量子级联波长上转换系统红外响应特性研究

通过对波长上转换红外探测过程的分步测试和理论计算,对量子级联波长上转换器件与系统的红外响应特性进行了深入的研究。结果表明:量子级联波长上转换红外探测器件可以在较低的本底发光下实现较强的红外响应。上转换器件的响应度在平带偏压附近迅速增加,且红外光转换为上转换器件电流的线性度良好。对于波长上转换器件的近红外发光过程,文中应用ABC模型,获得了与测试结果非常一致的系统响应电流与电流转换效率,并合理地解释了波长上转换红外探测系统的非线性响应特征。     

发光量子阱对波长上转换红外探测器效率的影响

波长上转换红外探测器在实现大面阵、低暗电流红外探测方面具有很大的发展潜力.短波长光子的发光效率是影响上转换器件效率的重要因素.设计、制作了具有不同发光阱个数的波长上转换红外探测器件,结合器件的红外响应和仿真计算,分析了发光阱个数对波长上转换效率的影响规律.研究结果表明,选择单个发光阱,有利于提高器件的发光效率,从而提高波长上转换效率.     

一种结构新颖的锗硅NPN HBT器件特性研究

对一种结构新颖的锗硅NPN HBT器件的特性进行了研究。通过分析器件发射极窗口宽度W和长度L对器件直流和交流特性的影响,对器件在结构上和制作工艺上进行了优化,得到性能与业界可比的三种不同耐压水平的器件(高速器件、标准器件和高压器件),并且成功地被应用于光通讯和射频功放等商业产品中。     

MEMS器件在航天领域的应用及发展

介绍了MEMS器件在航天领域的应用及发展,通过航天应用的一些要求和特点,分析了MEMS器件在航天应用中重点关注的一些可靠性问题,如辐射、真空、热冲击和机械振动。根据MEMS器件在当今航天领域的实际应用状况,展望了MEMS器件的前景。提出MEMS器件已成为航天应用领域不可缺的重要器件,在实现系统的小型化、低成本化和性能改善上发挥着巨大的作用。最后预测MEMS器件的发展趋势是取代空间载体、通信和导航平台及有效载荷上体积大而笨重的器件,最终实现航空航天系统的小型化、智能化和集成化。     

6.电子器件设备的附加价值由传感器承担

在此次的CEATEC上展出的多种器件中,最引人注目的就是代表输入器件的传感器.用户接口的好坏在很大程度上左右着设备的附加价值.受此潮流的影响,众多芯片及器件厂商在此次展会上展出了负责输入部分的传感器.与此相比,处理器及存储器等器件也在日益成熟.     

显示技术在汽车上的应用

本文介绍了汽车用显示器件的发展,汽车对显示器件的要求,及新型显示器件在汽车上的应用。     

Xilinx ISE 10.1设计套件:设计工具走向整合

随着半导体工艺技术的进步,FPGA器件的门数量达到数百万门,且得益于65nm工艺技术,现今的FPGA器件无论从价位上还是器件本身性能及尺寸上已经完全能够支持高性能大批量产品的设计,而不再仅局限于作原型设计平台了.     

可实现大容量化的三维SOI MOS器件

业已明了,SOI器件用绝缘物进行元件隔离,可减小电容和布线电容值。所以,人们深信集成电路可达到更加高密度,高速化。大家早就知道,SOI器件有采用在蓝宝石单晶衬底上外延生长单晶硅薄膜的“蓝宝石上硅”(SOS)器件及采用在SiO_2上沉积多晶硅薄膜制作的“绝缘体上硅”(SOI)器件。采用多晶硅薄膜制作的SOI器件与SOS器件相比较,其特点是,由于SOI器件能在非晶形绝缘膜上制作,所以,可采用任意衬底。但存在的问题是,由于其采用的薄膜不是单晶而是多晶,所以晶粒边界会造成载流子紊乱,MOS FET的场效应迁移率与体硅及SOS相比,降低至1％。     

采用局域注氧技术制备的新型DSOI场效应晶体管的热特性

通过局域注氧工艺,在同一管芯上制作了DSOI、体硅和SOI三种结构的器件.通过测量和模拟比较了这三种结构器件的热特性.模拟和测量的结果证明DSOI器件与SOI器件相比,具有衬底热阻较低的优点,因而DSOI器件在保持SOI器件电学特性优势的同时消除了SOI器件严重的自热效应.DSOI器件的衬底热阻和体硅器件非常接近,并且在进入到深亚微米领域以后能够继续保持这一优势.     

利用静止畴原理制作的高灵敏度新型GaAs Hall器件

本文用计算机模拟分析了GaAs Hall器件的工作原理,当体内出现静止畴并扩展到Hall器件的电压端时,器件输出阻抗增加,Hall器件的灵敏度相应提高一个数量级;获得高灵敏度的静止畴型的GaAs Hall器件;在实验上证实了这一结果.这种新工作模式的器件将能得到更广泛的应用.     

