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大开断电流真空灭弧室触头材料含气量允许值理论判据 总被引:1,自引:0,他引:1
本文根据真空灭弧室在开断短路电流燃弧过程中灭弧室内动态压力的变化从理论上推导出触头材料含气量、灭弧室有效容积、触头电弧侵蚀率和开断电流之间的关系,给出了大开断电流真空灭弧室触头材料含气量最大允许值的理论判据。 相似文献
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真空灭弧室触头温度是影响其开断能力的重要因素之一,非接触式温度测量手段以其反应时间快,测量范围宽,测量精度高,不干扰等离子体分布等优点被应用于真空灭弧室触头温度测量中。触头材料发射率是材料本身的物性参数之一,也是非接触式温度测量中推算温度所需的基本参数之一,只有在测得材料发射率的情况下才能根据光谱强度推算出材料表面温度。本研究的目标是测量得到真空灭弧室6种常用触头材料Cu、CuCr(25)、CuCr(30)、CuCr(40)、CuCr(45)、CuCr(50)的发射率。利用黑体辐射参考源在中温黑体炉中进行光谱测量,检测波长范围从5~20μm,加热温度为400~800℃。得到测量波长在5~7μm范围内为发射率测量值最稳定,适合用于触头温度非接触式测量。测得5~7μm波长范围内上述6种触头材料在800℃时的发射率值分别为0.50、0.58、0.56、0.52,0.48和0.41。触头材料发射率随着材料表面粗糙程度的增加而增加;随着温度的上升触头材料发射率随之增加;铜铬合金触头的发射率会随着铬组分比例增加而下降。 相似文献
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系统地总结了CuCr触头材料的特性及功能机理,在此基础上分析了基于CuCr触头材料的适用于126kV电压等级的新型触头材料的特性和功能机理。 相似文献
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真空灭弧室触头含气量与动态真空度 总被引:2,自引:1,他引:2
研究了灭弧室内工作表面吸气与放气的动态过程,分析了触头材料的含气量与电弧输入能量对动态真空度的影响,讨论了开发更大电流等级真空断路器对触头材料的要求。 相似文献
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35kV真空灭弧室最佳开距的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
利用合成回路对外屏蔽罩式杯状纵磁触头结构的35kV真空灭弧室进行了研究。不同开距下的试验结果表明,35kV真空灭弧室存在着一个最佳的开距范围,在此范围,内,弧后重燃次数较少,且弧后耐压水平较高。 相似文献
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一、前言真空灭弧室的小型化是国际上研究真空开关甚感兴趣的课题之一。据报道国内外除从事改进真空灭弧室的电极结构为目标外,还同时以开发新的触头材料的途径来解决真空灭弧室的小型化。在触头材料方面,目前研 相似文献
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0概述 真空灭弧室主要用于配电、工业用断路器和电机控制的接触器上.真空灭弧室主要由真空密封外壳和安置在壳内的1对触头构成.为了其中1个触头能进行关合和开断动作,灭弧室还使用了不锈钢波纹管. 相似文献
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介绍了用合成回路测量真空灭弧室触头电感的方法,并进行了理论计算.计算结果与测量结果接近,说明测量方法可行、结果可靠.测试表明,本文中铁芯式两极纵磁触头对的等效电感为1.02μH,杯状纵磁触头对的等效电感为0.99μH. 相似文献
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介绍了一种新型真空灭弧室触头结构,并对其纵向磁场分布特性进行了计算,结果表明其纵向磁场较强且具有良好的分布特性,适用于开断大电流以及高电压等级的真空灭弧室中,并有利于断路器的小型化。 相似文献
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低熔焊力CuCrTe真空触头材料的研制 总被引:5,自引:2,他引:5
用粉末冶金烧结工艺制备了CuCrTe低熔焊力真空触头材料,研究了Te含量对材料抗拉强度的影响。实验表明:在CuCr50材料中加入Te>0.025%时,其抗拉强度可从288MPa降低到120MPa以下,从而大大改善其抗熔焊性能。该材料已成功应用在10kV/630A真空负荷开关中。 相似文献
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高压真空开关的核心部件之一是真空灭弧室,由于其触头开距较大,因此多采用纵向磁场触头,希望触头间隙有较强且较均匀的纵向磁场,这样可降低电弧电流密度,降低电弧能量,从而提高开断性能。该文提出了一种适合应用于高电压等级真空灭弧室的新型纵向磁场触头结构,该触头结构结构简单,便于加工,而且结构强度更好。利用有限元方法对这种新型的真空灭弧室磁向磁场触头间隙的磁场分布特性进行了计算与分析, 结果表明其磁场特性优于现有传统纵磁触头结构。利用这种新型触头结构制做了真空灭弧室样机,在单频LC振荡回路上进行了性能测试,结果表明在触头开距为40和60 mm时其同样具有良好的开断短路电流的性能。 相似文献
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真空灭弧室纵向和横向磁场触头优化应用 总被引:3,自引:0,他引:3
简要介绍横磁触头和纵磁触头的作用原理、功能及物理特性,同时在低、中、高电压范围内,对2种触头的开断能力、电阻、灭弧室尺寸及生产成本的优劣作了对比。 相似文献
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采用全武合金触头材料真空断路器灭弧室的绝缘特性 总被引:3,自引:3,他引:0
真空绝缘性能决定着真空灭弧室的设计及成本,在真空断路器向高电压等级发展的背景下真空绝缘性能研究显得尤为重要。触头材料是影响真空绝缘性能的重要因素之一,因此新型触头材料真空绝缘性能的研究成为真空绝缘研究领域的热点。基于以上分析,研究了一种新型触头材料—全武合金的真空绝缘性能,并将它与真空灭弧室常用触头材料CuCr25和CuCr50的绝缘性能进行了对比。首先对3种触头材料的真空灭弧室试品用升降法进行了雷电冲击试验,结果表明3种触头材料击穿电压的概率分布均符合Weibull分布,在触头开距为2~10mm范围内其50%击穿电压的关系为CuCr50>全武合金>CuCr25;然后对3种触头材料用升压法进行了工频击穿试验,结果表明当开距为1m,升压速度为3kV/s时,3种触头材料绝缘强度的关系为CuCr50≈全武合金≈Cu-Cr25;最后对比了工频升压速度对全武合金绝缘特性的影响,结果表明当升压速度从3kV/s降为1.5kV/s时,击穿电压升高了1.6倍。 相似文献