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《半导体光子学与技术》1997,(3)
ElectronMobilityofDopedStrainedSi1-xGexAloysGrownonSi(100)Substrate①②LIBaojun,LIGuozheng,LIUEnke(DepartmentofMicroelectronics... 相似文献
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通过应用Scharfeter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对热平衡μc-Si∶Hp-i-n薄膜太阳能电池进行计算机数值模拟。结果表明,光吸收体i层中N型或P型掺杂都会在i层中造成低场区而不利于光生载流子传输,指出μc-Si∶Hp-i-n太阳能电池制造中采用补偿μc-Si∶H薄膜充当吸收体i层能提高长波(>800nm)载流子收集效率,从而增大电池的短路电流 相似文献
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通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对热平衡μc-Si:H p-i-n薄膜太阳能电池进行计算机数值模拟。结果表明,光吸收体i层或P型择杂都会在i层中造成低场区而不利于光生载流子传输,指出μc-SiH:p-i-n太阳能电池制造中采用补偿μc-Si:H薄膜充当吸收体i层能提高长波(〉800nm)载流子收集效率,从而增大电池的短路电流。 相似文献
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ZHOU Yaxun 《半导体光子学与技术》1995,(Z1)
Efficiencyanalysisofa-SiC:HthinfilmlightemittingdiodesZHOUYaxun(Dept.ofPhysics,NingboUniversity,Ningbo315211,Zhejiang,CHN)Abs... 相似文献