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用卤素钨灯作辐射热源快速热氮化(RTN)10nmSiO2膜,制备了<100>和<111>晶向Si衬底上的Si-SiOxNy-Al电容结构,研究了电子从<100>和<111>不同晶向N型硅积累层到RTN后SiO2膜(或原始SiO2膜)的漏电流和高场F-N隧穿电流。研究结果表明:经RTN SiO2膜化原始SiO2膜从低场到隧穿电场范围都明显地看到电导增强现象,比较RTN后两种不同晶向样品,低场漏电流没有多大的差别而在高场从<100>晶向比从<111>晶向Si隧穿SiOxNy膜的F-N电流却明显增加,借用一种基于横向晶格动量守恒的理论模型解释了这种现象。 相似文献
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用卤素钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) 10 nm Si O2 膜 ,制备了〈10 0〉和〈111〉晶向 Si衬底上的 Si- Si Ox Ny-Al电容结构 .研究了电子从〈10 0〉和〈111〉不同晶向 N型硅积累层到 RTN后 Si O2 膜 (或原始 Si O2 膜 )的漏电流和高场 F- N隧穿电流 .研究结果表明 :经 RTN Si O2 膜比原始 Si O2 膜从低场到隧穿电场范围都明显地看到电导增强现象 .比较 RTN后两种不同晶向样品 ,低场漏电流没有多大的差别而在高场从〈10 0〉晶向比从〈111〉晶向 Si隧穿Si Ox Ny 膜的 F- N电流却明显增加 ,借用一种基于横向晶格动量守恒的理论模型解释了这种现象 相似文献
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超薄SiO_2膜电子隧穿及低场传输电流的温度关系 总被引:5,自引:3,他引:2
在N-Si〈100〉衬底制作了10nm超薄SiO2作介质膜的MOS结构.研究了温度从100~450K电子从Si界面积累层F-N隧穿超薄SiO2的I-V特性及低场传输电流随温度的变化关系.研究结果表明:在较低的温度下,电流与温度基本无关;而在较高的温度下,电流随温度指数增加.为从理论上解释这些实验结果,认为在F-N隧穿电场范围,电流密度J1∝F2exp(-β/F),而在低场范围电流J=J0+J2,J2∝Fexp(-Φ2/kT).J0为低场漏电流.J1从实验数据可以求出,电子从N型Si〈100〉隧穿超薄SiO 相似文献
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Au/(Si/SiO2)/p-Si结构中电流输运机制的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
用射频磁控溅射法制备了Si/SiO2薄膜,利用Au/(Si/SiO2)/p-Si结构的I-V特性曲线对其输运机制进行了分析。结果表明,在较高的正向电场下,载流子主要是以电场协助隧穿(Fowler-Nordheim隧穿)方式通过氧化层,而在低场范围内和反向电场下,电流的产生则以热电子发射的方式为主。 相似文献
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高压MnO2钽电容器漏电流在高温和高压应用环境中的稳定性对电路的安全性和可靠性有重要影响。通过正反向偏置V-I特性测试可知,高压MnO2钽电容器漏电流主要为氧空位缺陷和介质表面的微晶诱发的Poole-Frenkel电流和隧穿电流。在Ta2O5介质表面通过浸渍的方法涂覆一层绝缘树脂阻挡层,以提高界面的势垒和Poole-Frenkel电阻,屏蔽介质表面的晶化点,且抑制氧空位缺陷和晶化点在高温和高场环境应用过程中的互作用。浪涌电流/电压冲击、高低温稳定性、加速121℃-85%RH-63 h和125℃-2000 h寿命测试表明,漏电流在高温和高压环境中的稳定性明显改善,电容器的可靠性和稳定性显著提高。该研究对电子装备系统在严酷环境中的安全可靠运行具有重要的支撑作用。 相似文献
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Si3N4栅MOS器件的隧穿电流模拟 总被引:2,自引:2,他引:0
随着MOS器件尺寸按比例缩小到亚100 nm时代,栅绝缘层直接隧穿(Direct Tunnel-ing,DT)电流逐渐增大.使用Si3N4材料作为栅介质,利用其介电常数高于SiO2的特性,可以在一定时期内有效地解决隧穿电流的问题.文章在二维器件模拟软件PISCES-II中首次添加了模拟高k材料MOS晶体管的器件模型,并对SiO2和Si3N4栅MOS晶体管的器件特性进行了模拟比较. 相似文献
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在Si(110)衬底上制备了Ge源n型Si沟道隧穿场效应晶体管(TFET)。本文研究了温度对Ge源Si TFET器件的电学性能的影响。温度相关性研究显示器件漏电流主要由漏区的Shockley - Read - Hall (SRH) 产生于复合电流决定。器件开态电流随温度升高而增加,这是因为温度升高材料禁带宽度减小,隧穿几率增大。界面缺陷引起的隧穿电流的亚阈值摆幅随温度升高而变差,但是带间隧穿电流的亚阈值摆幅不随温度变化而变化。 相似文献
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采用直流磁控溅射法分别将Cu (Ti)和Cu (Cr)合金层沉积在SiO2/Si衬底上,随后将制得的样品在真空(2×10-3 Pa)中退火1h,退火温度为300 ~ 700℃.对Cu (Ti)及Cu (Cr)自形成阻挡层进行对比研究,通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和透射电子显微镜(TEM)观察并表征样品的微观结构.通过半导体分析仪测试样品的电学性能,并分析了其热稳定性.结果表明,在Cu膜中分别加入少量的Ti或Cr可使Cu沿〈111〉晶向择优取向生长.两种样品交界面处的Cu及Si元素含量迅速下降,表明在交界面处自形成阻挡层,抑制了Cu与Si元素之间的扩散.Cu (Ti) /SiO2/Si和Cu (Cr) /SiO2/Si样品漏电流测试结果表明,Cr自形成的阻挡层具有更好的热稳定性. 相似文献
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引言四季轮回,大自然总是不偏不倚地遵循着这一守则,使人类感受着异样的景观和不断的期待。《信息安全与通信保密》杂志社感受自然恩泽的同时,也期盼着能为信息安全产业界带来四季如春的新意与生机。 二零零一年始办的“中国信息安全发展趋势与战略”高层研讨会已经走过了4个年头,承蒙主管领导、专家学者及广大安全企业和行业用户之关照与呵护,4年后的今天依然能够站在产业的前沿,架设各方之间的桥梁,领略产业风景。此心情不敢独有,现就产业发展之线,连贯研讨会4年的历程,与各方人士共飨。 相似文献
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《Components and Packaging Technologies, IEEE Transactions on》2008,31(3):586-591
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介绍了澳大利亚插头产品的法规要求及插头的型式、尺寸、参数和测试要点,分析了插头的电流额定值和配线之间的关系,强调了插销绝缘套的要求。对重要的试验项目,如弯曲试验、插销绝缘套的耐磨试验、温升试验、高温压力试验进行了说明。 相似文献
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