用场效应管和晶体管产生负阻

把一个n型沟道场效应管和一个npn型晶体管,连接成共射一共基极放大器。当改变供电电压时,场效应管的偏置从零变负,而晶体管的基极电流从零增到量大。可以看到,供电电压从零增加到满程时,首先,晶体管截止,而场效应管是负偏置,处于导通状态。供电电压增加到最大时则相反,此时场效应管被切断,而晶体管处于完全导通状态。因此,在零电压和最大电压时,通过线路的电流是零和最小。在电源电压的两个极端之间,电流首先是增加,     

从电子、家用电器元器件到基本电路(十七)

2.晶体三极管的主要参数晶体三极管参数是用来表示晶体管特性和范围的,因此选用晶体管时必须了解它的主要参数。晶体三极管主要参数有:电流放大系数β、β,集电极—基极反向电流Icbo,集电极—射极穿透电流Iceo,集电极最大允许电流Icm,集电极—射极反向击穿电压BVceo,集电极—基极反向击穿电压BVcbo,集电极最大允许耗散功率Pcm和共发射极截止频率f_β(共基极截止频率f_α)、特征频率f_T等。这些晶体三极管的参数也是设计电路、选用晶体管的主要依据。     

从电子、家用电器元器件到基本电路(十六)

五、晶体三极管 1.基本概念晶体三极管是一种具有两个PN结的半导体器件,它又可分为NPN型和PNP型两大类。每一类都分成基区、发射区和集电区,分别引出基极(b)、发射极(e)和集电极(c)。每一类都有两个PN结,基区和发射区之间的结称为发射结,基区和集电区之间的结称为集电结,其结构示意图和表示符号分别如图125和图126所示。国产硅管(如3D系列)多为NPN型,锗管     

用万用表测试场效应管

一、相关基本知识目前场效应管的种类很多,但大体上可分为两大类:一类是结型场效应管;另一类是绝缘栅场效应管(通常简称为MOS场效应管,而MOS是英语“M(金属)—O(氧化物)—S(半导体)”的缩写。与晶体三极管有PNP和NPN两种极性类型一样,场效应管也根据其导电沟道(所谓沟道,就是电流通道)所采用的半导体材料的不同,又可分为N型沟道和P型沟道两种。     

场效应管的结构与检测

场效应管按结构可分为:结型场效应管(JFET)、绝缘栅场效应管(IGFET);按导电沟道可分为:N型沟道、P型沟道场效应管;按栅极数目可分为:单栅、双栅场效应管。一、结型场效应管1.结型场效应管的结构原理、类型及符号结型场效应管的内部结构如图1所示。在N型半导体两侧是两个高掺杂的P型区,从而构成了两个PN结(又称耗尽层),在两个耗尽层的中间形成一条导电沟道。两侧P型区相连接,引出一个称为栅极(G)的控制极;在N型半导体上下两端分别图2两种结型场效应管的符号图3常见结型管的外形和管脚排列引出漏极(D)和源极(S)。它与普通三极管相比较…     

显示器中场效应管工作特点与检测方法

场效应管也是一种由PN结组成的半导体器件,它有P型和N型两种导电沟道,并且还有结型和绝缘栅(金属氧化物)型两种结构。结型是利用PN结在反向偏置下所产生的耗尽区,绝缘栅型则利用栅极电压产生的感应电荷来改变导电沟道的宽窄,从而控制多数载流子在沟道中的漂移运动所产生的漏极电流。所以它属于电压控制类型的器件。从工作性能的角度来看,场     

高效能低功耗稳压电源(四)——四 扰动补偿原理在高效能低功耗稳压电源中的应用

稳压电源的输出电压V_0,受到输入电压V_1、负载电流I_0和环境温度T等的扰动而变化。希望获得稳压电源恒零输出,势必要求用扰动去补偿调整管基极电流所需要的变化量。扰动补偿原理在高效能低功耗稳压电源中的应用,一般有两种办法:一种是误差放大器输入端补偿,经放大后输出去控制调整管。另一种是在调整管输入端补偿(也就是在误差放大器输出端补偿)。前者误差放大器不是恒零输出,而后者是恒零输出。后者为主动扰动补偿。一、在误差放大器输入端补偿下面以变形互补电流放大器高效能低功耗稳压电源,来说明电压补偿、电流补偿和温度补偿。     

延时回路

本发明是晶体管延时回路的改进。如图1,当信号输入端(3)为“0”时,电容(9)通过电阻(4)、二极管(7)充电到电压V_C(V_C为直流电源电压V_B与二极管(7)正向压降V_d之差)。此时,晶体管(11)、(7)中无基极电流通过,晶体管(20)则通过电流i_(ce),输出信号端为“0"。在时间t_1,如果信号输入端(3)为“1”,如图2所示;从时间t_1起电容     

零温度系数微功耗基准电压源

用微功耗运算放大器、结型场效应管和电阻可作一个零温度系数的微功耗基准电压源,如图2、3。其中,场效应管工作点选择在V_(GS)—I_D特性曲线的零温度系数点上,作为零温度系数恒流二极管工作。R_3上流过恒定的电流,其压降就为参考输入电压。微功耗运算放大器LM4250正相接法,它的工作电流由R_(SET)决定。     

