半导体氧化物SnO2气敏元件研制中的几个有关机理问题

采用半导体氧化物S_nO_2材料,烧结工艺所生产的气敏元件,对被测气体有较高的灵敏度,在被检测气体含量只有十几到几百PPm时,气敏元件的阻值就可以产生很大的变化,这种阻值变化只要接上简单的电路就可以变换为电压的变化而测量出来。采用SnO_2气敏元件制成的检测仪器有较高的灵敏度、电路简单、造价低廉、使用方便等优点。因此一直处于半导体氧化物电阻式气敏传感器的主流。 SnO_2气敏元件在稳定性、互换性、定量检测以及对不同气体有较理想的选择性等方面,问题还尚未很好解决。其主要原因是导电机理表面效应牵涉的因素复杂所致。有待进一步研究。     

一种提高气敏元件热稳定性的优化设计

本文提出一种新的具有较好热稳定性的气敏元件结构。在这种结构里,气敏元件的输出无需外接取样电阻即可获得。文中对现有气敏元件和新型结构气敏元件的热稳定性作了理论分析和实验对比。本设计也适用于其它类型半导体气敏元件。     

金属氧化物气敏元件的研究进展

气敏传感器在现代工农业、信息技术、环境监测等领域都有重要应用。随着这几个领域的发展,人类对其综合性能要求越来越强,进而不断积极改良气敏传感器的性能。金属氧化物气敏元件是利用金属氧化物半导体的表面电阻遇到被测气体发生变化的原理制成的电子器件,其选择性和稳定性是研究气敏元件的两项重要指标。文章概述了金属氧化物元件气敏特性的研究进展,介绍了基体材料、掺杂材料、气敏材料的制备工艺、电极材料及结构等几个因素对元件气敏特性的主要影响,并对各种因素的作用机理进行了分析。最后展望了金属氧化物气敏元件的发展前景。     

实现气敏元件高选择性的一种方法

本文提出一种提高半导体电阻式气敏元件选择性的新方法。这种方法的基本出发点是互补反馈原理。这种新型气敏元件的结构与原有的不同,由两种不同特性的敏感体组合而成,其组合方式可以是N-N,P-P,N-P等。文中给出了有关的理论讨论和在此理论指导下制作的高选择性乙醇气敏、丁烷气敏元件的实验结果,证明此理论是正确的。     

CeO2-TiO2复合氧化物的气敏催化性能

采用溶胶-凝胶法制备CeO2-TiO2复合氧化物催化剂,取代贵金属催化剂在不同工艺下制备气敏催化元件,研究在C4H10气氛中催化剂浓度和制备工艺对气敏催化性能的影响.结果表明,CeO2-TiO2复合氧化剂具有气敏催化活性,用它制作的催化元件的灵敏度与催化剂浓度、载体焙烧温度及表面改性等因素有关.选择最佳制备条件,其灵敏度相当于贵金属催化剂的灵敏度,同时具有良好的抗毒性.     

CeO2-TiO2复合氧化物的气敏催化性能

采用溶胶-凝胶法制备CeO2-TiO2复合氧化物催化剂,取代贵金属催化剂在不同工艺下制备气敏催化元件,研究在C4H10气氛中催化剂浓度和制备工艺对气敏催化性能的影响.结果表明,CeO2-TiO2复合氧化剂具有气敏催化活性,用它制作的催化元件的灵敏度与催化剂浓度、载体焙烧温度及表面改性等因素有关.选择最佳制备条件,其灵敏度相当于贵金属催化剂的灵敏度,同时具有良好的抗毒性.     

半导体气敏元件

<正> 六十年代以来,半导体气敏元件在国际上有了引人注目的发展。这种元件的灵敏度很高,只要气氛中含有不到千分之一的待测气体,其电阻值就产生足够大的变化。使用这种半导体气敏元件的检测器灵敏度高、结构简单,不需放大电路而通过简单电路就可得到足够大的输出信号;它使用方便,价格     

怎样选用元器件讲座（二十）：气敏元件

气敏元件,有人称之为“电子鼻”,实际上它是一种气敏电阻器,其阻值随被检测气体的浓度(成分)而变化。气敏元件是一种“气一电”传感器件,它能将被测气体的浓度(成分)信号,转变成相应的电信号。气敏元件有N型和P型之分。N型在检测可燃气体的浓度时,其阻值随气体浓度的增大而减小;而P型元件的阻值随气体浓度的增大而增大。气敏元件主要是采用二氧化锡(SnO_2)等金属氧化物半导体制成。取材和掺杂决     

半导体气敏元件长期稳定性的影响因素

介绍了近年来文献中半导体气敏元件长期稳定性的研究现状。总结了敏感材料制备条件,敏感材料在长期使用过程中的物理和化学性质变化,以及催化剂失活等主要因素对气敏元件长期稳定性的影响。最后讨论了未来提高气敏元件长期稳定性的研究重点(重点要解决敏感材料在制备、使用过程中的团聚问题)和研究方向(采用改变制备方法来优化材料结构,通过掺杂和表面修饰来改变材料性质等)。     

电子气敏报警器

电子气敏报警器张歌本文介绍的电子气敏报警器采用国产半导体气敏元件ＱＭ—ＮＳ作气敏传感器，实现“气一电”转换，达到报警目的。电路原理如图所示。ＫＤ—１５３Ｂ、三极管ＢＧ。、ＢＧ。等组成报警发声源，元件少，耗电小。三极管ＢＧ；、ＢＧ。组成互补型复合放大器...     

