共底贮箱氢氧泄漏监测设备研制

本文介绍了共底贮箱氢氧泄漏监测设备的详细结构设计，包括共底抽真空装置、共底气体成分分析装置、发射现场抽空管路和现场使用流程优化等内容。目前，所研制的2套共底氢氧泄漏监测设备已顺利交付使用，并已参与了3次发射任务，确保了火箭发射任务期间的航天器安全和发射人员人身安全，未来将持续服务于新一代中型运载火箭高密度发射任务。     

用于低温贮箱的铝合金-硬质聚氨酯泡沫夹芯共底设计与分析

采用铝合金面板-硬质聚氨酯泡沫夹芯的复合式夹层构型,设计了一种用于低温火箭推进剂贮箱的共底结构,其具有轻量化、易于制造、承载/隔热一体化的特点。通过数值模拟手段,对该共底的隔热效果、结构稳定性及热力耦合问题进行分析。结果表明,该共底满足低温液氢/液氧贮箱隔热要求,在0.342 MPa压差下不失稳,单箱打压低于0.5 MPa时材料不失效。此结构的设计分析可为新型低温贮箱共底的设计提供技术支持。      

低温泵真空系统的安全问题

扼要介绍了以１．１５千克／秒的空气泄漏率破坏液氦系统的真空时，液氦系统内升压情况及下部抽气板所需的安全膜和贮液室所需安全阀的具体计算方法。也介绍了液氦容器承受 ７×１０－３焦耳／（毫秒·厘米２）热／通量时，器壁升温的计算方法及结果。     

液氧液甲烷同温共底贮存瞬态热力特性仿真研究

针对大面积冷屏保护下的液氧/液甲烷同温共底贮箱,建立了耦合真空多层绝热与主动制冷系统的瞬态传热模型,研究了液氧/液甲烷共底自增压与零蒸发贮存过程中贮箱外部绝热结构与内部气液相的热力参数变化规律,讨论了共底夹层采用不具有绝热能力的材料对液氧/液甲烷共底零蒸发贮存特性的影响。研究结果表明,在适当的冷量输入条件下,大面积冷屏方案可以实现外界漏热的有效阻挡;采用铝合金共底夹层有利于稳定液氧和液甲烷的共底贮存状态,使液氧/液甲烷在20 h内快速达到热平衡;在零蒸发贮存周期内,液氧/液甲烷共底贮存温度波动小于0.2 K,压力波动小于2.46 kPa且具有抗热扰动的能力。     

基于AMESim的贮箱增压过程仿真

某挤压式液体火箭发动机推进剂供应系统采取共底贮箱,增压过程中要求严格控制氧化剂箱和燃料贮箱的压差,防止贮箱中隔板破裂发生危险。利用AMESim软件,对该推进剂供应系统增压过程进行动态仿真,并进行系统地面增压试验,仿真结果与试验情况基本吻合。结果表明,在系统增压过程中,隔板压差在设计范围之内,能够保证贮箱安全、可靠工作。     

沸石分子筛制氧工艺的现状及进展

采用沸石分子筛吸附法从空气中制取氧气的方法有３种：（１）变压吸附法；（２）变真空吸附法；（３）压力变真空吸附法。最后又有两种改进的工艺即低温ＶＳＡ和两床ＶＳＡ投入市场。由于吸附法具有可靠性以及使用耐久的特点，因此，在整个氧气市场，这些装置的市场占有率在不断地增加。目前，主要产阀和真空泵的设计结构限制了吸附工艺的生产能力。     

包覆钯和镍后MmNi5基贮氢合金的电极特性

Ｍｍ＿（０．９）Ｔｉ＿（０．１）Ｎｉ＿（３．９）Ｍｎ＿（０．４）Ｃｏ＿（０．４）Ａｌ＿（０．３）合金包覆１０ｗｔ％钯－镍后，电极循环寿命和快速充放电性能有明显提高。同时，钯是较好的吸氢元素，这也提高了负极贮氢合金的电容量利用率。包覆钯－镍的贮氢合金电极２００次循环后电容量仅下降３％。     

测量海况级的计算机算法

测量海况级的计算机算法包一平（中科院东海研究站上海·２０００３２）１海况级的测量原理海况级是对海面不平程度的一种定量的描述，目前我国是沿用波浪级来确定，按波高的大小分为１０级，０级最小，９级最大。波高级根据１／３有效波高来划分，１／３有效波高的定义...     

