 shRNA可能是改善皮肤创而愈合和抑制瘢痕增生一个新的治疗方向。     

0.1 THz辐照对成纤维细胞迁移及细胞骨架的影响

近年来太赫兹技术的发展和广泛应用使得太赫兹的生物效应引起了人们的广泛关注。研究连续波0.1 THz对小鼠胚胎成纤维细胞NIH3T3细胞迁移及细胞骨架的影响。采用划痕实验研究0.1 THz辐照对NIH3T3细胞迁移能力的影响,通过荧光染色的方法观察细胞骨架F-actin的形态,通过细胞免疫荧光染色方法检测细胞黏附相关蛋白Paxillin和E-cad-herin的表达水平。划痕实验结果表明,0.1 THz辐照能显著促进NIH3T3细胞迁移,增加细胞增值率;荧光染色结果表明,0.1 THz辐照能够改变NIH3T3细胞F-actin的形态,发生细胞收缩和变形;细胞免疫荧光染色发现,0.1 THz辐照显著降低细胞骨架相关蛋白Paxillin和E-cadherin的表达水平。0.1 THz辐照能够改变成纤维细胞NIH3T3细胞黏附状态,促进细胞迁移及增殖。     

慢病毒载体转染离体兔角膜基质细胞的实验研究

目的：观察慢病毒载体转染离体兔角膜基质细胞的有效性及对细胞活性的影响。方法：转染组用慢病毒携带增强型绿色荧光蛋白（Lentivirus-enhanced green fluorescent proteins,Lenti-EGFP）转染细胞,对照组则加入空白培养液,在不同感染复数（multiplicity of infection,MOI）及感染后不同时间段在倒置荧光显微镜下观察绿色荧光蛋白的表达情况并计算转染率;RT-PCR检测EGFP mRNA的表达;MTT比色法和流式细胞技术（Flow cytometer,FCM）检测病毒对细胞增殖和凋亡的影响。结果：Lenti-EGFP转染细胞后从48h开始可见绿色荧光,在MOI=500时,转染后第5天转染率可达51%;RT-PCR检测转染组有EGFP的mRNA表达;MTT结果显示在MOI为1~500时,漫病毒不影响细胞的增殖;在MOI=500时,FCM检测慢病毒载体对细胞凋亡无影响。结论：慢病毒载体可以在体外稳定有效转染兔角膜基质细胞且不影响细胞活性,是角膜基质细胞理想的基因转染载体。     

汉防己甲素对兔眼角膜基质细胞增殖和凋亡作用的比较研究

目的：探讨汉防己甲素（Tet）对离体兔眼角膜基质细胞抑制增殖作用,及其对增殖率和凋亡率的作用程度比较。方法：选用原代及传代兔角膜基质细胞,实验组加入含不同浓度Tet的培养液,对照组加入含等量PBS的培养液。通过免疫细胞化学技术了解细胞的PCNA表达来枪测细胞增殖情况,计算增殖率并测定变化;流式细胞仪（FCM）测定细胞周期和凋亡率的变化。结果：Tet质量浓度为2μg／ml,3μg/ml,4μg／ml时,作用48h,随着Tet浓度的增大,PCNA阳性细胞数明显减少,角膜基质细胞的增殖率呈递减趋势,存在剂量一效应关系（P〈0．05）;FCM结果显示,随着Tet的浓度增大,实验组G0／G1期细胞增加,细胞删期阻滞在G1期,见细胞凋亡峰,凋亡率也随浓度增大而升高（P〈0．05）;Tet对增殖率影响的曲线斜率绝对值明显大于对调亡率作用的斜率绝对值,结论：Tet对角膜基质细胞的PCNA的表达具有明显抑制作用,随Tet浓度增大,角膜基质细胞的增殖率下降,Tet通过将细胞阻滞在G1期而发挥其抗增殖作用,且存在剂量效应关系;Tet诱导细胞凋亡,且也存在剂量效应关系,随浓度增大,凋亡率增加;在2μg/ml．3μm/ml,4μg／ml的浓度内,Tet对角膜基质细胞同时具有抑制增殖和诱导凋亡作用,但以抑制增殖作用为主.     

