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分子束外延生长高应变单量子阱激光器 总被引:1,自引:1,他引:0
采用分子束外延方法研究了高应变 In Ga As/Ga As量子阱的生长技术 .将 In Ga As/Ga As量子阱的室温光致发光波长拓展至 116 0 nm,其光致发光峰半峰宽只有 2 2 me V.研制出 112 0 nm室温连续工作的 In Ga As/Ga As单量子阱激光器 .对于 10 0 μm条宽和 80 0 μm腔长的激光器 ,最大线性输出功率达到 2 0 0 m W,斜率效率达到 0 .84m W/m A,最低阈值电流密度为 45 0 A/cm2 ,特征温度达到 90 K. 相似文献
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采用VarianGenⅡMBE生长系统研究了InGaAs/GaAs应变层单量子阶(SSQW)激光器结构材料。通过MBE生长实验,探索了In_xGa_(1-x)tAs/GaAsSSQW激光器发射波长(λ)与In组分(x)和阱宽(L_z)的关系,并与理论计算作了比较,两者符合得很好。还研究了材料生长参数对器件性能的影响,主要包括:Ⅴ/Ⅲ束流比,量子阱结构的生长温度T_g(QW),生长速率和掺杂浓度对激光器波长、阈值电流密度、微分量子效率和器件串联电阻的影响。以此为基础,通过优化器件结构和MBE生长条件,获得了性能优异的In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层单量子阱激光器:其次长为963nm,阈值电流密度为135A/cm ̄2,微分量子效率为35.1%。 相似文献
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利用新型全固源分子束外延技术 ,对 1 .5 5 μm波段的 In As P/ In Ga As P应变多量子阱结构的生长进行了研究。实验表明 ,较低的生长温度或较大的 / 束流比有利于提高应变多量子阱材料的结构质量 ,而生长温度对材料的光学特性有较大的影响。在此基础上生长了分别限制多量子阱激光器结构 ,制作的氧化物条形宽接触激光器实现了室温脉冲工作 ,激射波长为 1 5 63 nm,阈值电流密度为 1 .4k A/ cm2 。这是国际上首次基于全固源分子束外延的 1 .5 5 μm波段 In As P/ In Ga As P多量子阱激光器的报道 相似文献
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980nm高功率应变量子阱阵列激光器的研制 总被引:4,自引:0,他引:4
利用分子束外延(MBE)方法研制出了高质量的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱阵列激光器。其有源区采用分别限制单量子阱结构,激射波长在980nm左右,阵列器件由48个LD构成,在重复频率300Hz、脉冲宽度200μs的条件下,定温光功率输出达到20W,斜率效率1.1W/A,光电转换效率29%。 相似文献
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MBE生长高质量GaAs/AlGaAs量子阱激光器 总被引:2,自引:4,他引:2
我们利用分子束外延方法研制了GaAs/AlGaAs缓交折射率分别限制(GRIN-SCH)单量子阱和双量子阱激光器.对腔长为600μm的端面不镀膜的宽接触条型F-P腔激光器,阈值电流密度(平均值)分别为290A/cm2和240A/cm2.腔长在1200μm的双量子阱激光器的阈电流密度低达190A/cm2.对出光面和背面分别镀以增透膜和高反膜的宽接触条型(80μm).激光器,线性输出功率高达1.82W;出光面的斜率效率达到1.04W/A;利用湿法化学腐蚀所制备的脊形波导结构单量子阱激光器阈值电流最低可达8mA 相似文献
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《Photonics Technology Letters, IEEE》2006,18(21):2257-2259
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Ga Nx As1 - x,the combination of small amount of nitrogen and Ga As,has beenexperimentally observed with the band gaps several hundreds me V lower than that ofGa As[1~ 4] .The alloy has attracted considerable attention in the applicat... 相似文献
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The GaNxAs1-x alloy has been investigated which is grown on GaAs (100) substrate by molecular beam epitaxy with a DC-plasma nitrogen source. The samples are characterized by high resolution X-ray diffraction (HRXRD) and low temperature photoluminescence (PL) measurements. Both HRXRD and PL measurements demonstrate that the crystalline and optical qualities of GaNxAs1-x alloy degrade rapidly with the increase of N composition. The nitrogen composition of 4.5 % can be obtained in GaNxAs1-x/GaAs quantum well by optimizing growth conditions,through which a photoluminescence peak of 1201nm is observed at a low temperature (10 K). The dependence of GaNxAs1-x band gap energy on the nitrogen composition in this investigation corresponds very well with that of the theoretical one based on the dielectric model when considering the effect of the strain. At the same time,we also demonstrate that the bowing parameter of GaNxAs1-x alloy is composition dependent. 相似文献
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Lew K.L. Yoon S.F. Wang H. Wicaksono S. Gupta J.A. McAlister S.P. 《Electron Device Letters, IEEE》2007,28(12):1083-1085
AlGaAs/GaAsNSb heterojunction bipolar transistors (HBTs) with low turn-on voltage have been fabricated. The turn-on voltage of the device fabricated from an as-grown sample is ~180 mV lower than that of a conventional AlGaAs/GaAs HBT. The effect of rapid thermal annealing on device performance is an increase in the gain from ~8.5 to ~20. However, the knee voltage of the annealed sample (~3 V), as well as the turn-on voltage, is also higher compared with that of the as-grown sample (~1.5 V). 相似文献
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研究了用分子束外延(MBE)方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340℃时,外延层表面粗糙度为1.79nm.用Van der Pauw方法研究了材料的电学特性,室温电阻率ρ2.6× 10Ω·cm.(电学性能测试表明200V电压间距1mm时,漏电流仅为0.3μA).高分辨X射线测试样品显示为良好的层状结构,晶体质量随生长逐渐变好.首次用变温Hall测试研究多层InAlAs缓冲层材料内部的载流子传输机制,并用热激电流谱(TSC)分析了其高阻机制. 相似文献