安华高科技推出新超低噪声放大器

安华高科技近日推出超低噪声、高增益、高线性GaAs有源偏置放大器系列的最新产品,该产品适合移动通信基础设施的应用。MGA-633P8是一款容易使用的GaAs MMIC低噪声放大器（LNA）,提供同类产品中最佳的性能以及紧凑的尺寸和引脚安排,并采用共通印刷电路板布局设计,非常适合移动通信基站中的前端应用。     

安华高科技推出新超低噪声放大器

安华高科技近日推出超低噪声、高增益、高线性GaAs有源偏置放大器系列的最新产品,该产品适合移动通信基础设施的应用。MGA-633P8是一款容易使用的GaAsMMIC低噪声放大器(LNA),提供同类产品中最佳的性能以及紧凑的尺寸和引     

安华高科技推出两款新平衡低噪声放大器

Avago Technologies（安华高科技）近日推出两款超低噪声、高增益且高线性度的GaAs平衡低噪声放大器非常适合移动网络基础设施应用。Avago的MGA-16516／17516为价格低廉、使用简便、低噪声放大器系列的最新产品，可以大幅度改善移动网络基础设施应用的灵敏度和动态范围，这两款产品都拥有紧凑的尺寸安排，设计上适合作为第一级放大器使用。     

安华高科技完成新一代低噪声放大器系列产品开发

Avago Technologies（安华高科技）近日表示已经完成两款新一代低噪声放大器产品的开发,通过这些1500～2300MHz和2300～4000MHz低噪声放大器的加入,Avago新一代低噪声放大器系列产品将涵盖GSM、CDMA、UMTS、WiMAX以及新一代LTE等移动通信频带。     

微波BJT超宽带低噪声放大器的设计

本文给出了一种频带覆盖达１０－１６００ＭＨｚ的微波ＢＪＴ超宽带低噪声放大器的设计方法，从微波ＢＪＴ的噪声模型出发，通过拟合５０Ω源阻抗下微波ＢＪＴ的噪声系数ＮＦ５０和Ｓ参数来提取其噪声参数，然后根据增益，噪声及驻波比要求优化设计放大器，使放大器在超宽带范围内获得平坦增益和低噪声，本文所给出的微波ＢＪＴ惨数提取及放大器优化设计方法已由实验结果所验证。     

全单片高增益低噪声放大器

单片低噪声放大器由于体积小、重量轻、可靠性高 ,已广泛地用于卫星通信和电子系统。放大器的噪声和功率增益是接收机灵敏度的决定因素 ,因此在设计放大器时 ,首先要考虑这两个指标。但由于条件限制 ,工艺的偏差和元器件模型的不准确给设计和制造全单片低噪声放大器带来了困难。针对这些问题 ,采取了一些措施。电路设计前进行了大量准备 ,如小信号模型的建立 ,S参数和噪声参数的提取等。电路设计中针对 Ga As Foundry的实际情况 ,运用了 CAD技术 ,研制出了全单片高增益低噪声放大器。放大器由 4级级联而成 ,所有电路元器件 (包括直流偏置…     

双频段低噪声放大器的设计

适应多标准移动通信终端的迅速发展,设计了能够在800 MHz和1.8 GHz两个不同频段独立工作的低噪声放大器.放大器使用噪声性能优良的SiGeHBT管子,采用Cascode结构减小Miller电容的影响,发射极串联电感消除放大器输入端噪声系数和功率匹配的耦合,输入匹配电路采用单通道串并联LC电路,计算串并联电感和电容值,可以在两个工作频点发生谐振.输出端通过调整负载阻抗到50Ω,采用简单的电路实现功率输出.ADS的仿真结果表明,本文设计的低噪声放大器在800MHz和1.8 GHz两个工作频段的S21分别达到了24.3 dB和21.3 dB,S11均达到了-13 dB,S22均在-27dB以下,两个频段的噪声系数分别为3.3 dB和2.0 dB.     

C波段GaAs单片低噪声放大器

本文介绍了C波段GaAs微波单片集成低噪声放大器的设计,给出了电路拓扑与版图设计.在3.7～4.2GHz下,研制成的两级放大器噪声系数为1～3.5dB,增益为20dB左右;三级放大器噪声系数为1.6～3.5dB,增益大于30dB.     

GSM900、DCS1800与PCS1900低噪声放大器

移动通信是一个高速发展的市场,Maxim针对这一市场推出了一系列用于蜂窝、PCS手提电话、AMPS等移动通讯终端的RF前端芯片,MAX2651/MAX2652/MAX2653硅锗低噪声放大器(LNA)全部采用微型μMAX封装。与当今高集成度的GSM中频收发器相配合,可有效削减手机尺寸和成本,同时改善接收机前端性能。图一为利用MAX2651、MAX2653构成的GSM900、DCS1800和PCS1900三波段低噪声放大器(LNA),测试条件为:Vcc= 3V,GSM频段fIN=945MHz,DCS频段fIN=1850MHz,PCS频段fIN=1960MHz。图中,     

低噪声放大器的网络设计法

从网络出发，提出利用网络设计的方法来设计低噪声放大器，这种方法不仅精度高，而且可以进行宽带设计。     

利用Cadence设计COMS低噪声放大器

结合一个2.4 GHz CMOS低噪声放大器(LNA)电路,介绍如何利用Cadence软件系列中的IC 5.1.41完成CMOS低噪声放大器设计.首先给出CMOS低噪声放大器设计的电路参数计算方法,然后结合计算结果,利用Cadence软件进行电路的原理图仿真,并完成了电路版图设计以及后仿真.仿真结果表明,电路的输入/输出均得到较好的匹配.由于寄生参数,使得电路的噪声性能有约3 dB的降低.对利用Cadence软件完成CMOS射频集成电路设计,特别是低噪声放大器设计有较好的参考价值.     

11GHz低噪声放大器的研制

本文阐述了微波低噪声放大器的高原原理，并应用微波ＥＥＳＯＦ设计软件以１０．７－１１．７ＧＨｚ频段上完成Ｇ≥２１ｄＢ，ＮＦＦ≤３．０ｄＢ的低噪声放大器的设计与制作。     

3.625～4.2GHz 36K GaAs低噪声放大器

<正>采用市场上能购得的器件,制作了噪声温度在3.625～4.2GHz范围内均小于36K的放大器,达到了当前国际水平、且已提供用户使用.制作低噪声放大器除了需有性能优良的器件外,还要进行电路优化设计和精心调试.为了进一步降低噪声温度采用了致冷技术,因而在电路和结构上都要进行合理设计.首先要正确测量器件的S参数以及噪声参量.此后一般可用CAD技术进行电路设计,大部分设计者把一个放大器的所有指标一起进行优化,当其中某项指标达不到要求时,可以降低其它指标,