在氩气氛下生长的C_(60)薄膜的结构与特性

采用惰性气氛蒸发法制备 C6 0 薄膜 ,用原子力显微镜 (AFM)、X射线衍射 (XRD)、红外光谱 (IR)及紫外 -可见光谱研究了在氩 (Ar)气氛下生长的 C6 0 薄膜的表面形貌、结构及光吸收特性 .AFM测量表明在 Ar气氛下生长的C6 0 薄膜的表面生长岛更尖锐 ,并且有较大直径的表面粒子 .由紫外 -可见光吸收谱测量发现 Ar气氛下生长的 C6 0 薄膜的强度和吸收峰位置与在真空下生长的 C6 0 薄膜比较有大的红移 .可求出在 Ar气氛下生长的 C6 0 薄膜的光学禁带宽度 Eg=2 .2 4e V,比在真空下生长的 C6 0 薄膜禁带宽度 (2 .0 2 e V)要大 .与真空下生长的 C6 0 薄膜比较     

含C60聚合物薄膜的制备及其光电特性

采用ＰＥＣＶＤ技术，分别在不同衬底上淀积了含Ｃ７０聚合物薄膜材料，对所淀积的薄膜材料进行了紫外可见光谱，质谱和表面光电压谱的分析，对异质结光伏性和薄膜表面横向光电压进行了测量，得到了具有应用前景的可喜效果。     

碱土族金属掺杂对C60薄膜的电子结构与性质的影响

将Sn粉末和C60粉末共同蒸发获得碱土族金属掺杂的C60薄膜样品，与未掺杂的纯C60样品一起进行扫描电镜，紫外可见吸收光谱和电阻随温度变化特性的测量，分析比较掺杂对薄膜样品的组成，结构和性质的影响，结果显示，掺锡后组成薄膜的纳米颗粒略有增大并突出表面，使薄膜的电子发射阈值降低，掺入的Sn原子在禁带中形成杂质能级，使电子吸收跃迁由原来的直接跃迁变为间接跃迁，导电性也由原来的绝缘体变为N型半导体。     

C60与金刚石薄膜成核关系的研究

采用热丝化学气相沉积法在覆盖C60膜的硅基片上沉积金刚石膜,研究了金刚石膜的成核与生长.实验结果表明,金刚石的成核密度可达1×106Cm-2,利用这种方法可实现衬底无损淀积金刚石膜.C60之所以能够促进金刚石成核,我们认为主要与C60分子本身独特的结构及H原子的激活作用有关.同时,高温下C60分解后残留的石墨等碳碎片以及C原子与衬底Si反应生成的SiC都可作为金刚石的成核位.     

织构C60薄膜的生长研究

本文用热管法以氟金云母单晶为衬底生长出了（１１１）织构的Ｃ６０薄膜，用Ｘ射线衍射谱研究了薄膜的织构特性，用扫描电镜（ＳＥＭ）和原子力显微镜（ＡＦＭ）观测了薄膜的表面形貌、晶粒分布、结晶形和晶粒大小。     

用ICB法制备C60薄膜

用ＩＣＢ法制备Ｃ＿（６０）薄膜１９９０年以来，对作为新材料的Ｃ＿（６０）展开了广泛的研究工作，特别是利用掺杂碱金属来控制电导率，制作临界温度Ｔ＿ｃ＝１８Ｋ（Ｋ＿３Ｃ＿（６０）），３３Ｋ（ＲｂＣｓ＿２Ｃ＿（６０））的超导体，用它制作新电子器件的希望很大...     

Al/C60/Cu薄膜结构的电学性质

将C60薄膜沉积在Al上,制成了Al/C60结构的薄膜二极管。对Al/C60结构的肖特基结构与金属-绝缘层-半导体(MIS)结构的电学特性做了研究。Al/C60肖特基结构在偏压±2 V时的整流比为30,而Al/C60的MIS结构在偏压±2 V时整流比为100。在MIS结构中,AlOx的形成起着关键的作用。研究还发现,刚沉积好的薄膜二极管,其整流效应并不理想,在真空中经退火处理后,其性能得到增强。此二极管在空气中无封装情况下表现出高稳定性。     

碱土族金属掺杂对C_(60)薄膜的电子结构与性质的影响

将Ｓｎ粉末和Ｃ６０粉末共同蒸发获得碱土族金属掺杂的Ｃ６０薄膜样品,与未掺杂的纯Ｃ６０样品一起进行扫描电镜、紫外可见吸收光谱和电阻随温度变化特性的测量,分析比较掺杂对薄膜样品的组成、结构和性质的影响．结果显示,掺锡后组成薄膜的纳米颗粒略有增大并突出表面,使薄膜的电子发射阈值降低;掺入的Ｓｎ原子在禁带中形成杂质能级,使电子吸收跃迁由原来的直接跃迁变为间接跃迁,导电性也由原来的绝缘体变为Ｎ型半导体．     

氩氧气氛下沉积的CdTe薄膜及太阳电池的性质

研究了在氩氧气氛下近空间升华沉积CdTe的技术．发展了在表面十分平整的玻璃衬底上沉积优质CdTe薄膜的方法,对比了在玻璃衬底和CdS薄膜上CdTe薄膜的结构特征．通过研究氧分压对CdTe薄膜择优取向的影响,证实了在恰当的近空间升华沉积过程中,两种衬底上的CdTe薄膜具有相同的结构．研究了玻璃衬底上CdTe薄膜的电学与光学性质,观察了后处理对上述薄膜性质的影响,并研制出了效率达1338%的小面积CdTe 薄膜太阳电池．     

氩氧气氛下沉积的CdTe薄膜及太阳电池的性质

研究了在氩氧气氛下近空间升华沉积CdTe的技术.发展了在表面十分平整的玻璃衬底上沉积优质CdTe薄膜的方法,对比了在玻璃衬底和CdS薄膜上CdTe薄膜的结构特征.通过研究氧分压对CdTe薄膜择优取向的影响,证实了在恰当的近空间升华沉积过程中,两种衬底上的CdTe薄膜具有相同的结构.研究了玻璃衬底上CdTe薄膜的电学与光学性质,观察了后处理对上述薄膜性质的影响,并研制出了效率达13.38%的小面积CdTe薄膜太阳电池.     