带阻晶体管

在一些录像机、大屏幕彩色电视机中使用一种带阻晶体管,作反相器或跟随器。这类管子的外形类似于一般普通的晶体三极管,但其内部结构却与普通三极管有所不同。其基极与外电路之间串接一个电阻(R_1),基极与发射极之间并接一个电阻(R_2)。在制造过程中,这些电阻是用二极管构成的,故带阻晶体管实为二极管-三极管组合器件。它的检测方法同普通三极管,只是注意测量这类管子正、反阻值时,其阻值与普通三极管不同。带阻晶体管的输入端无需增加元件,便可与逻辑电平电路直接相匹配,使用极为方便。     

电磁灶的负载检测及负载变化保护电路

目前国内生产的电磁灶,在设计上大多存在一个严重缺陷,即在最大功率加热情况下,使用允许的最小直径的锅时,电磁灶极易损坏。电磁灶加热过程中,电-磁转换等效电路如图1。三极管与电感、电容、电阻组成准E级型转换器,以改变脉宽(PWM)方式控制直流输入功率。开关三极管基极为高电平时,较大的电流流过加热感应线盘及三极管集电极。基极为低电平时,三极管截止,集电极出现较高的反电动势。电磁灶工作的可靠性可归结为这两个量值是否超出三极管额定值范围。     

光电耦合器结构、符号、外形与检测

1.光电耦合器的结构、符号及外形光电耦合器是电-光-电信号传输的传感器件,其发光体和受光体制作在同一密闭器件中,输入端为发光器件(如砷化镓发光二极管),输出端为光敏器件(如硅光电二极管或三极管)。光电耦合器的电路图形符号及外形见图1所示。当输入端有电信号时,发光二极管点燃,光线射向光电三极管,因光电效应,输出端就有亮电流输出,控制受控器件(如放大器、继电器等)。可见,这是一种以光为媒介的电信号传输方式。光电耦合器具有     

贴片场效应管介绍(一)

贴片场效应管属于电压控制型半导体器件,具有输入阻抗大(108～109Ω)、噪声低、功耗低、热稳定性能好、抗辐射能力强等特点,在电子产品中得到了广泛的应用。贴片场效应管具有:D(Drain)——漏极,相当晶体管的集电极(c);G(Gate)——栅极,相当晶体管的基极(b);     

瑞芯微PK25XX系列MP4播放器故障检修16例

例1:用电源给机器供电,按开机按钮后有开机电流,但是放开按纽后电流就下降为零. 分析与检修:该故障一般是开/关机电路的三极管电流放大倍数太小或者三极管损坏造成的.当按"开机"键时,PLAY_ON应该为接近电池电压,PWR_ON应该为高电平(3.3 V),如果该两点电压异常通常是三极管损坏,或是场效应管(IS2305)损...     

由电源指示灯判断摄像机故障

本文以NV—8000EN型摄像机为例,介绍一种简便、有效的摄像机故障判断方法,供有兴趣的读者参考。电源电路方框图如图1所示。该机的电源通断是由三极管Q1001控制,当系统控制电路送来“电源接通”的信号时,Q1001的基极输入低电平(L)而导通,其集电极输出12V,电压加到IC1001(BA6149LS)①脚。     

MP3/MP4播放器常用三极管及场效应管介绍(上)

一、三极管1.三极管的概念、图形符号、标识及分类半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。它的最主要功能是电流放大和开关作用。顾名思义,三极管具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极称为三极管的基极(用字母b表示),其他的两个电极称为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。根据组合方式的不同,形成NPN型三极管和PNP型三极管。这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补,所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。     

瑞芯微PK25XX系列MP4播放器故障检修16例

例1:用电源给机器供电,按开机按钮后有开机电流,但是放开按纽后电流就下降为零。分析与检修:该故障一般是开/关机电路的三极管电流放大倍数太小或者三极管损坏造成的。当按"开机"键时,PLAY_ON应该为接近电池电压,PWR_ON应该为高电平(3.3V),如果该两点电压异常通常是三极管损坏,或是场效应管(IS2305)损坏,或是3.3V稳压的LDO以及1.5V的DC/DC损坏。     

从电子、家用电器元器件到基本电路(廿七)

2.绝缘栅场效应管结缘栅型场效应管与结型场效应管的不同点在于它们的导电结构:结型场效应管是利用导电沟道之间耗尽层的宽窄来控制漏极电流,而绝缘栅型场效应管是利用感应电荷的多少来改变导电沟道的性质。绝缘栅型场效应管的结构是由金属—绝缘体—半导体三层材料构成的,目前应用最广泛的绝缘体是二氧化硅(SiO_2氧化物),故其结构又变为金属—氧化物—半导     

普通电话作对讲广播使用

本文介绍一个为普通电话专设的简单附加电路,它能为电话机提供正常工作所需的振铃和工作电流,使普通电话机不通过交换机即可实现相互直通对讲,很适用于家庭或小单位各部门间在一定范围内的通话或召开小型电活会议。 工作原理与使用方法: 电路如图1所示。变压器B的双18v输出经整流滤波后成为稳定直流,为三极管V提供基极偏置电压和集电极电流,利用三极管集电极输出阻抗高的特点,     

静电放电和方波EMP对微电子器件的效应

为了得到微波低噪声晶体管电磁脉冲的最灵敏端对和最敏感参数以及相关规律和器件的损伤/失效机理和模式,首先采用静电放电人体模型(HBM),针对两类硅晶体三极管(3DG218、3358)进行了静电放电敏感性相关实验,得到该类晶体管的ESD敏感端对是CB结;器件损伤时的灵敏参数是VBRCEO;又采用方波注入法对两晶体管进行实验比较了从CB结反向注入与从EB结反向注入的损伤电压值,发现该类器件的EMP最敏感端对是CB结而非以往人们认为的EB结。