高纵横比微孔列阵的干刻工艺

本文简述了干法刻蚀的现状和Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘ－ＩＣＰ的结构原理，给出了高纵横比微孔列阵的初刻结果，并对有关参数进行了初步讨论。     

大纵横比物体电磁散射问题的推广T矩阵程式

由于原始的T矩阵不适用于求解具有大纵横比物体的电磁散射问题,针对二维问题,通过对其格林函数的椭圆柱波函数展开,提出一种求解二维电磁散射问题椭圆柱波函数的T矩阵程式(推广T矩阵)。结果表明:推广T矩阵能够很好地用于处理谐振频域的大纵横比物体的电磁散射问题。     

用智能天线和功率控制提高感知系统信干噪比

为了减小干扰和降低误码率,达到性能优化。将智能天线和功率控制两种技术相结合,通过智能天线对信号进行波束成形处理,再利用基于博弈论的发送端功率控制。考虑其他用户发送功率等级策略的影响,通过不断迭代功率,实现各个用户发送功率值的改善。比较纯粹使用功率控制的方法,可以使感知系统的信干噪比、吞吐量、发送功率等性能得到更多改善,仿真实验证明了其优越性。     

一种基于最大化信干噪比的通信混合信号多通道盲分离算法

对通信混合信号多通道盲分离中噪声放大问题进行了研究。基于最大化信干噪比的思想,提出了一种新的求解分离矩阵的算法。当混合矩阵条件数较大时,该算法能很好地解决由于噪声放大造成的分离性能下降。仿真表明,该算法能有效地降低误码率,提高盲分离性能,具有实际意义。     

多小区多播无线携能通信鲁棒信干噪比平衡

针对非理想信道多小区多播协作网络中的供能问题,提出了一种鲁棒的无线携能通信优化方案,该方案以最差用户信干噪比最大化为目标、以每用户能量采集和每小区功率为约束,在保证用户能量采集约束和系统功率预算的前提下实现最差用户服务质量最优化.为了求解优化问题,采用半定松弛和S-引理将原始问题转化为拟凸优化问题,进而采用二分迭代算法得到问题的最优解.仿真结果表明,所提系统设计正确,迭代算法收敛特性良好.     

一种高电源抑制比的LDO电路设计

设计一种基于0.35μm 2P4M CMOS工艺,具有高电源抑制比、快速负载瞬态响应特性的低压差线性稳压器电路。该电路通过采用缓冲运放来驱动LDO电路的功率调整管,有效提高了LDO电路的电源抑制比和负载瞬态响应特性。该电路的输入电压为3.3V-4V,输出电压为2.8V;负载电流范围为0.5mA到100mA,当负载电流在全负载范围内瞬变时,输出端过冲电压小于1mV;在全负载范围内,低频时,电路的电源抑制比达到-89dB以上,在1MHz时,电路的电源抑制比达到-60dB以上。     

高液限土最佳掺水泥比的确定

本文分别进行了9组代表性广东省云罗高速沿线高液限土掺水泥0%、1.0%、1.5%、2.0%、2.5%、3.0%后的承载比试验。按照细颗粒含量、液限、素土CBR值分别对高液限土进行分类,根据掺水泥改良后的CBR值为20时,分别确定不同分类高液限土的最佳掺灰比例范围,再综合考虑这三种不同要素确定最佳掺灰比例范围。得出有益的结论：细颗粒含量对CBR值的影响大于液限;高液限土的最佳掺灰比在2.0%左右;对液限较低、细颗粒含量较小的高液限土可直接填筑;对液限高、细颗粒含量大的高液限土应作弃方处理。     

具有氧化硅、氮化硅抛光速率选择比的化学机械抛光液

化学机械抛光工艺,就是使用一种含磨料的混合物和抛光垫抛光集成电路表面。在浅沟槽隔离层抛光工艺中,要求较高的氧化物介电质去除速率和较低的表面缺陷。本文主要研究针对如何提高氧化硅和氮化硅抛光速率选择比的专利申请,分析了实现上述目标主要采用的路径和效果,并通过对比,为相关领域的研发主体在拓宽技术研究思路、制定专利申请策略、构建专利保护体系方面提供参考信息。     

半干半湿法烟气脱硫技术的研究

为了提高中小燃煤锅炉的烟气脱硫效率,改进干法烟气脱硫技术、湿法烟气脱硫技术的不足之处,研究了半干半湿烟气脱硫方法。重点研究了钙硫 比、烟气温度、喷水量、加湿喷嘴位 置对烟气脱硫效果的影响。结果表明,在１３５ ℃以下,增大钙硫比有利于提高脱 硫率; 在不低于１００ ℃时, 尽可能降低反应温度有利于提高脱硫率;在 Δ Ｔ 不小于１５ ℃时, 增大喷水量有利于提高脱硫率。为半干半湿烟气脱硫技术的实际应用提供了参考数据。     

