新型有机非线性光学材料的制备及性能研究

合成了一种新型含呋喃共轭桥的有机二阶非线性光学生色团分子,用IR、1H-NMR和元素分析表征了其结构。热失重分析(TGA)结果表明,化合物的热分解温度为272℃。利用溶致变色法对材料的超极化率μβ值进行了测量,在1 064 nm激光波长下,材料的μgβ值达24 898×10-48esu。将材料作为客体掺杂于聚砜(PSU)中,用旋涂成膜法制成薄膜,对薄膜进行电晕极化后用二次谐波法(SHG)测量其二阶非线性光学系数d33,在激光基频波长为1 064 nm时,测得d33=70 pm/V。     

聚合物薄膜极化方法的研究现状

针对目前广泛采用的几种典型有机聚合物极化方法,从基本原理、系统构成和极化效果以及研究现状和重要成果等各个方面,对比分析了它们的同异性和主要优缺点,并归纳总结了极化的基本思路和改进途径.     

交联型极化聚合物二阶非线性光学特性研究

本文研究了偶氮类交联型极化聚合物薄膜的二次谐波产生及其线性电光效应。测量结果为ｄ３３＝２．３×１０－８ｅｓｕ；ｒ３３＝５．８×１０－８ｅｓｕ。在误差范围内与理论计算值符合。     

电晕极化聚合物膜非线性光学特性

报道了一组新设计的染料分子以掺杂和共聚两种形式加入基质ＰＭＭＡ聚合物．并制成固体薄膜。采用电晕极化（Ｃｏｒｏｎａ－Ｐｏｌｉｎｇ）．获得较大二阶非线性系数（ｄ３３＝１．２６×１０－７ｅｓｕ）．具有较好稳定性。详细研究了极化条件、分子结构、加入基质方式对非线性光学强度和稳定性的影响。     

主客体掺杂型电光聚合物极化条件及弛豫特性研究

实验利用紫外-可见吸收光谱研究了主客体掺杂型非线性聚合物薄膜(DR1/PMMA)的极化条件与生色团取向有序度、弛豫特性之间的关系.结果表明,在不改变其它条件的情况下,随着极化电压的增加,聚合物薄膜的极化取向有序度、抗弛豫性能得到逐步增强;而在接近于该聚合物薄膜的玻璃化温度情况下进行极化,有助于获得更好的取向有序度和抗弛豫性能.同时实验发现,环境湿度的降低则能显著地增强薄膜偶极子的取向稳定性.     

熔融石英的电晕极化及其二次谐波产生

研究了熔融石英的电晕极化过程，从极化熔融石英结构对称性的角度分析了其二阶非线性极化率及其二次谐波产生特性．     

一种新型有机/无机复合非线性光学材料的制备

以含4 [乙基 (2 羟乙基)胺] 4′ 硝基偶氮苯(DR1)生色团的烷氧基硅烷染料(DR1ASD)和正硅酸乙酯(TEOS)为原料,通过溶胶 凝胶法合成了含DR1生色团的新型键合型有机/无机复合非线性光学(NLO)材料,在这种有机生色团与无机玻璃键合形成的交联网络结构中,无机玻璃的刚性三维结构和优良的高温稳定性能有效抑制NLO生色团的极化松弛。二阶谐波信号(SHG)测试表明:合成的键合型聚合物膜的二阶NLO系数(d33)值可达3.41×10-7esu;NLO稳定性也较好,在室温下放置90d,其d33值能维持初始值的94.2%;在100℃放置300min,其d33值仍能维持初始值的57.3%。     

电光聚合物薄膜非线性效应的研究

采用旋涂的方法制备了主客掺杂15％NAEC／PMA有机聚合物薄膜，通过测量其DSC曲线来确定玻璃化温度，并在此温度对其进行电晕极化，测量了薄膜化前后以及退化后的紫外－可见吸收光谱，研究了NAEC／PMMA薄膜中客体生色团的电极化取向以及薄膜的二阶非线性效应。     

分散橙25 掺杂的聚合物PMMA 薄膜全光极化的研究

制备了以分散橙25为客体的掺杂型有机聚合物PMMA薄膜样品，对之进行了全光极化研究，极化使薄膜产生诱导二阶非线性光学效应，种子光的强度越大，其二阶非线性极化率达到的饱和值越大；种子光的位相差、相对强度化、光场强度等因素影响薄膜的二阶非线性的优劣。     

