硅基波导光开关及开关阵列的研究进展

光开关是光网络中实现光交换的核心器件.硅基波导光开关作为一类重要的开关器件,具有体积小、开关速度快、兼容性好等优点.近年来随着硅基波导制作技术的成熟,硅基波导光开关及开关阵列的研究日益受到人们的重视.文章介绍了SOI(silicon-on-insulater)光波导、聚合物光波导和SiO2光波导等三类常见的硅基波导在光开关及开关阵列方面的一些研究进展.     

硅基光波导结构与器件

简要评述硅基光波导的结构，工艺及其器件，包括低损耗的硅基光波导，电光波导器件，红外波导探测器，氧化硅光回路等。     

硅 SIMOX 单模脊形光波导研制

本文描述硅光波导技术的重大突破：（１）用ＳＩＭＯＸ技术代替传统的硅外延型光波导，解决了衬底吸收光波．从而显著改善了光波导的传播损耗．（２）在理论及实验上均已解决用调整脊形的高宽比（高宽均能达１０微米左右），制取单模脊形光波导．这种光波导的下覆盖层是ＳｉＯ２，传播损耗小；断面积大，和单模光纤耦合良好．满足了光集成技术中对光波导的几项重要要求．     

硅基光波导结构与器件

简要评述包括低损耗的电光波导器件、红外波导探测器、二氧化硅光波回路等硅基光波导的结构、工艺及其器件。     

全硅结栅控制双注入波导电光开关及调制器的一种新方案

分析了全硅结栅控制双注入波导电光开关及电光调制器的工作原理,给出了器件的某些参数,并对其频带宽度进行了数字估算,经有效折射率△n_(eff)分析表明,这类DIFET波导电光器件是切实可行的。     

新型硅基MEMS集成光波导加速度传感器

本文设计了一种新型硅基ＭＥＭＳ集成光强调制型光波导加速度传感器，在同一 集成了分束器、悬臂梁、质量块、光波导、光探测器等元件，解决了光纤传感器向微型化发展时遇到的装配困难及长期稳定性差等问题，讨论了利用现有工艺在硅基片上实现ＭＥＭＳ集成光波导加速度传感器的可行性。     

SOI光波导开关研究进展

SOI光波导是硅基光波导器件的基础,也是实现其它集成光学器件的基础。文章论述了SOI材料、SOI光波导以及SOI光波导开关的一些特性和研究进展。     

硅基波导、光探测器和CMOS电路的集成

对于集成光学器件和微电子电路制作，应用了驻波监控指示技术（ＳＷＡＭＩ）、局部氧化技术（ＬＯＣＯＳ）、光波导和探测器的平接、漏波，以及镜耦合技术。文章介绍了硅基光波导、光探测器和ＣＭＯＳ电路的单片集成技术。讨论了集成工艺以及静态和动态测量结果     

氮氧化硅光波导的制作途径,性质及应用

重点分析了硅基ＳｉＯＮ光波导的工艺制作途径及其有关性能。根据有关实验结果，讨论了工艺中存在的问题，最后给出了它的应用。     

全硅大断面脊形光波导传播特性的理论分析及实验结果

对当前硅光集成的研究焦点－制备大断面单模脊形光波导的单模条件，用有效折射率法进行分析，也计算了传播常数等性能参数。结果表明，有效折射率法有方法简明、结论确切的优点。它能同时给出单模区、多模区及截止区的条件，已有效指导了ＳＩＭＯＸ及ｎ／ｎ＋外延型两种单模脊形硅光波导的制备。文中最后给出了实验结果。     

用于现代雷达系统的光波导

介绍了用于现代雷达系统的光波导的基本特性和设计考虑，包括其物理和传输性能。简介光波导的种类，讨论几种常用的光耦合技术和波导材料。指出光波导在现代雷达系统中应用的未来发展方向。     

Nd:MgO:LiNbO_3光波导的制备及其特性

一、引言 目前,LiNbO_3是集成光学系统中使用较为广泛的衬底材料。自从Zhong等人首次报道了掺MgO的LiNbO_3晶体具有抗光损伤效应以来,MgO:LiNbO_3晶体在集成光学系统中得到了越来越广泛的应用。而质子交换MgO:LiNbO_3波导具有比纯LiNbO_3质子交换波导高的抗光损伤能力。把具有较好激光性能的钕离子掺入LiNbO_3中就能制成波导激光器。     

一种光波导的新颖数值算法的分析

本文采用了一种新颖的数值算法用来模拟计算光波导器件,主要以集成光学中重要的器件单元劈形与Y分岔为例,通过对数值计算引起的传播常数的误差以及传输系数的分析,对算法进行了简要评估,并将算法定量地与广为使用的有限差分光束传输法（FD－BPM）做了对比,从而突出了该算法的优点与不足之处。     

五层非线性平板波导TE模的特性

文章提出了分析中间层为非线性介质结构的五层平板波导TE模的解析方法,推导出了这种结构下普遍适用的色散关系式,给出了各层介质中的场分布和功率分布的解析式,并根据这一模型,就对称结构的五层非线性平板波导结构的模式特性进行了实例计算与讨论。     

光波导用氟化物玻璃薄膜

系统回顾了光波导用氟化物玻璃薄膜的研究历史,总结了其制备方法与研究现状,重点介绍了氟化物玻璃薄膜在无源光波导和有源光波导上的应用,并对其前景进行了展望.     

求解非均匀平面波导导模的一种新方法

本文给出一种新方法,用多层平板波导逼近非均匀平面波导,借助递推公式用牛顿切线法求解本征值方程,以求出非均匀平面波导导模的传播常数与模场分布。本方法优点在于程序简短通用,计算工作量小,求得结果与精确数值解十分吻合(直至近截止区)。本文给出了各种类型的非对称与对称渐变折射率平面波导的结果。     

紫外写入技术制备光波导器件研究

研究了采用PECVD方法生长的Si基SiO2波导材料的光敏特性.经过高压载氢处理,利用KrF准分子激光脉冲(工作波长为248nm)在波导材料中诱导出的折射率变化量达到0.005,相对值约增加0.34%.详细研究了紫外光诱导出的折射率变化沿样品深度方向的分布情况.最后,采用紫外写入法在PECVD方法生长的Si基SiO2波导芯层中制备出了单模波导和Y分束器样品,并观测到了通光现象,实测结果与模拟结果一致.     

铌酸锂光波导制作工艺进展

文章综述了几种常用的铌酸锂波导的制作工艺,包括表面外扩散、金属内扩散、离子交换和质子交换,并分析、比较和总结了在不同工艺制作的条件下对铌酸锂光波导的性能造成的不同影响。目前,获得高质量光波导的主要途径是Ti扩散和质子交换。同时,文章对逐渐建立起的铌酸锂波导光学特性和结构特性之间的理论关系也进行了介绍。