低损耗的IGBT／MOSFET并联开关在开关电源中的应用

介绍一种由ＭＯＳＦＥＴ和ＩＧＢＴ组成的新颖的低损耗关联开关的构成，工作原理，以及在高频大功率开关电源中的应用，并比较了使用并联组合开关和使用ＭＯＳＦＥＴ（或ＩＧＢＴ）的损耗，给出了在产品的使用效果。     

绝缘栅双极晶体管直流电参数高温性能的测试与分析

通过对绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）直流参数温度特性的测试分析并与ＶＤＭＯＳＦＥＴ进行比较，从中得出ＩＧＢＴ能够承受更大的电流密度，其导通压降在高温下较之ＶＤＭＯＳＦＥＴ有较大的优势。     

智能功率模块及其在功率变换器中的应用

概述了新型器件智能功率模块ＩＧＢＴ－ＩＰＭ的固有功能,介绍了该芯片在我们开发的大功率直流ＰＷＭ调压器及交流电机变频调速等实用系统中的使用方法与技巧。     

IR2130MOS和IGBT驱动器及其应用

介绍了ＩＲ２１３０ ＭＯＳ和ＩＧＢＴ驱动器的功能，及其在大功率开关电源、电机驱动系统中的应用。     

150kHz IGBT将代替功率MOSFET

１５０ｋＨｚＩＧＢＴ将代替功率ＭＯＳＦＥＴ张先广孟进１５年前发明ＩＧＢＴ以来，在中等电压范围（４００～６００Ｖ）内，ＩＧＢＴ就有希望代替功率ＭＯＳＦＥＴ，然而直至今日，一直未能实现，主要原因是：过去ＩＧＢＴ的速度较慢，不能满足某些应用的要求，另外，近...     

高精度直流脉宽调速系统

传统的直流电机调速系统往往采用以晶闸管为主的相控式整流电路，但晶闸管不能自行关断，工作频率低，限制了其在高频领域中的应用。随着电力、电子器件的迅速发展，一些大功率电子器件应运而生，包括ＧＴＯ、ＧＴＲ、ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ等，这些器件既能控制其导通，...     

性能优良的混合双IGBT,MOSFET驱动器SKHI21／22

德国西门康（ＳＥＭＩＫＲＯＮ）公司生产的ＳＫＨＩ２１／２２混合双路ＩＧＢＴＭＯＳＦＥＴ驱动器具有先进的监控电路，可有效防止ＩＧＢＴ损坏，本文着重了介绍了其内部结构功能和部分典型参数。     

一种新型的低压大功率T／R开关MMIC

一种新型的低压大功率Ｔ／Ｒ开关ＭＭＩＣ据《ＩＥＥＥＭＴＴ》１９９５年第５期报道，ＴｓｕｎｅｏＴｏｋｕｍｉｔｓｕ等设计出一种新的ＦＥＴ可转换式ＬＣ谐振开关，取代了常用的Ｔ／Ｒ组件开关。这种新型的低压、大功率、低失真Ｔ／Ｒ开关ＭＭＩＣ可用于手持机等通信设...     

绝缘栅双极晶体管（IGBT）的驱动与保护

在介绍ＩＧＢＴ结构原理及特点的基础上，讨论了设计ＩＧＢＴ驱动电路应考虑的问题和ＩＧＢＴ的过压和过流保护技术。在大功率高压开关电源中的应用证明，所设计的驱动保护电路性能良好。     

IR2110高压MOS驱动器

ＩＲ２１１０是一种有高低两路输出，耐压值５００Ｖ，速度快的大功率ＭＯＳ管或ＩＧＢＴ驱动器，其控制特性好，两路输入分别控制两路输出，使用方便灵活，连线简单，外围器件少，普遍应用于驱动由两个大功率ＭＯＳ管或ＩＧＢＴ构成的半桥式，以向式或其他形式的电路。     

IGBT在客车DC600V系统逆变器中的应用与保护

简要介绍绝缘栅极晶体管（IGBT）的结构、特点及其在铁路供电系统中的应用。重点讨论IGBT模块在铁路客车DC600V供电系统逆变器中的应用与保护。IGBT模块具有损耗小。便于组装,开关转换均匀等优点。应用结果表明,IGBT模块有过压、欠压保护,过流、过载、过热等保护功能,保证DC600V供电系统安全、可靠地运行。     