掺杂改善SnO_2甲醛气敏元件灵敏度特性的研究

用纳米SnO2制作了旁热式气敏元件。用掺杂方法提高SnO2甲醛气敏元件的灵敏度,掺杂剂包括Pd,Sb,Ti,Zr,Cu,Ag,Mn等。在SnO2气敏元件中分别掺杂质量分数2%Pd和2%Zr对提高元件灵敏度有显著效果。未掺杂SnO2、掺杂质量分数2%Pd和2%Zr的气敏元件对体积分数为5×10-5甲醛的灵敏度分别为1.33,2.38,2.08,但是掺杂在改善元件对乙醇的选择性方面作用不大。分析了掺杂改善SnO2气敏元件灵敏度的原理,当SnO2表面吸附还原性气体时,吸附气体提供电子,使半导体表层的导电电子数增加,引起电导率增加、电阻下降。吸附气体浓度越高,电阻率变化越大,元件灵敏度越大。     

掺杂改善SnO2甲醛气敏元件灵敏度特性的研究

用纳米SnO2制作了旁热式气敏元件。用掺杂方法提高SnO2甲醛气敏元件的灵敏度，掺杂剂包括Pd，Sb，Ti，Zr，Cu，Ag，Mn等。在SnO2气敏元件中分别掺杂质量分数2%Pd和2%Zr对提高元件灵敏度有显著效果。未掺杂SnO2、掺杂质量分数2%Pd和2%Zr的气敏元件对体积分数为5×10^-5甲醛的灵敏度分别为1.33，2.38，2.08，但是掺杂在改善元件对乙醇的选择性方面作用不大。分析了掺杂改善SnO2气敏元件灵敏度的原理，当SnO2表面吸附还原性气体时，吸附气体提供电子，使半导体表层的导电电子数增加，引起电导率增加、电阻下降。吸附气体浓度越高，电阻率变化越大，元件灵敏度越大。     

溅射条件对ZnO薄膜气敏特性的影响

<正> 一、前言 气体敏感元件是一种将气体的成分、浓度等非电学量转变成电学量的元件。可以用半导体、金属、磁性材料等制备。目前普遍使用的是半导体材料SnO_2和ZnO。SnO_2的熔点较低,制备工艺简单,所以已进行了大量的研究;而对ZnO的研究则较少,原因是ZnO的熔点很高,需用复杂的溅射方法制备。用ZnO制备的气敏元件不仅老化特性比     

高选择性的一氧化碳气敏元件

气敏元件的选择性是当前的主要研究课题之一。以水解制得的二氧化锡为主体材料,氯化钯为活性催化剂,并添加质量分数w=(5～10)×10~(-2)的镧系稀土氧化物,来提高元件的反应选择性;改变元件的工作条件,利用元件在200℃以下对一氧化碳具有高吸附性的特点,制得具有高选择性的一氧化碳气敏元件。     

掺杂纳米SnO2气敏传感器的研究进展

介绍了半导体气敏传感器的发展历史和掺杂纳米SnO2气敏传感器的特性与应用；详细分析了掺杂金属单质、金属氧化物和稀土元素对SnO2气敏性的影响，通过掺杂可以显著改善其对特定气体的灵敏度、稳定性和选择性等参数；利用元件表面的氧吸附理论分析掺杂纳米SnO2的气敏机理；展望了SnO2气敏传感器的发展前景。     

纳米化SnO_2气敏材料的研究进展

二氧化锡(SnO2)是一种传统的n型半导体气敏材料,纳米化是改进和提高SnO2气敏特性的重要途径。对近几年来SnO2气敏材料纳米化的研究进行了介绍,主要针对几种典型的具有特殊形貌纳米结构的SnO2气敏材料合成方法和气敏特性等方面的研究成果进行了概述,并对这些特殊形貌纳米结构SnO2作为高性能气敏材料应用和发展的前景进行了展望。     

掺杂纳米SnO2气敏传感器的研究进展

介绍了半导体气敏传感器的发展历史和掺杂纳米SnO2气敏传感器的特性与应用;详细分析了掺杂金属单质、金属氧化物和稀土元素对SnO2气敏性的影响,通过掺杂可以显著改善其对特定气体的灵敏度、稳定性和选择性等参数;利用元件表面的氧吸附理论分析掺杂纳米SnO2的气敏机理;展望了SnO2气敏传感器的发展前景.     

MQK—2气敏元件的特性与应用

MOK—2型气敏元件是根据进口和国内通用型气敏头在实际使用中存在RO漂移、敏感特性过于广谱、寿命短而反复研制的:1.采用烧结半导体工艺,形成的敏感烧结体,具有稳定的RO阻值,保证了长期的稳定性;2.自然贮存失效率降至千分之二以下;3.单电源供电,其功耗仅0.7W左右;4.对城市煤气、石油液化气、天然气、丙丁烷、氢气等有极高的灵敏度和信噪比,MQK—2型气敏元件技术特性如下:     

实现气敏元件灵敏度倍增的一种方法

本文提出一种提高气敏元件灵敏度的方法，这种方法可实现灵敏度的倍增．元件结构为Ｎ－Ｐ型，元件的工作机制是互补倍增原理．研究表明，在适当条件下，整体气敏元件的灵敏度等于构成它的Ｎ、Ｐ两种敏感体各自灵敏度的乘积．此外，这种新型气敏元件还可提高热稳定性，减小零点漂移，甚至提高选择性等．本文在理论上给出了实现上述特性的条件．     

蛋膜结构WO3纳米材料的制备及其H2S气敏性能

以鸡蛋壳内膜为模板,通过简单环保的液相浸渍技术结合煅烧工艺制备了具有蛋膜结构特征的WO<,3>纳米材料.利用XRD、SEM对其物相、结构进行了表征.结果表明:采用此方法制备的WO<,3>纳米材料为单斜晶相,且很好地复制了蛋膜的交叉网状结构.利用该材料制成气敏元件,并采用静态配气法测试了元件的气敏性能.研究发现:元件在2...