线形同轴耦合微波等离子体系统仿真研究

微波等离子体增强化学气相沉积(MW-PECVD)法产生的等离子体密度高,成膜质量好,是制备高效太阳能电池背面钝化膜的重要方法.基于自主研制的平板式PECVD设备,对其核心部分——线形同轴微波等离子体系统进行了仿真分析,获得了该系统等离子体源的空间分布规律,为设备设计的进一步优化提供技术指导.     

聚合物热解制备类金刚石薄膜的表面形貌研究

类金刚石碳(DLC)薄膜由于其硬度高、杨氏模量大、介电常数高、摩擦系数低、化学惰性好、导热性能好以及生物相容性良好等优异性能而在耐磨涂层及微电子学等方面具有广阔的应用前景。传统制备类金刚石碳膜一般用化学气相沉积法和物理气相沉积法，如微波等离子体辅助沉积、磁控溅射沉积和脉冲激光沉积等，这些气相沉积技术要求设备的投资大，且难以在大而形状复杂的部件上沉积。     

谐振腔式微波等离子体金刚石膜沉积室的研究

微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术被认为是制备高质量金刚石膜的一种最重要的技术手段。但是金刚石膜制备技术的失衡造成了目前国内高品质金刚石膜制备技术水平处于停滞状态,致使国内对高品质金刚石膜的迫切需要一直得不到满足。为此,文章主要通过HFSS 软件对椭圆谐振腔式的微波等离子体的CVD 装置进行设计及对主要尺寸进 行优化,并通过相同条件下与圆柱谐振腔式的CVD 装置的对比,得出了椭圆谐振腔式微波等离子体CVD 装置优于圆柱谐振腔式CVD 装置这个结论。     

磁镜场在直接耦合式微波等离子体化学气相沉积金刚石膜制备装置中的应用

在直接耦合式微波等离子体化学气相沉积金刚石膜装置的石英管反应腔加上磁镜场来更好地约束等离子体,使等离子体球成为“碟盘”状,提高了等离子体球的密度,在基本参数：反应压力2．5kPa、基片温度450℃、气体流量为Ar：40sccm、CH4：4sccm、Hz：60sccm不变的情况下,沉积面积直径由30mm增长到50mm,沉积速度由3．3μm／h增长到3．8μm／h,最大反射电流由15μA减小5μA。从而大大减少了在石英管壁和观察窗的沉积,有效利用微波能量电离出更多的活性基团沉积出高质量的（类）金刚石薄膜。     

硅基氮化镓异质结材料与多晶金刚石集成生长研究

在50.8 mm(2英寸)硅基氮化镓异质结半导体材料上采用低压等离子体化学气相沉积方法淀积100 nm厚度的氮化硅材料,然后采用微波等离子体化学气相沉积设备在氮化硅层上方实现多晶金刚石材料的外延生长.采用氮化硅作为过渡层和保护层有效调控了材料应力,保护了氮化镓基材料在多晶外延过程中被氢等离子体刻蚀,使得外延前后氮化物异...     

SAW器件用金刚石膜的制备工艺研究

针对声表面波( SAW)器件对金刚石膜的要求,采用石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置,研究了不同气体体系对金刚石膜生长速率、电阻率、表面形貌、表层C化合态及相对含量(粒子数分数Xc)的影响.结果表明:在H2-CH3COCH3、CH4-H2-Ar和CH4-H2-N2三种气体体系下,金刚石膜的生长速率分别...     

射频微波等离子体CVD法制备薄膜材料及其应用

低温沉积薄膜技术是发展微电子学器件和光电子学器件的关键工艺。射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR PCVD)技术都是能在低温或常温下制备各类优质薄膜的最新镀膜工艺。本文叙述采用这些技术沉积几种绝缘薄膜材料的制法、性能及其在半导体器件中的应用。     

金刚石聚晶碳膜场发射的场增强特征研究

利用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),在镀金属钛的纯平陶瓷衬底上制备出一层微米量级的类球状金刚石聚晶颗粒碳膜。通过拉曼光谱仪、X射线衍射仪分析了碳膜的成分,通过扫描电子显微镜观察了碳膜的外部形貌。最后利用场发射的二级结构装置测试了碳膜的场发射性能。讨论了金刚石聚晶碳膜的场发射机理,得出碳膜场发射性能优异的原因是金刚石聚晶碳膜表面存在强大的场增强现象。     

Al2O3陶瓷上金刚石膜生长工艺优化及α粒子响应

采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在氧化铝陶瓷衬底上沉积金刚石膜,并制作梳状电极的α粒子探测器.通过优化薄膜生长条件,发现酒精浓度为0.8%、沉积温度为850℃时,金刚石薄膜的介电常数最接近单晶金刚石膜,X射线衍射、喇曼光谱及扫描电子显微镜测试表明金刚石膜的质量较好.探测器的FV测试结果表明暗电流在10-8～10-7A之间,α粒子(241Am 5.5MeV)辐照下电流为10-5～10-4A.     

