一款最简单的NMOS管H桥的制作

H桥是驱动电机基本电路,这个电路由于工作在大电流,高反压状态下,如果没正确选用元件参数,很容易损坏。网上一些论坛经常出现电动小车损坏H桥的问题,本文提出了一个最简单的NMOS管H桥制作方案,很容易制作,很耐用。     

深入探讨NMOS管H桥的设计与制作

本文在最简单的NMOS管H桥的基础上，做出了改进。设计并制作出一款功能更完善、效率更高的NMOS管H桥。文中采用了软件仿真设计，并结合了实物实验测试。这款NMOS管H桥带有电荷泵，使电路效率更高，能提高电源利用率，提高小车速度。     

应变Si表面沟道NMOS器件研究

应变MOS器件是在以Si为基础的MOS器件制造过程中引入应变,利用Si和SiGe晶格常数差异产生压应变或张应变,从而提高了载流子迁移率.在性能上,应变MOS器件拥有更高的工作频率、更强的电流驱动能力、更高的增益和更低的功耗;在工艺上,应变Si、应变SiGe工艺技术与普通Si基CMOS工艺兼容性好.本文综合考虑现有工艺条件和工艺复杂性设计了应变Si表面沟道NMOS器件结构,并采用仿真软件ISETCAD,对器件性能进行分析.     

摄像头模组ESD保护模型分析与电路设计

摄像头模组主要由镜头、滤色片、音圈马达、马达驱动、图像传感器等部件构成。图像传感器和音圈马达驱动都是CMOS半导体器件,对ESD(Electro-Static Discharge)非常敏感。本文的主要内容包括以下几个方面:(1)摄像头模组的ESD保护设计,主要从结构设计和电子设计两个方面来阐述,结构设计时主要对ESD敏感区的保护;电子设计时主要是对CMOS芯片的接口引脚进行保护。(2)人体模型的研究,主要讨论HBM(Human Body Model)的仿真模型的创建。(3)静电释放的波形仿真和实验,主要讨论测试环境的建立,并对比目标和实际波形。     

混合电压I/O电路的ESD保护结构研究

给出了混合电压I／O电路坚固的ESD保护结构，它是由放大器结构的NMOS晶体管组合而成，这个保护电路由硅化物和硅化物隔离两种工艺研制而成，为了确保硅化物件指状良的一致性，增加了栅电压电路，研究电路的设计规划以避免产生寄生的击穿路径。     

多层NMOS技术对I/O接口的ESD保护作用

本文提出了NMOS堆栈触发控制硅整流器（SNTSCR）作为ESD箝制工艺用来保护CMOS芯片的I／O端。与没有使用厚栅氧化层来克服栅氧化可靠性的CMOS工序充分兼容。在0．35μmCMOS工序中，有不同参数布局的ESD SNTSCR工艺已经研究过。带有1．20μmNMOS堆栈沟道的I／O端的人体模式ESD（HBMESD）电平可以借助只有60μm／0．35μm的SNTSCR由2kv提高到8kv。     

新型智能接地网接地电阻测量装置的研究

接地电阻值是发电厂、变电站接地系统的重要技术指标。本文回顾了传统的接地电阻测量方法，介绍了变电站接地网接地电阻智能测量装置的组成、工作原理和特点。该装置可以缩短测量引线的长度，而且测量所需电流小，大大提高了测量的准确性与便捷性。     

二甲醚装车鹤位静电接地监测系统

采用SL-038A接地监测报警仪,在二甲醚装车过程中对其静电接地是否符合要求进行全程监测,一旦出现接地不良时,自动切断二甲醚液相切断阀.达到静电接地不符合要求不允许启动液相切断阀的目的.     

