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《电子科技文摘》2006,(9)
0622971两亲性聚乳酸嵌段共聚物的制备受性能研究[刊,中]/刘健//北京化工大学学报(自然科学版).—2006,33 (3).—52-55(C) 0622972 TiO_2/SiO_2复合粉体的制备及催化性能的研究[刊,中]/封娜//合肥工业大学学报(自然科学版).—2006,29(6).—651-654(C) 0622973从高铅碲渣中浸出碲的热力学分析及实验[刊,中]/马玉天//中南大学学报(自然科学版).—2006,37(3).—498-504(L) 0622974高纯纳米α-Fe_2O_3粉体的制备及表征[刊,中]/阳征会//中南大学学报(自然科学版).—2006,37(3).—487- 492(L) 0622975具有渐变层半导体DBR的MOCVD外延制备[刊,中]/盖红星//功能材料与器件学报.—2006,12(3).—207-210(G)应用金属有机化合物气相演积(MOCVD)制备了具有渐变层的半导体布拉格反射镜(DBR),分别是抛物线性、线性和突变结构的DBR。三种反射镜结构都设计为8个周期,通过白光反射谱测量突变DBR具有 相似文献
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《电子科技文摘》2006,(9)
0622655透明氧化铝陶瓷的制备和体视学在其性能表征中的作用[刊,中]/丁君//上海大学学报(自然科学版).—2006,12(3).—292-297(C) 0622656 Ba添加方式对PZN基陶瓷介电性能和结构的影响[刊,中]/云斯宁//功能材料与器件学报.—2006,12 (1).—19-22(G) 0622657压电叠层作动器机电性能实验分析[刊,中]/郑凯//压电与声光.—2006,28(3).—373-376(L) 0622658敏捷材料的运动变换及对双螺旋结构的分析[刊,中]/冯志华//压电与声光.—2006,28(3).—363-366(L)提出了运动变换的概念以及一个描述智能材料变形能力的系数。重点分析了双螺线管式变换结构,推出其几何变形关系,指出它可以把微小的弯曲运动变换成直线运动,特别适用于放大压电陶瓷材料的变形,并给出了几个最新的典型应用实例。通过使用热双金属片进行模拟实现了在100℃温度变化情况下30%~100%的线性应变。参8 相似文献
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《电子科技文摘》2006,(7)
0616854一种新型三层双波段减反射膜设计研究〔刊,中〕/张耀平//光电子技术与信息.—2006,19(2).—22-24(E)06168552(水杨醛缩苯胺)-(1,10-邻菲罗啉)合钙的光谱特性〔刊,中〕/郝玉英//发光学报.—2006,27(2).—254-258(E)0616856激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜的发光特性〔刊,中〕/谢伦军//发光学报.—2006,27(2).—215-220(E)0616857(Y,Gd)(P,V)O4:Eu3+荧光粉的发光特性〔刊,中〕/赵晓霞//发光学报.—2006,27(2).—196-200(E)0616858不同波长激发下YLiF4:Er3+,Tm3+,Yb3+的发光〔刊,中〕/赵谡玲//发光学报.—2006,27(2).—191-195… 相似文献
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《电子科技文摘》2002,(10)
0219487用光子级联发射测量 SrAl_(12)O_(19)中Pr~(3 3)P。能级的量子效率[刊]/黄世华//发光学报—2002,23(3).—223~227(E)0219488闪烁晶体的发光研究进展[刊]/施朝淑//发光学报.—2002,23(3).—217—222(E)0219489均-文石晶须的制备及机理探讨[刊]/张利//四川大学学报(工程科学版).—2002,34(3).—46~49(D)0219490近非临界相位匹配温度调谐 MgO:LiNbO_3OPO[刊]/吕卫//光电子·激光.—2002,13(3).—240~243,263(D) 相似文献
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《电子科技文摘》2002,(10)
0219507电场诱导间规聚苯乙烯相转变研究[刊.译,英]/肖学山//上海大学学报(英文版).—2002,6(2).—176~180(E)0219508表面活性剂十二烷基磺酸钠(SDS)对核酸 Tb~(3 )体系荧光性质的影响[刊,译,英]/吴翠//南京航空航天大学学报(英文版).—2002,19(1).—94~97(E)0219509稀土 Nd,Ce 掺杂硅基薄膜光致发光特性[刊]/元美玲//发光学报.—2002,23(3).—291~293(E)0219510复合氟化物中缺陷对 Eu2 光谱的影响[刊]/贾志宏//发光学报.—2002,23(3).—243~246(E) 相似文献
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《电子科技文摘》2001,(11)
0118290聚乙烯基咔唑对稀土络合物发光特性的影响[刊]/董金凤//光电子·激光.—2001,12(5).—480~483(E)0118291混合氧化物电致变色器件[刊]/林永钟//光电子·激光.—2001,12(5).—457~460(E)0118292Ga_xIn_(1-x)As_ySb_(1-y)材料的光学常数[刊]/梁帮立//功能材料与器件学报.—2001,17(2).—183~186(E)报导了用红外椭圆偏振光谱测定的不同组分Ga_xIn_(1-x)As_ySb_(1-y)材料室温光学常数(n 和α),并且实验观察到明显的折射率增强效应,发现组分在 x=0.2~0.3之间折射率峰值随组分 x 近似于线性变化。参16 相似文献
