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SOI光波导是硅基光波导器件的基础,也是实现其它集成光学器件的基础。文章论述了SOI材料、SOI光波导以及SOI光波导开关的一些特性和研究进展。 相似文献
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对当前硅光集成技术的热点、制备大断面低传播损耗单模脊形光波导进行了三维理论模拟设计。脊的上覆盖层是空气(大折射率台阶,非对称情况)或纯硅层(对称情况),均能得到符合实际的模拟结果。改变脊形光波导的高宽几何尺寸或折射率分布值,模拟结果呈现单模、双模或更高阶模的电场分布及光强分布。用相应条件指导硅脊形光波导的实际制备,实测结果表明模拟结果是准确的。 相似文献
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光波导开关是光网络的基础器件。半导体中的电光效应、能带填充效应、多量子阱的量子限制Stark效应以及等离子体色散效应等都可分别被利用来制作成光波导开关。本文综合介绍基于上述效应的光波导开关的发展动态。 相似文献
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随着网络传输数据的爆炸式增长,传统集成电路芯片面临着难以进一步提升交换速率及继续扩大容量等挑战。相较于传统电子芯片,硅基光子器件具有交换速度快、功耗低、带宽大和与CMOS工艺兼容性好等优点,可满足下一代全光交换网络、数据中心和高性能计算光互连的迫切需求,被视为在后摩尔时代突破芯片容量最具前途的解决方案,受到日益广泛关注。文章介绍了硅基光子芯片中光开关单元及阵列的技术原理和发展现状,重点论述了MZI型、MRR型开关单元,以及常见阵列拓扑结构,介绍了近年来大规模光开关阵列的国内外研究进展,讨论了未来硅基光开关及阵列研究中面临的主要问题和解决方法。 相似文献
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简要评述硅基光波导的结构,工艺及其器件,包括低损耗的硅基光波导,电光波导器件,红外波导探测器,氧化硅光回路等。 相似文献
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全硅大断面脊形光波导传播特性的理论分析及实验结果 总被引:2,自引:0,他引:2
对当前硅光集成的研究焦点-制备大断面单模脊形光波导的单模条件,用有效折射率法进行分析,也计算了传播常数等性能参数。结果表明,有效折射率法有方法简明、结论确切的优点。它能同时给出单模区、多模区及截止区的条件,已有效指导了SIMOX及n/n+外延型两种单模脊形硅光波导的制备。文中最后给出了实验结果。 相似文献
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光开关和光开关阵列技术的发展研究 总被引:7,自引:0,他引:7
光开关与光开关阵列是DWDM光网络的关键器件,主要用来实现光层的路由选择、波长选择和光交叉连接等功能。文中全面论述比较了光开关和光开关阵列技术。 相似文献
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光开关和光开关阵列技术的发展研究 总被引:4,自引:0,他引:4
光开关与光开关阵列是DWDM光网络的关键器件,主要用来实现光层的路由选择、波长选择和淆交叉连接等功能,文中全面论述比较了光开关和光开关阵列技术。 相似文献
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硅基光波导材料的研究 总被引:2,自引:2,他引:0
光波导是集成光路及其元器件中最基本的构成单元。本文介绍了各种不同类型的光波导材料的特性。硅材料作为目前研究得最透彻的半导体材料,它在光电子领域的应用也是令人关注的。硅基光波导材料种类繁多,主要包括聚合物、外延硅/重掺杂硅、SiO2,SOI和SiGe/Si等。硅基光波导材料是实现硅基光波导器件的基础,本文阐明了它们各自的特点和应用前景。其中聚合物、SiO2和SOI波导是目前研究的热点。 相似文献
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SOI材料是近年来应用于硅基光电子学中的一种重要的光波导材料。本文首先简要介绍了常见的SOI材料的制备方法,包括注氧隔离(SIMOX-SOI)、硅键合背面腐蚀(BE-SOI)和注氢智能剥离(Smart Cut)等,并比较了它们各自的特点和优劣。其次介绍了SOI材料加工制造波导的基本工艺,包括光刻和刻蚀,其中刻蚀又分为干法刻蚀和湿法腐蚀。 相似文献
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MEMS光开关的研究与进展 总被引:4,自引:0,他引:4
光开关是光通信网络的重要功能器件,MEMS光开关是最具发展前景的光开关之一。在简介不同种类光开关原理特点的基础上,详细分析了当前主要的MEMS光开关的分类、结构、工艺与性能特点,并给出这一领域的研究与发展状况。 相似文献
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半导体硅材料不仅是一种电子材料,也是一种合适的光子材料。成熟的微电子加工工艺更为硅光子学提供了坚实的技术基础。根据第八届Ⅳ族光子学国际会议的信息,文章综述了硅基光波导技术特别是SOI光波导技术研究的最新进展,着重介绍了光调制器、亚波长光栅、混合集成、封装以及波导加工等方面的新理念与新方法。 相似文献
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全内反射型光波导开关反射特性的分析 总被引:1,自引:0,他引:1
本文详细分析了全内反射型光波导开关的反射特性,指出反射模存在位相变化及其相对位相差。数值计算结果表明,反射TE模和反射TM模强度反射率、反射损耗,它们的位相变化及其相对位相差都与光波导开关区介质折射率改变量、损耗以及传播角有密切关系。 相似文献