VLSI用低介电常数含氟碳膜研究

用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备了不同工艺条件下的含氟碳膜。测量了薄膜的厚度和介电常数,并用傅立叶红外光谱分析了薄膜化学结构,发现薄膜成分和介电性与沉积工艺密切相关,对薄膜的SEM分析表明所得薄膜均匀致密。控制适当的工艺条件,可沉积理想的超大规模集成电路(VLSI)用钝化膜。     

沉积温度对碳膜结构及其场发射特性的影响

利用微波等离子体化学气相沉积法在覆盖金属钛层的陶瓷衬底上,利用改变衬底温度方法沉积不同结构的碳膜。通过扫描电子显微镜、拉曼光谱对碳膜进行了分析测试,并研究了不同衬底温度下沉积的碳膜的场致电子发射特性。对于在衬底温度800℃时制备的碳膜,在电场3.3 V/μm时,最大场发射电流密度达1 mA/cm2。     

金刚石薄膜的形成及其场发射特性研究

研究了金刚石聚晶碳膜的生长过程,以及不同生长阶段碳膜的场发射性能。通过磁控溅射法在陶瓷上镀一层金属钛作为制备碳膜的衬底,将衬底放入微波等离子体化学气相沉积腔中,经过不同的沉积时间制备出一系列的碳膜。利用SEM、Raman光谱仪、X射线衍射仪等仪器,对碳膜进行了形貌与成分分析,最后利用二极结构场发射装置,测试了碳膜的场发射性能。着重讨论了金刚石聚晶碳膜生长过程中的变化,并且对金刚石聚晶碳膜的场发射机理进行了深入研究。     

电化学沉积DLC薄膜的AFM研究

类金刚石碳膜 (ｄｉａｍｏｎｄｌｉｋｅｃａｒｂｏｎｆｉｌｍｓ ,简称ＤＬＣｆｉｌｍｓ)是一类硬度、光学、电学、化学和摩擦学等特性都类似于金刚石的非晶碳膜。例如 ,它具有高硬度 ,抗磨损 ,化学惰性 ,介电常数低 ,宽光学带隙 ,良好的生物相容性等特点。它可以应用于机械、电子、化学、军事、航空航天等领域 ,具有广泛的应用前景。目前制备类金刚石碳膜一般用气相沉积方法(化学气相沉积法和物理气相沉积法 ) ,但是气相合成实验装置的复杂性和基底的高温都导致了这些方法具有一定的局限性。近年来 ,研究人员开始了在液态低温下电化学沉积制…     

MPCVD金刚石膜沉积技术及金刚石膜材料在微波电真空器件中的应用

金刚石膜是一种集众多优异性能于一身的新材料,尤其是其热导率高、绝缘性能好以及微波介电损耗低等特点,使金刚石膜在微波电真空器件领域有着重要的应用前景。目前,以微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）方法制备高品质金刚石膜的技术已趋向成熟。本文将针对微波电真空器件这一应用背景,简要介绍国内外高品质金刚石膜MPCVD沉积技术的发展现状,进而对金刚石膜材料应用于微波电真空器件领域的一些典型实例进行简单的介绍。     

微波ECR等离子体溅射法沉积ZnO薄膜

低温沉积薄膜技术在制作先进的微电子学器件和集成多功能传感器方面非常重要。最近,应用微波电子回旋共振(ECR)等离子体溅射法沉积成高性能、高沉积速率和低基片温度的ZnO薄膜。本文叙述应用微波ECR等离子体溅射法沉积ZnO膜的制法及其性能。     

电真空器件

0215054微波硫灯的工作机理〔刊〕/金大志刀真空电子技术一2002,(2)一48一50(C) 对微波硫灯的工作机理进行了探讨,设计了微波硫灯的原理装置,并对其工作特性进行了初步的研究。参5 0215055巧盯127Y14型宽带示波管的研制〔刊〕/耿玉胜刀真空电子技术一2002,(2)一36一38(C) 0215056生长温度对等离子体增强化学气相沉积生长Zno薄膜质量的影响〔刊〕/支壮志刀真空科学与技术学报一2002,22(1)一81~84(K) 以Zn(qHS)2和C02为反应源,在低温下用等离子体增强化学气相沉积方法,在Si衬底上外延生长了高质量的zno薄膜。用X射线衍射谱和光致发光谱研…     

RF—PECVD制备类金刚石碳膜的沉积机理

本文综合评述了用射频率等体化学气相沉积法制备类金刚石碳膜过程中的等离子体化学反应和等离子体与材料表面反应机理的研究概况。     

N离子轰击对纳米金刚石薄膜微观形貌的影响

用化学气相沉积 (ＣＶＤ)的方法制备出的金刚石薄膜具有很高的硬度和优异的耐磨能力 ,但在干摩擦过程中 ,金刚石薄膜经常造成摩擦对偶的严重磨损 ,使金刚石薄膜的应用受到一定的限制[1,2 ] 。本文用微波等离子体化学气相沉积的方法 ,先在单晶Ｓｉ(1 0 0 )片上制备出厚度为 40 0ｎｍ左右的纳米金刚石薄膜 ,然后采用高能Ｎ离子束轰击的方法 ,对纳米金刚石薄膜进行离子束轰击 ,以期达到改善金刚石薄膜摩擦性能的目的。实验用微波等离子体化学气相沉积 (ＭＷＣＶＤｍｉｃｒｏｗａｖｅｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ)的方法在单…     

Cadence公司创建新的全球客户组织

诺发公司(NOVELLUS)宣布开通翻新系统业务，以满足特定市场区域对200mm制造设备不断增长的需求。该业务将从等离子体增强化学气相沉积、钨化学气相沉积以及高密度等离子体化学气相沉积等业务部门开始。而化学机械研磨和光阻去除设备的翻新将在稍后陆续展开。同时，NOVELLUS还将根据客户的需求定制出一整套的系统改进并综合全面的技术支持，从而帮助客户获得可以取代新系统的翻新工艺设备。     

MPCVD中基片加热材料的温度场摄动模型研究

为改进微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）装置中的加热系统，提出了用基片加热材料替代常规加热方式的新的技术路线，建立了基片加热材料的微波轴对称温度场模型并得到了一般解，通过对基片加热材料的微波设计，在MPCVD装置中获得大片基片台直径的均匀温度分布区。