MOS大规模集成电路的可靠性

MOS大规模集成电路(MOS LSI)与分离半导体器件和中规模组件电路一样共同都有很多可靠性问题。但是,由于MOS LSI 电路增加了复杂程度,有较大的芯片尺寸和较高的集成度,需要采取不同的途径来解决。需要在设计者、生产者和使用者(即可靠性的三方面关系)之间有一种密切的工作关系来获得生产上的控制、测试方法和评定可靠性的步骤,同时使MOS LSI 电路的性能和可靠性都最佳化,采用这个办法后,一个每根外接端平均有很多功能的MOS LSI 电路,就能做出一个更可靠的系统(这是与一个同样复杂程度但基于分离器件或较少复杂程度的集成电路相比较而言)。本文对可靠性的一些特殊领域(如图案灵敏性、生产控制、装配、封装和电性能测试等均进行了讨论。     

改进MOS存贮器大规模集成电路制作技术的可靠性试验

在工业技术院大型计划超高性能电子计算机予定使用的144位MOS大规模集成电路随机存取存贮器研究的时候,以检查和改进从试制阶段到大量生产的制作技术为主要目的进行了可靠性试验。 本文的主要目的是报告可靠性试验的数据,同时描述可靠性试验中所采用的测量环形振荡器频率的方法和效果。 试验大体上可以分为三个阶段。从1位单元到144位大规模集成电路存贮器试验的第一阶段。在第二阶段里产生的大部份不良情况是与表面有关。最后第三阶段的样品,把防止衬底泄漏电流的p型扩散作了改进;作为SiO_2针孔的解决办法,加厚了栅氧化膜并改进表面保护;随着进一步减少操作中的灰尘,在设计上对原图进行了修改,把源和漏配置成梳状图形,以减小芯片面积,增大电流和工作容限。 由于以上改进,使寿命从第一阶段到第三阶段得到大约10~3的提高。     

MOS大规模集成电路袖珍机简介

MOS大规模集成电路袖珍机是我厂和广州南华机械厂共同研制成功的我国第一台袖珍机,该机由三片MOS电路组成,如逻辑框图所示,即一,CD—301(集成度为1000个元件),二,CD—32(集成度为1200个元件),三、CD—303(集成度为860个元件)     

大规模集成电路(LSI)控制开关电源

取代50个以上分立元件,单片控制简化设计,减少部分计算,降低成本,改善可靠性。     

MOS集成电路分析程序

在大规模集成电路(LSI)设计中,电路模拟是很重要的,因为LSI电路,特别是MOS器件,不可能用分立元件来模拟。本文对于MOS器件提出一种新的算法,编了一套瞬态分析程序。这个程序(MICAP)只用于MOS电路,但是由于 MICAP 能够同时模拟许多 MOS 管,所以很适于 LSI 电路的模拟。例如,仅40KB的存储量就足够去分析含有500只MOS管的集成电路。     

专用集成电路知识介绍(三)——MOS反相器

1.概述 反相器是MOS电路的基本形式。除逻辑功能外,它体现出MOS门电路的所有基本特点。 图2—14示出了一电阻负载的NMOS反相器及其伏—安特性、负载线和电压传输特性。设计这样一个反相器,要考虑电平和噪声容限,此外还要考虑下面的几项要求。 由于集成电路的成本与芯片面积成正比,因而设计者总是试图努力减少每个电路单元所占的面积。MOS晶体管的最小尺寸由特定工艺的精度限制。     

微处理器控制的MOS存储器检查系统(续)

四、图形检查程序在硬件设计和微指令定义完成后,剩下的工作就是程序设计—编写图形检查程序了,其过程是:流程图-方块图-代码编写。举例如下: 图形检查程序是按照MOSTEK公司MK 4116使用手册中给定的图形检查要求编制的,手册中给出7种检查图形:全“1”全“0”、校验板、对角线(访问周期10μs)、地址奇偶、移动对角线、动态刷新和静态刷新。另外我们又增加了一种经试验认为比较严格的周边打扰图形。这样,图形检查程序就共有8种正式检查图形。这些图形检查程序对存储器检查严格、准确,它不同于一般采用的对读出数码只做海明检查     

专用集成电路知识介绍(四)——MOS电路的基本型式

一、E/D NMOS电路 1.门电路 ①与非门、或非门和组合门 通过在E/D NMOS反相器中并联上附加的工作管便形成E/D NMOS的或非门,如图2—20(a)所示(管子上标有三角者为D管)。由于当只有一个输入为高时其输出必须达到V_(oL),所以各个工作管的W/L必须相同。当然,当有几个输入同时为高时其V_(oL)更低。     