ZnO纳米颗粒薄膜的制备及其光学特性

采用化学回流法制备了3种不同粒径的ZnO纳米颗粒,然后旋涂在ITO玻璃衬底上,形成样品a、b和c3种ZnO纳米颗粒薄膜.场发射扫描电子显微镜(FESEM)结果显示,3种样品晶粒都呈颗粒形状,形成的薄膜较平整,平均晶粒尺寸分别为(φ)5 nm、(φ)25 nm和(φ)40 nm.X线衍射(XRD)结果表明,ZnO纳米颗粒为多晶六方晶系纤锌矿结构.样品a、b在可见光区有很少的光吸收,在紫外光区有很强的吸收,而由于纳米颗粒的直径较大,样品c在紫外和可见光区都存在很强的吸收.室温下的光致发光谱表明,样品a有一个近带边(NBE)紫外发射峰和蓝光发射峰,样品b、c出现一很宽的深能级缺陷相关的可见光发光带,这说明3种薄膜都存在大量的本征缺陷.     

光学薄膜,光电子薄膜及光学有机薄膜

本文评介了新技术，新材料和新工艺在薄膜技术的应用及其最新发展。     

Optical Properties and Critical Points of PbSe Nanostructured Thin Films

Semiconductors - The spectroscopic ellipsometry method is used to investigate the optical properties of PbSe nanostructured thin films formed by the chemical deposition method. Function...     

应用于DRAM的BST薄膜制备与性能研究

BaxSr1-xTiO3(BST)是动态随机存取存储器(DRAM)中常规电容介质SiO2的替代材料。用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Si及Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了较高品质的BST薄膜。系统地研究了在不同退火条件下薄膜的结晶情况、微结构和电学性能。在室温100kHz下,薄膜的介电常数为230。在3V的偏压下,薄膜的漏电流密度为1.6×10-7A/cm2。利用HCl/HF刻蚀溶液成功获得了分辨率达到微米量级的BST薄膜微图形。     

光学薄膜界面粗糙度互相关特性与光散射

为了研究光学薄膜界面的互相关特性及光散射特性,介绍了光学薄膜的散射理论和模型。依据光学薄膜矢量散射的表达式,借助于总背向散射理论分析了光学薄膜界面互相关特性对光散射的影响,并用实验验证和分析了TiO2单层薄膜膜层厚度,K9玻璃基底粗糙度以及离子束辅助沉积(IBAD)工艺等因素对光学薄膜界面互相关特性的影响。结果表明,根据矢量光散射理论计算的光学薄膜界面互相关特性和光散射的关系与实验测量结果一致。随着基底粗糙度、薄膜光学厚度的增加,薄膜界面的互相关特性会变差,采用离子束辅助沉积的TiO2单层薄膜的膜层界面互相关性明显好于不用离子束辅助沉积的薄膜。     

In和Te掺杂PbSe薄膜制备及其对薄膜光电性能的影响机制

采用中频磁控溅射技术制备了PbSeIn和PbSeTe两种掺杂PbSe薄膜, 并采用理论模拟与实际实验相结合的方法研究了In和Te两种元素的掺杂机制及其对薄膜性 能的影响。结果表明,In原子主要通过置换Pb原子的形式进行掺杂,而Te原子则主要置换 Se原子;与未掺杂PbSe薄膜相比,PbSeIn和PbSeTe两种薄膜的光电敏感性均有一定提高, 其中In掺杂PbSe薄膜的平均电阻变化率最高。这是由于In元素在PbSe薄膜禁带内形成深杂 质能级,提高非平衡载流子寿命所导致的。而PbSeTe薄膜的光电敏感性则与未掺杂PbSe薄 膜相近。     

氧杂质及热处理过程对Ge-Sb-Te薄膜的光学性质和晶体结构的影响

研究了氧掺杂Ge Sb Te磁控溅射相变薄膜在 4 0 0～ 80 0nm区域的光学常数 (n ,k) ,发现不同氧成分薄膜的光学性质有较大差别 ,经过热处理后薄膜的光学性质也发生了较大变化。由热处理前后薄膜的X射线衍射 (XRD)发现 ,经过退火处理后薄膜发生了从非晶态到晶态的相变。由薄膜内应力变化和薄膜的结构变化解释了薄膜光学性质的变化     

离子自组装成膜技术制备TiO2／SiO2薄膜光波导

采用离子自组装(ISA)成膜技术制备了TiO2／SiO2复合薄膜光波导，研究了光波导的波导特性。结果表明，随着TiO2含量的增大，光波导的折射率增加，但同时光波导传输损耗增大。一般TiO2占10wt％，此时，光波导中的光损耗较低。在更高的含量范围内，必须使TiO2分散。     

光学薄膜及其应用

本文介绍了光学薄膜和光电子器件用薄膜的技术和应用，以及真空镀膜及其应用结果。