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对称薄膜双栅nMOSFET模型的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用对称薄膜双栅MOSFET在阈值电压附近硅膜中的常电位近似,以硅膜达到体反型时的泊松方程为基础,得到一个有效的双栅nMOS器件模型.考虑到薄膜双栅SOI器件的体反型特性,阈值电压处的表面势不再受限于传统的强反型界限(指2倍费米势),并运用跨导最大变化(TC)法对此模型进行分析,得到阈值电压和阈值电压处表面势的详细表达式;另外,还演示了薄膜双栅MOSFET的近乎完美的亚阈值斜率特性,其数值模拟结果与文献实验结果吻合较好. 相似文献
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凹槽栅MOSFET凹槽拐角的作用与影响研究 总被引:5,自引:0,他引:5
短沟道效应是小尺寸MOSFET中很重要的物理效应之一,凹槽栅MOSFET对短沟道效应有很强的抑制能力,通过对凹槽栅MOSFET结构,特性的研究,发现凹槽拐角对凹槽栅MOSFET的阈值电压及特性有着显著的影响,凹槽拐角处的阈值电压决定着整个凹槽栅MOSFET的阈值电压,凹槽拐角的曲率半径凹槽MOSFET一个重要的结构参数,通过对凹槽拐角的曲率半径,源漏结深及沟道掺杂浓度进行优化设计,可使凹槽栅MOS 相似文献
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为了抑制深亚微米SOI MOSFET的短沟道效应,并提高电流驱动能力,提出了异质栅单Halo SOI MOSFET器件结构,其栅极由具有不同功函数的两种材料拼接而成,并在沟道源端一侧引入Halo技术.采用分区的抛物线电势近似法和通用边界条件求解二维Poisson方程,为新结构器件建立了全耗尽条件下的表面势及阈值电压二维解析模型.对新结构器件与常规SOI MOSFET性能进行了对比研究.结果表明,新结构器件能有效抑制阈值电压漂移、热载流子效应和漏致势垒降低效应,并显著提高载流子通过沟道的输运速度.解析模型与器件数值模拟软件MEDICI所得结果高度吻合. 相似文献
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高k栅介质MOSFET电特性的模拟分析 总被引:2,自引:0,他引:2
对高k栅介质MOSFET栅极漏电进行研究 ,确定栅介质的厚度 ,然后使用PISCES Ⅱ模拟器对高k栅介质MOSFET的阈值电压、亚阈斜率和Idsat/Ioff进行了详细的分析研究。通过对不同k值的MOSFET栅极漏电、阈值电压、亚阈斜率和Idsat/Ioff的综合考虑 ,得出选用k <5 0且Tk/L≤ 0 .2的栅介质能获得优良的小尺寸MOSFET电性能。 相似文献