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新世纪光刻技术及光刻设备的发展趋势 总被引：13，自引：0，他引：13
本文主要阐述了光刻技术的发展极限及193nm,157nm光学光刻技术和电子束投影光刻（SCALPEL）、X－射线光刻（XRL）离子投影光刻（IPL）等技术的发展趋势。并详细介绍了国际著名品牌的光刻机以及即将推出的新一代光刻机。对国内光刻设备的发展现状作了简要概述。 相似文献
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光刻技术在微电子设备的应用及发展 总被引：7，自引：0，他引：7
介绍了光刻技术在微电子领域的应用，具体分析多种短波长光刻技术的最新进展，并对在0．1μm之后用于替代光学光刻的下一代光刻技术的发展趋势作了展望． 相似文献
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介绍了光刻技术在微电子领域的应用,具体分析多种短波长光刻技术的最新进展,并对在0.1μm之后用于替代光学光刻的下一代光刻技术的发展趋势作了展望。 相似文献
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苟永明 《上海微电子技术和应用》1998,(3):4-9
本文综述了制造集成电路、声表面波器件、微波哗啦的关键工艺一光刻技术的发展，对式、接近式、投影曝光技术分步重复曝光技术及直接扫描成象曝光技术以及所用的曝光光泊－紫外光、Ｘ射线、电子束、离子束光源对线条的分辨率、利弊作了对比，并对光刻技术的发展趋势作了简述。 相似文献
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下一代光刻技术的设备 总被引：2，自引：1，他引：2
翁寿松 《电子工业专用设备》2004,33(10):35-38
下一代光刻技术是指≤32nm工艺节点的光刻技术。介绍了下一代光刻技术与设备,包括X射线光刻技术、极紫外线光刻技术和纳米压印光刻技术等。 相似文献
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童志义 《电子工业专用设备》1998,27(4):54-59
采用λ／２的光束复制出了更高分辨率极限的线间图形，它将电路图形的ＣＤ尺寸极限推进到λ／４，当采用１９３ｎｍ光源曝光时，ＣＤ尺寸为５０ｎｍ以下。干涉光刻技术（ＩＬ）探讨了这种周期性图形的最终极限。影像干涉光技术未来的发展，将使光学方法１００ｎｍ 下的电路图形成为可能。 相似文献
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光刻机的演变及今后发展趋势 总被引：13，自引：2，他引：13
微电子技术的发展一直是光刻设备和技术发展与变革的动力。通过介绍光刻机的演变和所面临的挑战，揭示下一代光刻设备的发展潜力，结合比较极紫外光刻机和电子束曝光机的开发现状和特点，预言将来以极紫外光刻机、电子束曝光机和某种常规光刻机结合，来实现工业需要的各种图形的制备。 相似文献
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光刻对准技术研究进展 总被引：3，自引：1，他引：3
回顾了光刻对准技术的发展功能,对各种对准方法的原理和特点进行了分析和评价,介绍了几种典型主流光刻对准系统结构形式,并对光刻对准技术前景进行了描述与展望。 相似文献
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聚焦离子束技术是一种集形貌观测、定位制样、成份分析、薄膜淀积和无掩模刻蚀各过程 于一身的新型微纳加工技术。它大大提高了微电子工业上材料、工艺、器件分析及修补的精度和速 度,目前已经成为微电子技术领域必不可少的关键技术之一。对聚焦离子束曝光技术作了介绍。 相似文献
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李艳秋 《电子工业专用设备》2006,36(3):27-35
简单概述了浸没式ArF的发展历史、特点和面临的科学技术问题,在跟踪报道国内外最新研究进展的同时,介绍前沿光刻技术的研发特点和研究手段,强调协同设计研究的重要地位,并揭示浸没式ArF光刻不是干式ArF光刻的简单移置和延续。 相似文献
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J.Weixlberger P.Lindner 《电子工业专用设备》2004,33(4):56-58
重点讨论了化合物半导体材料加工中的先进光刻技术应用现状。薄形衬底材料在高频及功率器件中的需求,在处理非常易碎和昂贵的衬底时出现了一些新的问题。这种损伤的风险由于要求的多个加工工序而增大,且在接转生产的采用背面加工时会再次出现。叙述了进行自动光刻加工中片子传递和对准过程的一些解决方法。 相似文献
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简述了光学光刻技术在双重图形曝光、高折射率透镜材料及浸没介质、32nm光刻现状及22nm浸没式光刻技术的进展,指出了光学光刻技术的发展趋势及进入22nm技术节点的前景。 相似文献
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针对分辨力100nm的ArF光刻机,在环形照明和四极照明下,对4种曝光图形结构光刻性能进行了仿真研究。仿真结果表明,如果光刻物镜在加工装调后的光波像差为6nm,杂散光为2%,工件台运动标准偏差为8nm,曝光量控制在10%,CD≤±10%CD,利用四级照明,可以在较大的焦深范围内(DOF≥0.4～0.5μm)实现满足器件要求的100nm密集线条、半密集线条的光刻成像。当曝光剂量更精确控制到7%,可以在较大的焦深范围内(DOF≥0.4～0.5μm)实现满足器件要求的100nm孤立线条的光刻成像。 相似文献