高硅碳比铸铁在造纸机烘缸上的应用

在模拟造纸机烘缸实际冷却条件的情况下，研究了Ｓｉ／Ｃ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｍｎ对高Ｓｉ／Ｃ比铸铁性能的影响，提出了一种高强度、高硬度的高Ｓｉ／Ｃ比铸铁替代原用合金铸铁来生产烘缸．     

微透镜阵列的光刻胶热熔制作技术

介绍了利用光刻胶热熔法制作微透镜阵列这种简单、实用的技术。阐明了其原理、工艺流程、关键技术并给出了实验结果。结果表明,光刻胶热熔技术是一种简单、实用的微透镜阵列制作技术。本文的研究结果可为微透镜阵列的进一步研制及产业化提供参考。     

碳化硅（SiC）器件制造工艺中的干法刻蚀技术

简述了在ＳｉＣ材料半导体器件制造工艺中,对ＳｉＣ材料采用干法刻蚀工艺的必要性．总结了近年来ＳｉＣ干法刻蚀技术的工艺发展状况．     

微细阵列孔的铸造法制备及表征

为了获得大深径比的微细阵列孔,以铝作为基体金属并采用铸造法制备了微细阵列孔.根据预期阵列孔的结构,编排并固定预制体的孔芯.将预制体放置在自制金属型中进行浇注,使熔融金属铝液围绕于预制体的孔芯,待铝液凝固后抽出孔芯得到微细阵列孔.利用激光共聚焦显微镜测量微细阵列孔的孔壁粗糙度,并计算微细阵列孔的形状因子.结果表明,由铸造法制备的微细阵列孔的分布十分规律密集,孔径大小基本一致.微细阵列孔的形状非常趋近于圆形,孔壁十分光滑,且深径比很大.     

微机械技术发展现状

介绍了微／纳米技术和微型机械技术这一新兴学科的重要意义，主要技术内容和当前国内外研究发展２。     

一种有效的高分辨阵列处理新算法

提出了一种高分辨阵列信号处理的新方法。该方法基于噪声在空间有限范围内相关的合理假设，采用两个子阵有效地消除了噪声的影响，使算法不需要特写的噪声假设模型。此外，该处不需要进行任何特征值分解就可快速实现高分辨波达方向估计。     

硅诱导坑形成及深孔列阵电化学微加工工艺方案的探讨

本文采用P型单晶硅片,在三极电解槽中,进行了电化学深刻蚀的探索性实验.对湿法刻蚀和电化学刻蚀中的工艺问题进行了初步的理论和实验研究,同时,采用SEM对实验样品进行了形貌分析,并采用电流突破模型对电化学深孔刻蚀机理进行了理论分析.通过理论和实验研究,发现即使硅片晶向不准,仍能刻蚀出方孔列阵.其结果对进一步开展这方面的研究工作具有指导意义,在进一步深入开展研究电化学体硅微加工技术时,可有望成为实现硅深孔列阵加工的新技术.     

高压激励电容层析成像系统传感器阵列设计

为了解决高压交流激励电容层析成像系统微小电容检测的灵敏度和分辨率更高给电容传感器阵列设计带来的新问题,分析了极板长度和极板张角对几个重要的传感器阵列评价指数的影响,利用仿真方法评估了不同极板参数条件下中心型、层流型和环流型的重建图像的空间图像误差,并以此为依据确定了一组极板参数.最后给出了根据设计参数制作的8极板传感器阵列模型及高压激励电容层析成像系统的图像重建实验结果.实验结果证明:所设计的传感器阵列达到了设计的预期目标,所确定的参数方法是可行的.     

小微企业科技协同创新模式及对策分析

科技协同创新顺应时代发展潮流,是创新要素和资源的融合与共享,有利于促进科技成果转化。本文从小微企业科技协同创新的重要性入手,分析其科技协同创新障碍,构建出小微企业科技协同创新模式,并针对问题提出小微企业科技协同创新的对策。     

带孔洞的多边形求交集算法

为了快速准确地求出多边形之间的交集,提出了一种求取带孔洞多边形交集的新算法,把待求的有孔洞多边形分解为若干个实心多边形,每步只对两个实心多边形进行交、并、差集运算,不仅简化了多边形的数据结构,而且还降低了运算的复杂度,提高了运算速度。     

排列方式及电极距对高密度电法异常响应的影响分析

高密度电法能通过研究地下介质体的电阻率差异进行二维地电断面测量,其成像效果和工作效率受到具体的布设方法的影响.本文通过正演数值模型和实际探测资料,针对管道高阻目标体,探究了横纵向上不同排列方式的异常响应.由于高密度电法在纵向上的异常会对下方产生影响,因此高密度电法的横向分辨率一般高于纵向分辨率,而偶极排列在横向异常的分...