深亚微米槽栅PMOSFET结构参数对其抗热载流子效应和短沟道抑制作用的影响

基于流体动力学能量输运模型 ,利用二维仿真软件 Medici对深亚微米槽栅 PMOS器件的结构参数 ,如凹槽拐角、负结深、沟道和衬底掺杂浓度对器件抗热载流子特性和短沟道效应抑制作用的影响进行了研究 .并从器件内部物理机理上对研究结果进行了解释 .研究发现 ,随着凹槽拐角、负结深的增大和沟道杂质浓度的提高 ,器件的抗热载流子能力增强 ,阈值电压升高 ,对短沟道效应的抑制作用增强 .而随着衬底掺杂浓度的提高 ,虽然器件的短沟道抑制能力增强 ,但抗热载流子性能降低     

深亚微米槽栅PMOSFET几何结构参数对抗热载流子特性的影响

基于流体动力学能量输运模型,利用二维仿真软件Medici对深亚微米槽栅PMOS器件的几何结构参数,如:沟道长度、凹槽拐角、凹槽深度和漏源结深导致的负结深对器件抗热载流子特性的影响进行了研究。并从器件内部物理机理上对研究结果进行了解释。研究发现,在深亚微米和超深亚微米区域,槽栅器件能够很好地抑制热载流子效应,且随着凹槽拐角、负结深的增大,器件的抗热载流子能力增强。这主要是因为这些结构参数影响了电场在槽栅MOS器件的分布和拐角效应,从而影响了载流子的运动并使器件的热载流子效应发生变化。     

深亚微米槽栅PMOS结构对抗热载流子效应的影响

基于流体动力学能量输运模型 ,利用二维仿真软件 MEDICI对深亚微米槽栅 PMOS器件的结构参数 ,如凹槽拐角、负结深、沟道和衬底掺杂浓度对器件抗热载流子特性的影响进行了研究 ,并从器件物理机制上对研究结果进行了解释。研究发现 ,随着凹槽拐角、负结深的增大和沟道杂质浓度的提高 ,器件的抗热载流子能力增强。而随着衬底掺杂浓度的提高 ,器件的抗热载流子性能降低。结构参数影响了电场在槽栅 MOS器件的分布和拐角效应 ,从而影响了载流子的运动并使器件的热载流子效应发生变化。     

深亚微米槽栅PMOSFET 特性研究

基于流体动力学能量输运理论，对槽栅PMOSFET器件的端口特性进行了仿真研究，包括栅极特性、漏极驱动能力和抗热载流子性能等。仿真结果表明，与平面器件相比，槽栅结构很好地抑制了短沟道效应和漏感应势垒降低效应，并具有较好的抗热载流子性能，但其漏极驱动能力低于平面器件，并从内部物理机制上解释了上述区别。     

深亚微米槽栅NMOSFET结构参数对其抗热载流子特性的影响

基于流体动力学能量输运模型和幸运热载流子模型,用二维器件仿真软件Medici对深亚微米槽栅NMOSFET的结构参数,如沟道长度、槽栅凹槽拐角角度、漏源结深等,对器件抗热载流子特性的影响进行了模拟分析,并与常规平面器件的相应特性进行了比较.结果表明即使在深亚微米范围,槽栅器件也能很好地抑制热载流子效应,且其抗热载流子特性受凹槽拐角和沟道长度的影响较显著,同时对所得结果从内部物理机制上进行了分析解释.     

杂质浓度对槽栅PMOSFET抗热载流子特性的影响

基于流体动力学能量输运模型 ,利用二维仿真软件 Medici研究了深亚微米槽栅 PMOS器件衬底和沟道掺杂浓度对器件抗热载流子特性的影响 ,并从器件内部物理机理上对研究结果进行了解释。研究发现 ,随着沟道杂质浓度的提高 ,器件的抗热载流子能力增强 ;而随着衬底掺杂浓度的提高 ,器件的抗热载流子性能降低。这主要是因为这些结构参数影响了电场在槽栅 MOS器件内的分布和拐角效应 ,从而影响了载流子的运动并使器件的热载流子效应发生变化     