BSRF 3W1高功率扭摆磁铁光束线真空控制保护系统的设计

本真空控制保护系统是为北京同步辐射装置（ＢＳＲＦ）上的３Ｗ１高功率（总功率为２．５４ｋＷ）扭摆磁铁（Ｗｉｇｇｌｅｒ）光束线（包括前端区、３Ｗ１Ａ和３Ｗ１Ｂ）而设计和建造的。主要建造目的是，保护北京正负电子对撞机（ＢＥＰＣ）电子储存环的超高真空系统和其它光束线不要受到的某一条光束线上突然发生的灾难性真空事故的破坏，以及保护无水冷却和冷却水意外中断了的光束线部件不要被扭摆磁铁发射出来的高功率同步辐射所损坏。此外，在活动水冷挡光罩关闭之前，为了防止快速阀的阀板因过热而被损坏，在快速阀中使用了一种熔点温度为１６８０℃的钛合金阀板，为了给扭摆磁铁光速线提供一个可靠的真空控制保护系统，系统设计是以Ｆ１－６０ＭＲ型可编程序控制器（ＰＬＣ）为基础的，ＰＬＣ负责管理系统的状态监测、真空联锁、控制、自动记录和故障报警等。本文叙述了     

大型全金属超高真空规管比对系统

本文主要介绍了全金属超高真空规管比对系统。该系统具有大容积、全金属等优点。图１展示了系统装置：该系统装置的真空校准室容积为１９８升，规管及连接管道的总容积为 ４．２升，两者之比为 ４７．２倍，满足了 ＩＳＯ／ＤＩＳ ３５６８标准。该系统的极限真 空为 １．７×１０－９Ｐａ，校准范围为 １０－２～１０－８Ｐａ． ９只规管均匀地分布在校准室容器上 （图２），以便减少规管间的相互影响．讨论了影响压强稳定度和均匀性的因素（图３）。 例举了比对实验的实测结果（表 ２）。此系统满足了北京正负电子对撞机（ＢＥＰＣ）贮 存环所用超高真空规管校准的需要，同时，也为其它用户提供良好的服务。     

输油气钢管腐蚀渗漏原因分析

某油井钢管使用不到一年即发生渗漏。采用化学分析、力学性能测试、金相及超声波检验和电镜能谱分析等方法，对渗漏钢管进行了分析。结果表明，该钢管实为焊管，不是技术规范所要求的无缝钢管。加上该焊管的焊接质量较差，加速了输送介质对焊管的腐蚀，最终导致焊管短期内发生渗漏。     

一起空压机带水故障的处理

因级间冷却器泄漏,空压机带水而无法正常启动,在没有完全排除故障的情况下再次启动空压机,使空压机遭受了更大损伤。分析了冷却器泄漏的原因,阐述使空压机恢复正常运行工况的措施和平时操作中的预防措施。     

氧气管道放散管底部开裂和氧气阀门泄漏的处理

介绍6000m3/h空分设备与3套21000m3/h空分设备的氧气管道联网后,出现的氧气专用截止阀关闭不严以及氧气放散阀根部开裂现象,详细叙述新增1个氧气专用截止阀以及部分改造氧压机出口管道的过程,排除了氧气泄漏的安全隐患。     