基于有限元法对发射极指分段结构的多指SiGe HBT的研究

针对传统多指SiGe HBT发射极指中心区域和器件中心区域温度较高导致热不稳定问题,提出了新型发射极指分段结构来抑制功率SiGe HBT中心区域的自热效应,提高器件温度分布均匀性.利用有限元软件ANSYS对器件进行建模和三维热模拟,研究器件温度分布的改善情况.结果表明,与传统不分段结构的器件相比,新型分段结构的多指SiGe HBT的指上的温度分布更加均匀、不同指上的温差和集电结结温明显降低,自热效应得到有效抑制,器件的热稳定性得到增强.     

GaN肖特基器件电学性质的模拟研究

基于二维数值模型对GaN肖特基器件进行模拟计算,主要研究MIS结构的肖特基器件的界面层和本征漂移层对肖特基器件电学性质(电场强度分布和不同结构的I-V特性等)的影响.模拟结果显示MIS结构的肖特基器件中的界面层主要影响器件的电流特性以及开启电压,提高自身的电场强度,降低暗电流,而本征漂移层则主要影响器件的电场强度分布,对器件的正向电流有比较明显的影响.通过器件模拟可以在一定程度上优化器件结构,提高器件性能.     

采用局域注氧技术制备的新型DSOI场效应晶体管的热特性

通过局域注氧工艺 ,在同一管芯上制作了 DSOI、体硅和 SOI三种结构的器件 .通过测量和模拟比较了这三种结构器件的热特性 .模拟和测量的结果证明 DSOI器件与 SOI器件相比 ,具有衬底热阻较低的优点 ,因而 DSOI器件在保持 SOI器件电学特性优势的同时消除了 SOI器件严重的自热效应 .DSOI器件的衬底热阻和体硅器件非常接近 ,并且在进入到深亚微米领域以后能够继续保持这一优势 .     

真空微电子器件发展现状及远景了望

本文论述了真空微电子器件的发展远景,并回答了为什么真空微电子器件在未来必将取代固体器件,以及目前它在工艺上和理论上存在些什么困难。     

高精度ADC测试技术研究

随着高性能ADC器件的不断出现,传统的ADC器件测试评价方法已经越来越不适用于高性能ADC器件。为从工程上实现高性能ADC器件的测试评价,提供了一种高性能ADC器件关键参数评价的新算法,同时详细地分析新算法的原理并且论证了新算法的正确性。目前该算法已经大量地应用到高性能ADC器件的实际测试评价中去,解决了高性能ADC器件难以评价的问题。     

SiCOI MESFET的特性分析

提出了一种新的器件结构-SiCOI结构,即硅衬底上外延SiC制造MESFET器件,并建立了SiCOI MESFET器件结构与模型。使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。同时,还对SiCOI MESFET器件的击穿特性进行了模拟。这些电学特性数据为进一步设计及优化SiCOI MESFET器件提供理论基础。     

LGA器件焊点缺陷分析及解决措施

针对LGA器件回流焊后常见的空洞和锡珠等缺陷,对其产生的原因进行了分析.通过对LGA器件采用预上锡回流工艺和印制板钢网LGA器件处一字架桥开口的方式,使回流焊过程中焊膏的挥发气体加速逸出.通过对比试验,找到合适的预上锡钢网尺寸,解决了LGA器件焊接中常见的空洞大的缺陷问题.     

光因特网中的关键光器件技术研究

对光因特网中的关键光器件技术进行了探讨与研究。下一代光通信网络的发展,关键在于其光器件技术的突破上,要克服光网络节点处理的速率瓶颈、实现全光联网、高效传送和交换IP业务,就必须积极研究开发新的光器件。在光开关技术、光纤放大器技术、波长变换器技术以及其它关键光器件技术上有所突破,是建设光因特网的关键所在。     

提高GaN功率器件开关频率的技术途径

GaN基增强型高速开关器件是提升X波段微系统集成放大器工作效率的核心器件.介绍了凹槽栅结构、F-注入等制作GaN基增强型器件的关键技术,同时分析了场板、介质栅等对器件击穿特性的影响.针对影响GaN基功率器件开关特性的主要因素,重点分析了提高增强型GaN基功率器件开关频率的主要技术途径.减小器件的接触电阻、沟道方块电阻可以降低器件电阻对频率的影响.小栅长器件中栅电容较低,电子的沟道渡越时间较短,也可以提高器件的频率特性.此外,由于GaN基的功率器件频率高,设计应用在GaN器件上的栅驱动电路显得尤为重要.     

分立器件时间测量单元的研制

分立器件的时间参数测量是分立器件参数测量的重要组成部分,随着分立器件设计技术的不断提高,如何高效准确地测试分立器件的时间参数是分立器件交流参数测试研究的重点。本文介绍了时间参数测量电路,从频率可调的方波产生电路,到时间测量电路做了一个系统的描述,此时间测量单元的测试结果在JC90分立器件测试仪器上得到了正确的验证。