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采用自洽解方法求解一维薛定谔方程和二维泊松方程,得到电子的量子化能级和相应的浓度分布,利用MWKB方法计算电子隧穿几率,从而得到不同栅偏置下超薄栅介质MOSFET的直接隧穿电流模型。一维模拟结果与实验数据十分吻合,表明了模型的准确性和实用性。二维模拟结果表明,低栅压下,沟道边缘隧穿电流远大于沟道中心隧穿电流,沟道各处的隧穿电流均大于一维模拟结果;高栅压下,隧穿电流在沟道的分布趋于一致,且逼近一维模拟结果。 相似文献
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给出了一种利用 FN振荡电流的极值 ,测量电子在薄栅 MOS结构的栅氧化层中的平均有效质量方法 .利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程 ,方便地获得了出现极值时外加电压和电子的有效质量之间的分析表达式 .用干涉方法计算所得到的隧穿电子在不同的 MOS结构的二氧化硅介质层中的有效质量表明 :它一般在自由电子质量的 0 .5 2— 0 .84倍的范围 .实验结果表明 :电子有效质量的值不随外加电压的变化而变化 ,并且对于相同的MOS结构 ,电子可能具有相同的有效质量 相似文献
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随着器件尺寸的迅速减小 ,直接隧穿电流将代替 FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素 .根据比例差值算符理论和弛豫谱技术 ,针对直接隧穿应力下超薄栅 MOS结构提出了一种新的弛豫谱——恒压应力下的直接隧穿弛豫谱 (DTRS) .该弛豫谱保持了原有弛豫谱技术直接、快速和方便的优点 ,能够分离和表征超薄栅 MOS结构不同氧化层陷阱 ,提取氧化层陷阱的产生 /俘获截面、陷阱密度等陷阱参数 .直接隧穿弛豫谱主要用于研究直接隧穿注入的情况下超薄栅 MOS结构中陷阱的产生和复合 ,为超薄栅 MOS结构的可靠性研究提供了一强有力工具 . 相似文献
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随着器件尺寸的迅速减小,直接隧穿电流将代替FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素.根据比例差值算符理论和弛豫谱技术,针对直接隧穿应力下超薄栅MOS结构提出了一种新的弛豫谱--恒压应力下的直接隧穿弛豫谱(DTRS).该弛豫谱保持了原有弛豫谱技术直接、快速和方便的优点,能够分离和表征超薄栅MOS结构不同氧化层陷阱,提取氧化层陷阱的产生/俘获截面、陷阱密度等陷阱参数.直接隧穿弛豫谱主要用于研究直接隧穿注入的情况下超薄栅MOS结构中陷阱的产生和复合,为超薄栅MOS结构的可靠性研究提供了一强有力工具. 相似文献
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Sacconi F. Jancu J.M. Povolotskyi M. Di Carlo A. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2007,54(12):3168-3176
In this paper, we investigate the tunneling properties of ZrO2 and HfO2 high-k oxides, by applying quantum mechanical methods that include the full-band structure of Si and oxide materials. Semiempirical sp3s*d tight-binding parameters have been determined to reproduce ab-initio band dispersions. Transmission coefficients and tunneling currents have been calculated for Si/ZrO2/Si and Si/HfO2/Si MOS structures, showing a very low gate leakage current in comparison to SiO2-based structures with the same equivalent oxide thickness. The complex band structures of ZrO2 and HfO2 have been calculated and used to develop an energy-dependent effective tunneling mass model. We show that effective mass calculations based on this model yield tunneling currents in close agreement with full-band results. 相似文献
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A theoretical study is reported of the carrier transport in an ultrathin metal film and a quantum-well layer subject to scattering by surface irregularities. A consistent quantum-mechanical approach to the problem is developed. Power-law approximations with different exponents are obtained to the conductivity–thickness relationship. The results are compared with previously published experimental data. 相似文献