MOS VLSI可靠性浅析

本文论述了ＭＯＳＶＬＳＩ主要失效机理，即薄氧化层击穿，热载流子效应，铝－硅接触失效，电迁移以及软错误，并给出了预防上述失效的一些技术措施。     

语音大规模集成电路综述

本文综述语音大规模集成电路的种类、工作原理、应用领域以及发展情况等。使读者能了解语音电路的全貌和各种电路特点,以便根据自己的实际需要进行正确地选择。     

大规模集成电路的焊接技术

一、大规模集成电路的焊接技术的背景 在硅晶体管和集成电路的生产中,广泛采用热压焊接和超声波焊接,即所谓线条焊接。这对于生产集成度高的中规模和大规模集成电路来说也是适用的。但为了提高生产率和可靠性,最近又研制成一种高效率和高可靠性的焊接法。即所谓正焊。本文就大规模集成电路的焊接技术加以叙述。     

大规模和超大规模集成电路技术(LSI/VLSI)的发展与应用(下)

3.主位片主位片包括门阵列和逻辑阵列两大类,本文仅以门阵列的设计为例.门阵列是由一些采用同样加工方法制造的基本门集成在硅晶片上的一个阵列,如图3.31所示.芯片中央分布着单元阵列,在单元之间有相应的连线,第一金属层沿着纵向设置布线通路,第二金属层沿着横向设置布线通路.目前已发展为三层,第三层安排电源或芯片I/O接头.各层的金属是铝铜合金,层间隔离是二氧化硅.     

大规模和超大规模集成电路技术(VLSI/LSI)的发展与应用(中)

2.位片Am 2900系列位片是当今使用比较广泛的一种位片.本文对其中功能较强的若干支持位片和这些位片的应用,以及AMD公司的较新产品Am 29500系列作一些简单的介绍.2914优先权中断控制器:中断控制器是对来自外部或处理机控制部件的各种中断请求进行处理的设备.一般需要处理从许多地方来的中断源;当多个中断同时发生时,选择最高优先权的中断;当正在处理中断时,禁止较低级的中断;选择地开放、禁止或清除全部中断.若采用由编     

大规模集成和超大规模集成电路技术(VLSI/LSI)的发展与应用(上)

为了进一步提高计算机的性能价格比,推广计算机的应用,半导体电子工业得到了迅速的发展.尤其近十几年来,其发展速度是惊人的.随着半导体集成电路的发展,在芯片系统设计,物理设计以及具体的设计方法等方面都发生了急剧的变化.本文试图对VLSI/LSI的设计,应用与发展作一简要综述.     

塑料封装的晶体三极管及集成电路的野外可靠性(节译)

长期以来,都在注意着塑料封装的半导体和集成电路的防潮能力,并且做过多种试验室试验。本文报导野外试验的结果,并且与试验室试验结果进行比较。这些数据表明,试验室试验并不一定能够予期野外运转的性能。本文提出了一个更为重要的问题,这就是引线压焊所引起的开路或间歇开路的现象。本文的结论是,引线压焊应该引起更大的注意。     

CMOS大规模集成电路制造工艺

一.引言CMOS 集成电路即互补 MOS 型集成电路,系指在同一块半导体村底片上制造 n 型和 P 型两种不同导电沟道的 MOS 场效应晶体管,从而构成的集成电路。与 PMOS 及 NMOS 相比,CMOS 电路有一系列优点。CMOS倒相器在两种不同的逻辑状态下总有一个晶     

大规模集成电路IRDC1733简介

<正> 大规模集成电路IRDC1733是美国模拟器件工业公司(ANALOG DEVICES Inc)生产的,用于将感应同步器输出信号转换为数字信号的专用A/D转换器。感应同步器是将位移信号(直线的或角度的)转换为电信号的高精度位移传感器。以感应同步器为传感器的位移数字显示仪表(简称数显表),在机械行业中应用十分普遍。IRDC1733的出现,标志着感应同步器数显表达到大规模集成电路的先进水平。现将IR-     

数字MOS集成电路的计算机辅助设计和表征

发展计算机辅助电路仿真方法使MOS集成电路的设计、表征和最佳化成为可能。直流特性和瞬态特性的计算,是根据制造工艺数据摘录的并结合分析器件模型得出的物理器件参数来进行的。已经证明任何MOS电路结构(具有相关的串联阻抗和寄生器件)可以利用一个等效反相器来分析。用负载I-V特性曲线和晶体管I-V特性曲线的叠加得到输入-输出转换特性曲线,以提供直流“最坏情况”设计所必需的数据。可用一个简单的器件模型来计算电路瞬态响应。所有计算出的特性曲线与对集成电路进行的测量相当符合。     

VMOS—一种新的MOS集成电路工艺

叙述了一种新的V型槽MOS集成电路工艺(VMOS)。这种工艺是利用硅的选择蚀刻原理来确定MOS晶体管的沟道。整个制作过程包括三次或四次掩蔽工序,并且利用这种工艺能够形成硅栅或者普通金属栅晶体管。这种工艺在要求不高的对准误差条件下,产生非常短的沟道。除了沟道短而外,VMOS晶体管的输出电导要比普通MOS晶体管小,而击穿电压更高。 介绍了VMOS晶体管的一阶理论,并对不同沟道长度的器件进行了测量。也介绍了运用这种工艺制作的某些集成电路,其中包括R—S触发器和27级戽斗式移位寄存器。讨论了在这些应用中VMOS的优点。