黄芩苷对兔tenon囊成纤维细胞增殖及TGF-β_1表达的影响

目的：研究黄芩苷对兔tenon囊成纤维细胞增殖及TGF-β1表达的影响,初步探讨其对青光眼术后滤过瘢痕的治疗作用。方法：以体外培养的兔tenon囊成纤维细胞为实验对象,分别加入含不同浓度（15,30,45,60μg/m1）黄芩苷培养24,48,72h后采用MTT法检测药物对细胞的抑制率;采用流式细胞术及半定量逆转录聚合酶链反应法（RT-PCR）检测30μg/ml黄芩苷作用48h后成纤维细胞周期情况及TGF-β1的mRNA的变化;结果：MTT法显示黄芩苷各实验组与对照组抑制率间比较差异有显著性;流式细胞术显示黄芩苷将细胞阻抑于G1期;RT-PCR显示药物作用后细胞中TGF-β1的mRNA含量显著降低。结论：黄芩苷可抑制体外培养的兔Tenon囊成纤维细胞增殖,其作用可能跟下调TGF-β1的表达有关。     

退火处理对0.5PZN-0.5PZT陶瓷弛豫性的影响

采用常规陶瓷工艺制备了Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_(0.5)(Zr_(0.5)Ti_(0.5))_(0.5)O_3 (0.5PZN-0.5PZT)铁电陶瓷,并在氧气氛下进行退火.运用XRD、直流电导率和介电温度谱测试氧气氛退火前后陶瓷相结构与电性能的变化,并对弛豫性与微结构的关系进行探讨.结果表明,氧气氛退火可有效补偿体系中的氧空位,降低四方相含量,材料的弛豫性显著增强.     

Effect of cooling procedure after annealing on electrical properties of Cd0.2Hg0.8Te epitaxial films grown by liquid phase epitaxy

Effect of cooling procedure after annealing on the electrical properties of Cd_0.2Hg_0.8Te (CMT) epitaxial films grown by liquid phase epitaxy has been investigated to obtain the CMT films with low carrier concentration of 10¹⁴ cm⁻³ reproducibly. Annealing has been performed at the temperature range from 260 to 350°C for 8 h in a fixed Hg vapor pressure. The quenching and the gradual cooling over a duration of 200 min after annealing have been employed for the cooling procedures. For quenched CMT samples, hole concentration decreases with decreasing anneal temperature and conduction type conversion from p to n is observed at 300°C. For the gradual cooling, all samples show n-type conduction for all annealing temperatures. Electrical properties of annealed layers strongly depend on the cooling procedure. The difference in electrical properties of the annealed CMT between two types of cooling procedure is mainly attributed to the difference in the annihilation of Hg vacancies during cooling procedure. The decrease of Hg vacancies during quenching is negligible, while Hg vacancies are annihilated during gradual cooling by rapid Hg diffusion. The diffusion coefficient of Hg is estimated more than 10⁻⁹ cm²/s and this value is two orders of magnitude larger than that obtained by radiotracer technique.     

镧钛酸铅铁电薄膜的性能与热处理工艺的关系

比较了快速热处理、传统热处理、快速与传统结合热处理镧钛酸铅铁电薄膜的微观形貌、介电、铁电性能、Ｉ－Ｖ以及Ｃ－Ｖ特性。讨论了不同热处理工艺的特点。研究表明，快速与传统结合热处理薄膜具有较大的晶粒尺寸和较大的剩余极化强度，Ｉ－Ｖ特性偏离欧姆定律，具有压敏电阻特性，Ｃ－Ｖ曲线具有较尖锐的非线性峰。     

底电极对PYZT铁电薄膜电容器的影响

ＰＹＺＴ铁电薄膜电容器的制备采用ｓｏｌ－ｇｅｌ方法,将约５００ｎｍ厚的ＰＹＺＴ薄膜沉积在Ｐｔ／Ｔｉ、Ｐｔ／ＳｉＯ２及Ｐｔ／ＲｕＯ２底电极上,基片为Ｓｉ（１１１）。详细分析研究了ＰＹＺＴ薄膜在不同底电极,不同快速热处理温度下的晶相结构及ＰＹＺＴ铁电薄膜电容器的小信号特性。研究发现,沉积在Ｐｔ／ＲｕＯ２底电极上的ＰＹＺＴ薄膜经８００℃快速热处理具有较接近理想外延ＰＹＺＴ薄膜结构,而且εｒ随着快速热处理温度升高而减小,在８００℃快速热处理条件下其εｒ约为１５０。     

