硅压阻输出微传感器的1/f噪声

从理论和实验上系统地讨论了压阻输出微传感器的噪声 .选用了单晶硅、非晶硅、多晶硅和微晶硅四种材料作为压阻材料 ,设计了 16种不同尺寸的力敏 Wheastone电桥 ,并对器件分别进行了两种不同浓度的掺杂和两种不同条件的退火 ,共获得 2 5 6种压阻输出的微传感器 .测量所有器件的噪声 ,并对噪声谱进行理论分析 ,实验结果表明单晶硅具有最低的 1/ f 噪声和 Hooge因子 (α)的值 ,而非晶硅略好于微晶硅和多晶硅 .几何尺寸大的力敏电阻具有低的 1/ f 噪声 ,但 α值不受器件尺寸的影响 .掺杂浓度增加 10倍时 ,不同器件的 1/ f 噪声降低介于35 %— 5 0 %之间 .     

1/f噪声的动力学统计理论

理论分析得知:1/f噪声的功率谱S(t)是确定的,在广度上发现了1/f噪声的新天地,在深度上获得普适关系式S(f)∝|logf|/f.     

1/f噪声的统计动力学分析

从理论分析的角度,得出结论:1/f噪声拥有一定的能谱.得到了一个普适的公式,扩展了1/f噪声理论的应用范围.     

GaAlAs红外发光二极管1/f噪声研究

在宽范围偏置条件下,测量了GaAlAs红外发光二极管（IRLED）的低频噪声,发现1／f噪声幅值与偏置电流If^γ的r次方成正比,在小电流区,r≈1。在大电流区r≈2。建立了一个GaAlAs IRLED的1／f噪声模型,得到与实验一致的定性结果。基于该模型的分析表明．低电流区GaAlAs IRLED的1／f噪声源于体陷阱对非平衡载流子俘获和发射导致的扩散电流涨落,高电流区的1／f噪声源于结空间电荷区附近氧化层陷阱对该处表面势的调制而引起载流子表面复合速率的涨落。该研究结果为1／厂噪声表征GaAlAs IRLED的可靠性提供了实验基础与理论依据。     

红外探测器的1/f噪声谱测试

研究红外探测器的1／f噪声谱是为了解探测器表面处理情况,尽可能地降低1／f噪声谱的转折频率。文中对1／f噪声进行简单介绍后,叙述了1／f噪声测试原理及系统组成,最后给出了典型的HgCdTe光导／光伏型探测器的1／f噪声谱曲线,并对其进行了分析说明。     

1／f噪声源及MOS器件中的1／f噪声

１／ｆ噪声，由于其反映了器件的质量、可靠性等参数，其研究越来越为人们所重视，本文首先较为系统地介绍了１／ｆ噪声源两种较为成熟的理论：载流子数涨落和迁移率涨落模型，最后将研究ＭＯＳ晶体管中１／ｆ噪声的现象。在ｎ管中，较为成功地用ΔＮ模型；而在ＰＭＯＳ晶体管中，Δμ模型可较为成功地解释其１／ｆ噪声特性。     

DPSA双极器件中的1/f噪声特性研究

在现代高性能模拟集成电路设计中,噪声水平是影响电路性能的关键因素之一.研究了双多晶自对准高速互补双极NPN器件中发射板结构对器件直流和低频噪声性能的影响.实验结果表明,多晶硅发射极与单晶硅界面超薄氧化层以及发射极几何结构是影响多晶硅发射极双极器件噪声性能的主要因素.     

双极晶体管1/f噪声参数f_L和γ的测量提取

双极晶体管在低频段的噪声主要成分是1/f噪声,其参数f_L和γ的获取目前尚很困难。本文给出了这两个参数的测量提取方法,其基本思想是基于噪声电压谱测量和最小二乘曲线拟合获得。最后给出了测量提取的实例与结果。     

激光二极管1/f噪声峰及其产生机理的研究

对42只大功率InGaAsP/GaAs量子阱(QW)激光二极管(LD)低频1/f噪声幅值(Bv)在小注入下(10-6～10-3A)的变化规律进行了研究.实验结果表明,器件在足够小的注入电流下可观察到完整的1/f噪声峰(Bv峰).理论分析和实验结果均表明,Bv峰是LD非线性占优势的标志且其位置与并联线性泄漏程度密切相关,并联线性泄漏会导致Bv峰右移.理论分析还表明,Bv峰右侧的1/f噪声源于有源区,Bv峰左侧的1/f噪声源于有源区周边的线性并联结构,该研究为电流泄漏的噪声诊断提供了理论依据.     