管道连接头腐蚀失效分析

对石化厂管道连接头腐蚀泄漏失效进行了检查和分析，冷凝气体的液体介质含有Cl^-1和S^-2是产生点和晶间腐蚀的根源。错用钢材及运行后未及时清洗管道是导致点蚀和晶间腐蚀最终引起泄漏失效的主要原因。     

321不锈钢焊接波纹管失效分析

应用光学显微镜、扫描电镜和能谱仪等手段对321不锈钢焊接波纹管表面腐蚀物的化学成分、焊缝区域的显微组织、腐蚀裂纹的形态特征等方面进行检验和分析。结果表明，波纹管局部电镀端内壁腐蚀导致漏气失效，即加工应力、焊接残余应力与含Cl^-或含Cl^-和溶解氧的腐蚀性介质的联合作用使波纹管局部电镀端产生了点蚀和应力腐蚀开裂；退火工艺设计的不合理和钎焊工艺控制不恰当使焊缝热影响区敏化而出现了晶间腐蚀。据此提出了降低和避免321不锈钢焊接波纹管因腐蚀而漏气的措施。     

水冷壁管爆裂原因分析

对爆裂水冷壁管进行了现场取样,经化学成分分析和力学性能测试,水冷壁管材质符合要求。水冷壁结构分析结果显示,爆裂处的水冷壁鳍片宽度比其他位置的鳍片约大2倍,使该处的水冷壁管壁温度高于其他位置的水冷壁管。水冷壁管显微组织分析表明,其珠光体组织出现轻微球化,弱化了晶界结合力。水冷壁在不同工况下壁温存在波动,交变热载荷将使水冷壁管产生膨胀与收缩,导致水冷壁管承受热疲劳作用。因固定水冷壁膜片的拉筋拘束了水冷壁管自由膨胀与收缩,致使应力增大,导致在薄弱位置萌生热疲劳裂纹。裂纹产生后,在应力的作用下将不断扩展并伴随着水冷壁管壁厚减薄,当裂纹扩展至不能承受内压时产生瞬间爆裂。     

FN-20Y型精馏塔故障分析与处理

针对制氮设备配套FN-20Y型精馏塔出液不足的现象,分析原因,采取拆塔大修,从而保证液氮产量。     

FN-20Y型精馏塔故障分析与处理

针对制氯设备配套FN-20Y型精馏塔出液不足的现象，分析原因，采取拆塔大修，从而保证液氮产量。     

670t/h锅炉高温过热器管爆裂失效分析

某电厂1号锅炉的高温过热器在运行中发生爆漏。采用化学成分分析、宏观检验和显微组织分析等方法对爆管进行了分析；同时对爆管内壁氧化膜厚度的动态变化进行了测定，并以此来估算其当量温度，最后计算出剩余寿命。结果表明，过热器爆漏的原因是长期过热造成的。提出了预防措施。     

Formation of polycrystalline-Si thin-film transistors with tunneling field-effect-transistor structure

The formation of a poly-Si thin-film transistor (TFT) device with a tunneling field-effect-transistor (TFET) structure has been studied. With scaling the gate length down to 1 μm, the poly-Si TFT device with a conventional metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor structure would be considerably degraded, which exhibits an off-state leakage of about 10 nA/μm at a drain bias of 6 V. The short channel effect would tend to cause the source/drain punch-through and also increase the lateral electric field within the channel region, thus enhancing the carried field emission via trap states. The TFET structure can be employed to alleviate the short channel effect in the poly-Si TFT device. As a result, even for a gate length of 1 μm, the poly-Si TFT device with the TFET structure can exhibit an off-state leakage smaller than 1 pA/μm and an on/off current ratio of about eight orders at a drain bias of 7 V. Furthermore, even for a gate length of only 0.2 μm, the resultant poly-Si TFT device with the TFET structure can exhibit good electrical characteristics with an off-state leakage smaller than 10 pA/µm and an on/off current ratio of about six orders at a drain bias of 3.2 V. As a result, this scheme is promising for implementing a high packing density of poly-Si TFT devices.