一种大型电站式光伏并网逆变器辅助电源设计

考虑到大型光伏电站直流母线电压较高,且电压变化范围较大的特点,提出并设计了一款两级式,宽电压输入范围的光伏并网逆变器辅助电源。其可提供24V与±15V直流输出,以及多路IGBT隔离驱动电源。经测试结果表明,该电源完全满足实际应用要求,有较高的推广价值。     

IGBT在无汞平面光源驱动电源中的应用

本文对绝缘栅双极晶体管（IGBT）在无汞平面光源驱动电源中的应用可行性进行了分析。同时对IGBT和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的性能进行了比较,对IGBT在无汞平面光源中应用的可行性进行了分析。结果表明IGBT在大电流应用场合更具优越性,同时IGBT的温度特性优于MOSFET,采用IGBT可以简化电路结构。基于上述分析,设计了一组采用IGBT的12寸无汞平面光源的驱动电源,实验结果表明采用IGBT可以简化电路结构,降低电路成本。     

一种新型智能功率模块（IPM）

介绍一种新型智能功率模块的功能、工艺及应用。该功率模块将多块IGBT芯片与其栅极驱动电路、短路保护、过流（OC）保护、过温（0T）保护、欠压（UV）锁定电路等集成封装于一体,具有供电简单、开关速度高、死区时间小、驱动效率高的特点。在技术方面,对IGBT芯片、续流二极管芯片（FWD）、控制驱动电路及封装结构等方面采取了多种优化处理措施,从而使其具有很高的性能价格比。     

基于CPLD的IGBT高压大功率驱动电路的研究

文中对几种基本的IGBT驱动电路进行了分析,介绍了一种基于CPLD的IGBT高压大功率驱动电路。该方案具有体积小、输出电流大、可靠性高等优点。实验证明了该方案的可行性。     

IGBT在发射机功率开关电路中应用研究

DF100APSM短波发射机在大功率短波台是运用最广泛的机型,IGBT以其驱动简单快速、驱动功率小而饱和压降低的优点,在此机型的功率模块中应用,本文结合实际电路,探讨了IGBT的原理及电路应用及维护,为实际应用中电路的熟悉和维护提供借鉴。     

Reliability enhancement by integrated liquid cooling in power IGBT modules for hybrid and electric vehicles

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) modules in power train system of Hybrid and Electric Vehicles (HEV/EV) are working in harsh environment and high reliability and long lifetime are required. In this work, reliability enhancement by integrated liquid cooling structure in HEV/EV IGBT module is investigated. The thermal resistance of junction to heat sink can be reduced more than 50% by direct liquid cooling as eliminating thermal grease layer, so both active and passive temperature swings decrease significantly which will enhance module reliability and lifetime. The lifetime of modules with conventional and integrated liquid cooling structures are estimated under mission of standard driving cycles. We found that lifetime is prolonged obviously by direct cooling pin–fin base plate, and the compact module also makes the application power system simple and reliable.     

基于IGBT的固态高压脉冲电源的研究与设计

由于脉冲电源有断续供电的特性,在很多领域都获得了广泛的应用,其中高压脉冲电源是系统的核心组成部分。为了获取高重复频率、陡前沿高压脉冲电源,文中提出了一种基于IGBT的高压脉冲电源,系统主要由高压直流充电电源和脉冲形成电路两部分组成,由DSP作为主控制芯片,控制IGBT的触发和实现软开关技术,并用仿真软件PSIM对高压脉冲电源进行仿真分析。验证了设计思想的正确性。     

弧流放电用功率直流电源的设计和实现

介绍了一种弧流放电用功率直流电源的设计方案和实现,该电源满载输出功率为120kW（400V/300A）,调节部分采用传统的Buck电路和高频全桥逆变电路,研究和设计了50kV隔离的高频变压器。IGBT驱动控制芯片采用2SD315A驱动模块,实现了电源短路、过流时高速保护功能。     

IGBT modules robustness during turn-off commutation

The behaviour in terms of robustness during turn-off of power IGBT modules is presented. The experimental characterisation is aimed to identify the main limits during turn-off in power IGBT modules in typical hard switching applications. In this paper an experimental characterization of high power IGBT modules at output currents beyond RBSOA, at high junction temperatures and under different driving conditions is presented. Several devices of different generations, current and voltage ratings have been considered. The experimental characterisation has been performed by means of a non-destructive experimental set-up where IGBT modules are switched in presence of a protection circuit that is able to prevent device failure at the occurrence of any possible instable behaviour. The experimental analysis confirms the very good robustness of high power IGBT modules which can withstand large current overstress well beyond the declared RBSOA limits even at temperatures larger than those one declared by manufacturers. A comparison between IGBT device generation is also presented.