深亚微米CMOS集成电路抗热载流子效应设计

热载流子效应(HCE)、电介质击穿、静电放电，以及电迁移等失效机理，已经对VLSI电路的长期可靠性造成了极大的威胁。其中，热载流子效应是最主要的失效机理之一。影响CMOS电路热载流子效应的因素有：晶体管的几何尺寸、开关频率、负载电容、输入速率以及晶体管在电路中的位置。通过对这些因素的研完，提出了CMOS电路热载流子可靠性设计的通用准则。     

受主型界面态在深亚微米槽栅PMOSFET中引起退化的研究

界面态引起的器件特性的退化是深亚微米微米器件失效的一个重要因素，本文基于流体动力学能量输运模型，对沟道杂质浓度不同的槽机和平面PMOSFET中受主型界面态引起的器件特性的退化进行了分析，研究结果表明同样浓度的界面态浓度在槽栅器件中引起的器件特性的漂移远大于平面器件，且P型受主型界面态度对器件特性的影响也远大于N型界面态，沟道杂质浓度不同，界面态引起的器件特性的退化不同。     

新型槽栅nMOSFET热载流子效应的模拟研究

应用二维器件仿真程序 PISCES- ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较 ,讨论了槽栅结构 MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应的影响。槽栅结构对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的 ,而此种结构对热载流子的敏感 ,使器件的亚阈值特性、输出特性变化较大     

凹槽深度与槽栅PMOSFET特性

基于能量输运模型对由凹槽深度改变引起的负结深的变化对深亚微米槽栅 PMOSFET性能的影响进行了分析 ,对所得结果从器件内部物理机制上进行了讨论 ,最后与由漏源结深变化导致的负结深的改变对器件特性的影响进行了对比 .研究结果表明随着负结深 (凹槽深度 )的增大 ,槽栅器件的阈值电压升高 ,亚阈斜率退化 ,漏极驱动能力减弱 ,器件短沟道效应的抑制更为有效 ,抗热载流子性能的提高较大 ,且器件的漏极驱动能力的退化要比改变结深小 .因此 ,改变槽深加大负结深更有利于器件性能的提高 .     

凹槽深度与槽栅PMOSFET特性

基于能量输运模型对由凹槽深度改变引起的负结深的变化对深亚微米槽栅PMOSFET性能的影响进行了分析,对所得结果从器件内部物理机制上进行了讨论,最后与由漏源结深变化导致的负结深的改变对器件特性的影响进行了对比.研究结果表明随着负结深(凹槽深度)的增大,槽栅器件的阈值电压升高,亚阈斜率退化,漏极驱动能力减弱,器件短沟道效应的抑制更为有效,抗热载流子性能的提高较大,且器件的漏极驱动能力的退化要比改变结深小.因此,改变槽深加大负结深更有利于器件性能的提高.     

槽栅MOS器件的研究与进展

随产丰ＶＬＳＩＫ器件尺寸越来越小,槽栅ＭＯＳ器件被作为在深亚微９米及亚０．１范围极具应用前景的理想同出来。文中介绍了槽顺件提出的背景,论述了槽栅ＭＯＳ器件的结构与特点,并就其发展现状和趋势以及存在的问题进行了概括和总结。     

凹槽栅MOSFET凹槽拐角的作用与影响研究

短沟道效应是小尺寸ＭＯＳＦＥＴ中很重要的物理效应之一，凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ对短沟道效应有很强的抑制能力，通过对凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ结构，特性的研究，发现凹槽拐角对凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ的阈值电压及特性有着显著的影响，凹槽拐角处的阈值电压决定着整个凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ的阈值电压，凹槽拐角的曲率半径凹槽ＭＯＳＦＥＴ一个重要的结构参数，通过对凹槽拐角的曲率半径，源漏结深及沟道掺杂浓度进行优化设计，可使凹槽栅ＭＯＳ     

超深亚微米P+栅PMOSFET中NBTI效应及其机理研究

本文深入研究了P⁺栅PMOSFET中的NBTI效应,首先通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化,基于这些实验结果提出了一种可能的NBTI效应发生机制:即由水分子参与的Si-SiO₂界面处的电化学反应.最后从工艺的角度给出了减小和抑制NBTI效应的方法.