新的晶圆级1/f噪声测量法

提出了一种新的可靠的晶圆级1/f噪声测量方法和架构.测试架构采用了吉时利的一系列仪器,包括4200-SCS、428和一个低通滤波器,并且采用了吉时利的自动特征分析套件(ACS)软件来控制测量仪器的操作,采集/分析测得的数据.由于所用的低通滤波器能够消除所有高于0.5 Hz的噪声,因此大大提高了1/f噪声的测量精度.利用这一测量架构能够在各种偏压条件下评测具有不同尺寸的nMOS和pMOS器件的1/f噪声特征.     

I/f噪声源及MOS器件中的1/f噪声

1／f噪声,由于其反映了器件的质量、可靠性等参数,其研究越来越为人们所重视。本文首先较为系统地介绍了1／f噪声源两种较为成熟的理论：载流子数涨落和迁移率涨落模型,最后将研究MOS晶体管中1／f噪声的现象。在n管中,较为成功地用△N模型;而在PMOS晶体管中,△μ模型可较为成功地解释其1／f噪声特性。     

压阻式金刚石压力微传感器的制作与测试

由于金刚石薄膜具有优良的高温压阻特性，适合于制作高温压力传感器。在Φ50mm(100)硅单晶衬底上用热丝CVD法生长本征多晶金刚石薄膜作为绝缘隔离层，通过掩模选择性生长法得到掺硼金刚石薄膜电阻条，再经金属化处理和腐蚀硅压力腔，得到了压阻式金刚石压力微传感器的原型器件。对该器件的压力输出特性测量表明，输出电压一压力曲线线性较好，重复性好．常温下灵敏度高。     

1/f Noise in HgCdTe Focal-Plane Arrays

Characterization of mid-wavelength infrared (MWIR) and long-wavelength infrared (LWIR) HgCdTe focal-plane arrays (FPAs) indicates that limitations on operability at elevated temperatures are due to detector dark current and excess 1/f noise. Dark-current models in HgCdTe are well established and understood; however, the same cannot be said for 1/f noise. In this paper we propose two models for separate sources of 1/f noise in HgCdTe photodiodes based upon charge fluctuations out of McWhorter-like surface traps. The two 1/f noise components are designated as (1) systemic, being associated with passivated external surfaces of the diodes, and (2) isolated defect, being, it is proposed, associated with the internal surfaces of built-in physical defects such as dislocations. The models are utilized to explain data measured on LWIR and MWIR test-diode structures, and predictions are made regarding the performance of MWIR and LWIR FPAs at elevated temperatures.     

在超高精度电压基准中利用滤波器降低I/f噪声

本文在分析了电压基准中 I／f噪声特点的基础上,提出了滤除此噪声的滤波器设计方案,此方案可满足超高精度的应用要求。     

MOSFET 1/f噪声的相关积分分析方法

文章将相关积分方法用于MOSFET 1/f噪声分析,发现器件的1/f噪声与RTS叠加模型产生的1/f噪声相关积分极其相似.通过对MOSFET噪声物理模型的分析和讨论,证明n-MOSFET的1/f噪声以载流子数涨落模型为主,p-MOSFET的1/f噪声以迁移率涨落模型为主结论的正确性.研究表明,相关积分方法可用于鉴别电子器件测量噪声所属的模型类型.     

先进MOSFET中1/f噪声研究进展

全面综述了先进金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的1/f噪声研究进展.界面态、器件结构、材料缺陷、量子效应等诸多因素均会影响1/f噪声.随着工艺尺寸的持续缩小和高k介质材料的应用,以及热载流子效应、辐照损伤等因素的影响,MOSFET的1/f噪声起源问题一直是学术界具有较大分歧和争议的课题.只有澄清了1/f噪声...