浅谈发射台电力接地与高频接地的区别

发射台接地是用来保护人身安全、设备安全、播音安全的重要技术措施。接地系统根据不同的保护对象分为系统接地、保护接地、高频接地等。接地的根本目的就是通过将设备上的过电流引入大地,起到保护设备和人身安全的作用。由于日常工作中经常将接地概念混淆,因此本文针对几种接地的方式进行了不同论述。     

对相移同轴电缆Bragg电栅特性的研究

对同轴电缆进行周期性钻孔形成同轴电缆布拉格电栅（ CCBEG）,通过三维电磁仿真软件Ansoft HFSS（高频结构仿真器）对CCBEG进行了建模和仿真,仿真结果和实验结果进行对比,频率特性基本一致,仿真结果可以作为电栅特性研究的依据。对于传感应用,提出了相移CCBEG并对周期长度、钻孔尺寸等参数进行了优化,减小了线宽,提高了传感精度。研究为进一步实现基于CCBEG的传感器研究和参数优化提供了理论指导和实验基础。     

容栅传感器及其在目标运动转台中的应用

该文采用等效电路法研究了容栅传感器的数学模型。首先具体分析了容栅传感器的基本原理,依据其原理提出了合理的等效电路。同时给出了其测量专用集成电路的逻辑框图并简单介绍TN量电路的原理。出于经济性、简便性、实用性的考虑,在该文介绍的转台控制系统中,用容栅作为位置传感器,取代原来惯用的光电编码器和电位器。在系统中通过容栅数硅仪将容栅传感器测得的数据转换成RS-232串口信号,直接将转台各轴位移反馈信号送到工控机形成位置闭环,从而成功地控制各轴的运动。     

基于移动通讯终端的ESD问题研究

介绍了手机的工作原理及存在的静电问题;从实际出发,重点阐述了手机的结构设计、PCB设计、电路设计中应注意的问题,提出了手机设计中静电防护和改进的措施。     

衬底触发层叠式NMOS实现混合I/O静电保护机制研究

衬底触发技术可以大幅度提高大尺寸NMOS器件的ESD级别.将衬底触发技术融合到层叠式NMOS器件中来产生衬底触发层叠式NMOS器件,理论分析结果表明衬底触发技术可以提高混合电压I/O电路中层叠式NMOS器件的ESD稳健性,基于0.35μm CMOS工艺的模拟结果表明应用带有衬底触发技术的层叠式NMOS器件的HBM模型ESD级别提高约60%,这就验证了衬底触发设计对提高混合电压I/O电路的ESD级是有效的.     

ESD系统的防雷设计

随着紧急停车系统（ESD）在工业中的应用日趋增多,它遭受雷击干扰和破坏的程度也逐渐上升。为了提高ESD系统的安全性,ESD系统的防雷成为设计重点。介绍了防雷接地在ESD系统中的设计构成及其重要性。     

中性点非有效接地配电网弧光接地的物理模拟研究

弧光接地是中性点不接地配电网中最常见的故障，对电网设备的绝缘性能有严重威胁，从而影响电网运行的稳定性，亟需进行弧光接地故障研究。研究提出弧光接地的物理模拟方法,设计实现弧光模拟装置，通过精确控制放电间隙及放电极移动速度，实现稳定模拟的电弧接地、间歇性电弧接地、弧光渐变等各种弧光接地现象。记录试验波形，并进行分析波形，发现弧光放电的规律。结果表明，物理模拟方法能够可控模拟弧光现象，记录下的波形数据可为处理弧光接地故障提供参考。     

电子电气设备系统接地问题的研究

对某测试设备故障现象进行分析,论述了电气设备系统接地的重要性,以及接地方案不正确带来的影响,并详细地介绍了接地类型和作用,最后提出电气设备系统接地的原则和方法。     

低压配电系统中性点接地与不接地的技术分析

三相交流低压配电系统中性点接地重点有两种形式:一是中性点借助有着大电阻和消弧线圈等接地装置连接接地设备或者是不接地,也被叫做小电流接地系统。二是把中性点通过小电阻或者是直接接地,在出现单相接地短路的情况下,接地电流很大,又称为大电流接地系统。一般而言,跟线路的政策电流进行比较,单相接地短路的电流会大很多。为此,在系统出现单相短路的情况下,保护设备需要动作于跳闸,将短路故障切除,回复系统其它部分的顺利工作。     

控制系统中屏蔽接地的应用

介绍了控制系统中屏蔽接地的方式,并对屏蔽接地方式在控制系统中的应用和选用进行了讨论.     

光纤Bragg光栅水听器的实验研究

根据光纤Bragg光栅的传感原理,提出了一种新型水听器———膜片式光纤Bragg光栅水听器,并对其可行性进行了研究。实验表明:膜片型光纤光栅水听器可准确检测水声信号。