制备工艺对PMN铁电陶瓷性能的影响

从材料组成、结构和性能的关系出发,系统地研究了探讨了制备工艺对弛豫型铁电陶瓷性能的影响,以及烧结后退火工艺对样性能的影响。研究PbTiO3组分2种不同的加入方式((1-x)(PbO 1/3MgNb2O6) x(PbO TiO2)和(1-x)(PbO 1/3MgNb2O6) x(PbTiO3))对Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3固溶体陶瓷介电性能的影响规律。与用前一种方法制得的试样相比,用后一种方法得到的陶瓷试样的介电常数峰得到进一步展宽,并且呈现双峰。介电性能的这种变化表明微区化学组成的均匀程度对材料的宏观介电性能会产生显著影响。     

Bi_(1.5)Mg_(1.0)Nb_(1.5)O_7薄膜的介电损耗机理研究

采用射频磁控溅射法在Al2O3基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜,研究了不同退火条件下BMN薄膜的介电损耗机理。结果表明,充分的退火能够减小氧空位缺陷密度,并降低介电损耗。氧气气氛下退火能够有效补偿BMN薄膜中的氧空位,使得介电损耗进一步降低。这说明氧空位导致的带电缺陷损耗是BMN薄膜材料主要的介电损耗机制。此外,BMN薄膜中也存在晶界损耗机制。     

Stoichiometry Variation in Materials with Three Mobile Carriers—Thermodynamics and Transport Kinetics Exemplified for Protons,Oxygen Vacancies,and Holes

Materials with three independent mobile charge carriers, in the sense of not being in local defect‐chemical equilibrium though naturally coupled through electroneutrality, are encountered in various cases of scientific and technological relevance. Examples are proton conducting perovskites under conditions at which hole and also oxygen vacancy conductivity may become significant, and mixed conducting cathode materials suited for fuel cells using proton conducting oxide electrolytes. Already the thermodynamics of the equilibrium situation is complex as a increase can lead to proton incorporation by water uptake (pure acid–base reaction) or by hydrogenation (redox reaction). As far as the even more complex transport kinetics are concerned, diffusion equations are derived which are exact for the interaction‐free (ideally dilute) situation. Kinetic implications are discussed and checked by exemplary numerical simulations. The treatment includes simple sub‐cases such as onefold relaxation on change, as well as complex patterns characterized by the appearance of more than one characteristic time scales (“twofold relaxation”) or apparent “moving boundary” kinetics. Implications for stability and functionality of ceramic materials are discussed.     

Ni基n型SiC材料的欧姆接触机理及模型研究

研究了Ni基n型SiC材料的欧姆接触的形成机理,认为合金化退火过程中形成的C空位(Vc)而导致的高载流子浓度层对欧姆接触的形成起了关键作用。给出了欧姆接触的能带结构图,提出比接触电阻ρC由ρC1和ρC2两部分构成。ρC1是Ni硅化物与其下在合金化退火过程中形成的高载流子浓度层间的比接触电阻,ρC2则由高载流子浓度层与原来SiC有源层之间载流子浓度差形成的势垒引入。该模型较好地解释了n型SiC欧姆接触的实验结果,并从衬底的掺杂水平、接触金属的选择、合金化退火的温度、时间、氛围等方面给出了工艺条件的改进建议。     

Bi_(3.5)Yb_(0.5)Ti_3O_(12)铁电薄膜的制备及性能

采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片上淀积了Bi3.5Yb0.5Ti3O12(BYT)铁电薄膜,研究了在不同退火温度下形成的BYT薄膜的微观结构以及铁电性能方面的区别。结果发现,在610,660,710和760℃不同温度下退火的BYT薄膜的结晶度不同,退火温度越高的BYT薄膜,其结晶度越高。并且发现,BYT薄膜的剩余极化值(2Pr)在710℃以下随退火温度增高而增大,在710℃达到最大;在外加400kV/cm电场时2Pr为36.7μC/cm2,然后随退火温度上升又有所下降。