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《电子科技文摘》2006,(9)
0622989一种单晶镍基合金热处理制度的研究[刊,中]/王春涛//沈阳工业大学学报.—2006,28(3).—250-254(C) 0622990 Cu-3.2Ni-0.75Si合金的时效析出强化效应分析[刊,中]/李宏磊//中南大学学报(自然科学版).—2006,37 (3).—467-471(L) 0622991一个特殊图形的边色数[刊,中]/瞿晓鸿//昆明理工大学学报(理工版).—2006,31(2).—118-120(C2) 0622992翡翠热处理温度试验研究[刊,中]/熊大民//昆明理工大学学报(理工版).—2006,31(2).—26-28,33(C2) 0622993热处理对ZGMn18Cr2MoRE组织和性能的影响[刊,中]/张得峰//河南科技大学学报(自然科学版).—2006,27(3).—1-4(L) 0622994表面加工多晶硅薄膜热扩散系数的在线提取[刊,中]/矫妹//固体电子学研究与进展.—2006,26(2).—273- 278(D) 相似文献
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《电子科技文摘》2006,(9)
0622908采用低温Si技术的Si/SiGe异质结p-MOSFET[刊,中]/李竞春//固体电子学研究与进展.—2006,26 (2).—162-165(D) 0622909 SiGe沟道pMOSFET阈值电压模型[刊,中]/邹晓//固体电子学研究与进展.—2006,26(2).—148-151,156 (D) 0622910 4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs台面隔离技术的改进[刊,中]/王冲//功能材料与器件学报.—2006,12 (3).—247-250(G)采用离子注入和ICP干法刻蚀相结合的台面隔离技术提高了4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMTs的直流特性和高频特性。与只采用干法刻蚀进行台面隔离的器件相比,相邻器件有源区之间的泄漏电流减少了两个数量级,栅肖特基泄漏电流在栅漏电压为-40V时由38.5μA减小到1.2μA,截止频率由3.2GHz提高到6.7GHz。分析了器件泄漏电流减小和频率特性提高的原因。参6 相似文献
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《电子科技文摘》2006,(9)
0624040捷联惯导系统姿态算法误差的频域分析[刊,中]/张长亮//广西民族学院学报.—2006,12(2).—97-100,112 (G2) 0624041示渡器:不是“拿来主义”[刊,中]/EDN特约技术//电子设计技术.—2006,13(5).—44-58(C2) 0624042基于声光偏转效应的雷达载频测量方法[刊,中]/徐海全//空军雷达学院学报.—2006,19(4).—17-18,22 (D) 0624043 SA8281型SPWM波发生器的原理及其在变频器中的应用[刊,中]/杨庆华//国外电子元器件.—2006,(5).—51-53(C2)介绍SA8281型正弦脉宽调制(SPWM)波发生器的原理和编程特点,以及基于SA8281和89C52型单片机的变频器的软硬件设计。参4 0624044 ICS1523型高性能可编程行同步时钟发生器的原理及应用[刊,中]/林云标//国外电子元器件.—2006,(5).—47-50(C2) ICS1523是一种高性能可编程行同步信号发生器,它带有一个I~2C串行总线接口,可以方便地对内部寄存器进行配置,能产生用户需要的同步信号。详细介绍该电路的工作原理和寄存器格式,给出ICS1523与S1D13806的实际接口电路及程序设计。参1 相似文献
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《电子科技文摘》2006,(9)
0622830蓝光OLED的掺杂研究[刊,中]/季兴桥//量子电子学报.—2006,23(3).—416-419(L) 0622831利用位置敏感型光电倍增管测量光斑漂移的定标方法[刊,中]/马晓珊//量子电子学报.—2006,23(3).—311-315(L) 0622832聚合物全固态电致变色器件的制备及性能[刊,中]/张公正//功能材料与器件学报.—2006,12(3).—220- 224(G)使用乙烯-乙烯醇共聚物/聚吡咯复合膜和聚醚基氨酯/LiClO_4电解质制成全固态电致变色器件。当加上1.0~2.5V的直流电压时,器件颜色由黄色变成棕(蓝)色。详细讨论了器件的UV/VIS光谱变化、掺杂/不掺杂过程的响应时间以及电解质浓度对变色过程的影响。结果显示电致变色器件在800nm时,发生掺杂/不掺杂过程变化有短的响应时间和大的透过率差。参14 相似文献
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《电子科技文摘》2006,(10)
0625824基于DNA的纳米结构自组装〔刊,中〕/刘宝琦//西华大学学报(自然科学版).—2006,25(4).—60-62,77(G)0625825非离子型Gemini表面活性剂的表面活性与固液界面吸附特性研究〔刊,中〕/杨颖//中国石油大学学报(自然科学版).—2006,30(3).—123-125(E)0625826柴油添加剂的机理对比实验〔刊,中〕/董铸荣//深圳职业技术学院学报.—2006,5(2).—31-33(C)0625827软质聚氨酯泡沫匀泡剂合成工艺优化〔刊,中〕/李雅丽//纺织高校基础科学学报.—2006,19(2).—160-162(E)0625828绿色热塑性木薯淀粉材料制备与性能〔刊,中〕/黄明福//北京理工大学… 相似文献