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在488nm的Ar+激光激发下,Si覆盖的部分氧化多孔硅(POPS)的光致发光谱(PL)在1.78eV处展示了一个稳定的PL峰,它的强度达到刚制备多孔硅的发光强度.使用X射线衍射、Raman散射、傅里叶变换红外吸收和电子自旋共振等对其发光机理进行了系统的研究.结果表明,这个增强的PL峰不是起源于量子限制硅晶粒中的带带复合,也不是起源于样品表面局域态或硅晶粒与氧化物之间的界面态的辐射复合.通过与Ge覆盖的部分氧化多孔硅的相关结果比较,我们认为这个稳定增强的PL峰起源于氧相关缺陷中心的光学跃迁. 相似文献
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纳米光子学国际会议于 1 999年 3月在俄罗斯科学院微结构物理研究所的所在地下诺夫戈罗德举行。这已是有关半导体纳米结构物理的第二次会议。第一次会议于 1 998年召开。会上讨论两个方向的现状。第一 ,与以硅 (Si Ge、Si/A3B5、Si/Ge/C、Si/Ge/Sn、Si/Si O2 量子阱和量子点 )、多孔硅和含有稀土元素的纳米晶体硅为基础的异质结构的光电子学性质基础有关的物理现象 ,相应的纳米结构生长工艺和特性 ;第二 ,在具有量子阱的半导体结构中的热载流子在强电场和磁场中的非平衡、反转分布及带内光学跃迁的物理问题 ,包括反转机理和在中、远红… 相似文献
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采用离子束溅射技术,在生长了Si缓冲层的硅晶片上制备了一系列Ge量子点样品.借助原子力显微镜(AFM)和Raman光谱等测试手段研究了Ge/Si量子点生长密度、尺寸及排列均匀性的演变规律.结果表明,改变Si缓冲层厚度及其生长方式,可以有效控制量子点的尺寸、均匀性和密度.随缓冲层厚度增大,量子点密度先增大后减小,停顿生长有利于提高缓冲层结晶性,从而提高量子点的密度,可以达到1.9×1010 cm-2.还研究了Si缓冲层在Ge量子点生长过程中的作用,并提出了量子点的生长模型. 相似文献
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薛舫时 《固体电子学研究与进展》1998,18(1):27-37
用硅-氧化硅复合纳米材料的能带混合模型研究了多孔硅中的各类电子状态。分析了各种状态的能带属性及其量子限制特性，从而解释了实验中观察到的量子限制态和非量子限制态。在有效质量理论框架下计算了不同能级间的光跃迁矩阵元，得出了带内和带间状态间的跃迁选择定则。运用所计算的结果较好地解释了实验中观察到的PL和CL光谱中的量子限制态、非量子限制态、元激发陷阱以及各种不同的谱峰。最后从多孔硅发光特性与半导体材料及杂质、缺陷发光的对比中阐明了这种纳米发光材料的特征。由此笔者提出了研究硅一氧化硅复合纳米材料来开发新的硅基发光材料、器件和集成电路的新途径。 相似文献
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多孔硅中的新量子限制态和PL光谱 总被引：2，自引：0，他引：2
由大量ＰＬ和ＰＬＥ光谱的实验分析得出多孔硅的发光既具有纳米硅中带带跃迁的特征，又受不同表面状态的制约．本文从多孔硅表面化学键叠加构成二维界面势的模型出发提出了表面化学键制约量子限制态．用简单的有效质量计算模型求出了这种新量子态的能级、能谷混合系数、电子波函数及跃迁选择定则、通过这种新量子态解释了多孔硅ＰＬ和ＰＬＥ光谱的实验特性． 相似文献
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