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以往对SOI器件的建模基本上基于漂移区全耗尽的假设,且大多未考虑场板对表面势场分布的影响。通过分区求解二维泊松方程,建立了场板SOI RESURF LDMOS表面电势和表面电场分布解析模型。该模型同时考虑了栅场板和漏场板的作用,既适用于漂移区全耗尽的情况,也适用于漂移区不全耗尽的情况。利用此模型和半导体器件仿真工具Silvaco,详细探讨了器件在不同偏压下栅场板和漏场板对漂移区表面电势和电场分布的影响。解析模型结果与数值仿真结果吻合良好,验证了模型的准确性。 相似文献
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RESURF LDMOS功率器件表面场分布和击穿电压的解析模型 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了RESURF LDMOS功率器件的表面电场分布和击穿电压的解析模型.根据二维泊松方程的求解,得到了与器件参数和偏压相关的表面电场和电势分布解析表达式.在此基础上,推出了为获得击穿电压和比导通电阻最好折中的优化条件.该解析结果与半导体器件数值分析工具MEDICI得到的数值分析结果和先前的实验数据基本一致,证明了解析模型的适用性. 相似文献
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RESURF LDMOS功率器件表面场分布和击穿电压的解析模型 总被引:6,自引:4,他引:2
提出了 RESURF L DMOS功率器件的表面电场分布和击穿电压的解析模型 .根据二维泊松方程的求解 ,得到了与器件参数和偏压相关的表面电场和电势分布解析表达式 .在此基础上 ,推出了为获得击穿电压和比导通电阻最好折中的优化条件 .该解析结果与半导体器件数值分析工具 MEDICI得到的数值分析结果和先前的实验数据基本一致 ,证明了解析模型的适用性 相似文献
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提出具有电阻场板(Resistive field plate,RFP)硅基LDMOS表面电场和击穿电压解析模型。基于求解二维Poisson方程,此模型给出了二维表面电场和电势与器件结构参数和漏偏压关系的解析表达式;计算漂移区长度与击穿电压的关系,提出了一种优化高压器件的有效方法。解析结果与用MEDICI模拟的数值结果吻合较好,验证了模型的准确性,该模型可用于体硅RFPLDMOS的设计优化。 相似文献
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邵宏月张明兰王影影 《固体电子学研究与进展》2018,(4):244-250
用Silvaco的ATLAS软件仿真研究了场板结构对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的温度场分布的影响,分析了场板结构影响器件温度场分布的可能因素。模拟结果表明,加入场板结构后,器件沟道二维电子气浓度减小,电场分布发生变化,器件栅极漏侧边缘处的沟道峰值温度降低。加入栅场板和源场板结构后,场板边缘处都有一个新的温度峰值出现,器件的沟道温度峰值在加入单层和双层栅场板及源场板后由511K分别下降到487、468和484K,这种降低作用会随着栅场板层数的增加而有所增强。仿真结果说明场板结构通过改变AlGaN/GaN HEMT器件沟道载流子浓度和电场分布,影响器件内部的温度场分布。优化器件的场板结构是提高AlGaN/GaN HEMT的可靠性有效途径之一。 相似文献
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本文通过求解二维泊松方程建立了具有屏蔽环结构的LDMOS漂移区表面电场分布模型,从而得出该结构表面电势和表面电场的解析表达式。分析了屏蔽环长度及氧化层厚度对表面电场分布的影响,通过ISE TCAD仿真验证了模型的准确性。根据表面电场分布求解器件的击穿电压并与实际测试数据对比得到了较为一致的结果,证明了该模型的适用性。 相似文献
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The article describes a model representation of radar probing data in form of a mixture of background and target samples, which is the sum of two random variables with very different parameters. For model development we research the behavior of the central moments of the distribution mix without assuming the distribution law form. An example it is described the detection of the signal at the output of compression system of chirp ionosonde. 相似文献
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解决IP网QoS问题是目前通信领域的研究热点之一.虽然研究已经取得了一定的进展,但人们对于IP 网QoS本身的含义及相关的问题还有着不同的理解.本文将从IP网QoS的定义入手讨论相关的一些问题以及解决IP网QoS问题所做的各种努力. 相似文献
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《Proceedings of the IEEE. Institute of Electrical and Electronics Engineers》1968,56(6):1024-1032
Assuming that visual responses are due to the action of particles on the membrane of the visual cells, the stochastic variability of the response should be a function of the number of particles producing it. Quantitative predictions can be made with the aid of a model proposed in previous articles. It is found that responses produced in visual cells of Limulus by absorption of a single photon have the stochastic properties which would be expected if the response to one photon were brought about by 25 particles. It is concluded from this that the processes leading to visual responses produce multiplication of particles. The effects of temperature and of metabolic poisons suggest that these processes are of chemical nature. 相似文献
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罗晓羽 《信息技术与标准化》2008,(6):37-39
论述了推进电子行业标准制修订项目计划管理信息化的必要性.并提出了具体措施;详细介绍了电子行业标准制修订项目计划管理数据库的设计思路和实现方法.阐述了对后续工作的几点思考. 相似文献
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对影响镍镀层内应力的因素做了介绍和分析,提出了对收缩应力的一种解释,提供了排除这些因素影响的方法,指出重视镀液的管理是减少各种影响内应力因素的主要办法。 相似文献
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By means of exact conformal mapping method we have defined character of dependence of squares amounts of angular part of film
element on angled part dimension. We propose relations, approximating obtained dependence. Calculation results and experimental
researches of large-scale models are represented. 相似文献
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上市公司为了增强市场竞争力,不断扩大生产规模,追求规模经济,但是由于我国较低生产力水平、政府干预、体制等原因,上市公司的规模经济效果并不明显。同时,20世纪90年代以来,科学技术的日益发展,改变了企业发展的外部环境和条件,使得规模经济的实现方式发生了新的变化。在信息化时代下,规模经济理论需要进一步创新和拓展,企业按照新形势来选择合适的经济规模。 相似文献