VOx薄膜的制备、电阻-温度特性及结构研究

VO2是一种热致相变材料.发生相变时,VO2的电阻、红外光透过率、反射率都会发生显著变化.采用直流反应磁控溅射法,通过改变氧氩比(O2:Ar)、工作气压、衬底温度等制备工艺参数,研究了工艺参数对VOx薄膜的结构、电阻-温度性能的影响.结果表明,当氧氩比为1.0:15、工作气压为2.0Pa时,制备的薄膜中VO2的含量较多;衬底温度为250℃时,制备的VOx薄膜的电阻一温度突变性能最佳.     

氟金云母衬底上C60薄膜的光学性质

用热壁外延法在氟金云母衬底上生长出了高质量C60薄膜,用原子力显微镜观察了样品的表面形貌．测量并分析了不同厚度C60薄膜的紫外-可见吸收光谱．由测量的透射及反射光谱,经计算得到了吸收系数与入射光子能量的关系．利用结晶半导体的带间跃迁理论,对禁戒的带间直接跃迁hu→t1u和电偶极允许的带间直接跃迁hu→t1g的带隙分别进行了计算．     

镀铜玻璃衬底上柱状多晶硅薄膜的制备

采用热丝化学气相沉积方法在镀铜玻璃衬底上制备了柱状多晶硅薄膜.使用XRD、Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)等测试手段研究了灯丝与衬底间距(5～10 mm)、灯丝温度(1 800～1 500℃)以及对应的衬底温度(在320～200℃变化)对多晶硅薄膜的微观形貌、结晶性及晶体学生长方向的影响规律.研究结果表明:在镀铜玻璃衬底上金属诱导生长的多晶硅薄膜具有较高的晶化率,较低的晶化温度,同时铜过渡层影响多晶硅薄膜的晶体学生长方向.     

Zinc Oxysulfide Thin Films Grown by Pulsed Laser Deposition

Pulsed laser deposition was used to produce thin films of zinc oxysulfide (ZnO _x S_1−x ) on quartz substrates. The target was a sintered pellet (ZnO_0.39S_0.61) made of a solution precipitate. The film composition obtained by electron probe microanalysis (EPMA) was ZnO_0.41S_0.59, ZnO_0.44S_0.56, and ZnO_0.37S_0.63 for substrate temperatures of 450°C, 540°C, and 630°C, respectively. X-ray diffraction (XRD) showed that samples deposited at 450°C and at 540°C had a prominent cubic sphalerite phase, whereas samples deposited at 630°C consisted of three phases, viz. hexagonal wurtzite and cubic sphalerite (ZnS), and hexagonal zincite (ZnO). With respect to the tabulated lattice spacings for sphalerite (cell constant 0.5406 nm), distinct shifts were observed for the low temperature samples, yielding cell constants around 0.533 nm. Transmission electron microscopy (TEM)–selected area electron diffraction studies support the XRD data. Patterns of films deposited at 540°C could be indexed as sphalerite, with similar lattice shifts as in XRD, resulting in a cell constant of 0.53. Locally highly resolved chemical analysis by TEM–energy dispersive x-ray analysis revealed a stoichiometry that was consistent with the EPMA results. Ultraviolet (UV)–visible transmission measurements of the films led to bandgap energies around 3.3 eV, which is well below the reported bandgap energies of ZnS.     

ZnSe薄膜的激子光谱

采用分子束外延(MBE)技术,在GaAs(100)衬底上生长了厚度从O.045到1.4μm的ZnSe薄膜.X射线衍射谱证实,随着薄膜厚度的增加,应变逐步弛豫.测量了低温下样品的反射谱和光致发光谱,观察到轻重空穴的能级在不同应变下的分裂、移动和反转,以及激子极化激元(Polariton)对反射谱的影响.也观察到束缚激子发光随着薄膜厚度的变化规律:束缚在中性受主杂质上的束缚激子发光(I1峰)随着薄膜厚度的增加逐渐变弱直至消失,而束缚在中性施主杂质上的束缚激子发光(I2峰)则随着厚度增加逐渐增强.     

ZnSe薄膜的激子光谱

采用分子束外延 (MBE)技术 ,在 Ga As(1 0 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 4 5到 1 .4μm的 Zn Se薄膜 .X射线衍射谱证实 ,随着薄膜厚度的增加 ,应变逐步弛豫 .测量了低温下样品的反射谱和光致发光谱 ,观察到轻重空穴的能级在不同应变下的分裂、移动和反转 ,以及激子极化激元 (Po-lariton)对反射谱的影响 .也观察到束缚激子发光随着薄膜厚度的变化规律 :束缚在中性受主杂质上的束缚激子发光 (I1峰 )随着薄膜厚度的增加逐渐变弱直至消失 ,而束缚在中性施主杂质上的束缚激子发光 (I2 峰 )则随着厚度增加逐渐增强 .