分子束外延生长液晶光阀用ZnSxSe1-x薄膜的研究

描述了ZnSxSe1-x光盲紫外液晶光阀的结构和工作原理 ,并从器件的电学模型出发 ,着重讨论了整体器件对ZnSxSe1-x光敏层的特殊要求。采用分子束外延技术在ITO导电玻璃上制备了具有 (111)面定向生长结构的ZnSxSe1-x多晶薄膜 ,通过控制反应时的生长参数 ,制备出了符合器件设计要求的光敏层薄膜。室温下 ,该薄膜的紫外 /可见光响应对比度大于10 3 ;响应波长截止边可通过控制薄膜中的Se组分 ,在 (36 0～ 4 10 )nm范围内连续可调 ;薄膜的暗电阻率在 (4 32× 10 9～ 2 0 3×10 11)Ω·m之间 ,并随着晶粒的增大而减小 ;在液晶光阀工作的低频段 (<2 0 0Hz) ,其光 /暗阻抗比在 0 2 2～ 0 36之间。     

紫外透射型液晶光阀用ZnSxSe1-x薄膜的研究

描述了透射型ZnS,Se1-x光盲紫外液晶光阀的结构和工作原理,并从器件的电学模型出发,着重讨论了整体器件对ZnSxSe1-,光敏层的特殊要求.采用分子束外延技术在ITO石英导电玻璃上制备了不同组分的三元ZnS,Se1-x多晶薄膜,通过控制反应时的生长参数,制备出了符合器件设计要求的光敏层薄膜.室温下,薄膜 的紫外/可见光响应对比度大于103,响应波长截止边可通过控制薄膜中的Se组分,在360～410nm范围内连续可调;薄膜的紫外/可见光吸收系数比大于103;在液晶光阀工作的低频段(＜200Hz),其暗阻抗在105～106Ωcm2之间;暗/亮阻抗比满足器件要求.     

非晶硅液晶光阀

本文介绍反射式非晶硅液晶光阀的研制方法，并对其光电性能进行了研究，提出非晶硅液晶光阀的参数设计模型。     

紫外透射型液晶光阈用ZnSxSe1—x薄膜的研究

描述了透射型ZnSxSe1-x光盲紫外液晶光阀的结构和工作原理，并从器件的电学模型出发，着重讨论了整体器件对ZnSxSe1-x光敏层的特殊要求，采用分子束外延技术在ITO石英导电玻璃上制备了不同组分的三元ZnSxSe1-x多晶薄膜，通过控制反应时的生长参数，制备出了符合器件设计要求的光敏层薄膜，室温下，薄膜的紫外／可见光响应对比度大于10^3，响应波长截止边河可通过控制薄膜中的Se组分，在360－410nm范围内连续可调，薄膜的紫外／可见光吸收系数比大于10^3，在液晶光阀工作的低频段（＜200Hz)，其暗阻抗在10^5-10^6Ωcm^2之间；暗／亮阻抗比满足器件要求。     

液晶光阀阻光层研究

本文研究了阻光层在液晶光阀中的作用，报导了我们首先提出的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ作为液晶光阀阻光层。ａ－Ｓｉ：Ｈ光导层和ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ阻光层通过辉光放电等离子体化学气相沉积法连续制得。本文研究了不同沉积条件下ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜结构和光电性质。ａ－Ｓｉ：Ｈ和随这沉积的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ形成了ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结。采用ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结构液昌光阀可改进器件的许多性能。     

单液晶光阀彩色大屏幕投影显示

设计一电路,将彩色图象信息编码到黑白CRT的亮度之中,并将其写入液晶光阀,用白光读出,当编码合适时,读出的象颜色可与原图像一致。本文讨论了这一技术原理并进行了单液晶光阀彩色大屏幕投影的实验验证。     

溶致液晶偏振薄膜的研究

对N, N'-二氢化蒽醌吖嗪(还原蓝RSN)和N, N'-二苯并咪唑-1,4:5,8-萘酰亚胺(还原猩红GG)改性处理引入磺酸基,使其成为双亲性化合物,红外光谱结果表明磺酸基改变了分子的极性.双亲性染料分子在极性溶剂中溶解、浓缩、自组装成有序聚集体,在正交偏振光下,织构呈带状和棒状.将溶液用线棒涂布器在玻璃衬底上展开,同时剪切诱导分子取向分布,溶剂自然蒸发后形成0.5～0.7μm厚固态偏振薄膜.溶致液晶的粘度显著影响涂布薄膜的表面平整度和取向度,在可见光部分波段,薄膜具有良好的光学偏振效率,最佳偏振效率达到95%以上,实用前景看好.     

PZT薄膜厚度对BMT/PZT复合薄膜结构及介电性能的影响

采用液相旋涂法制备了Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(BMT)/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)复合薄膜,研究了PZT薄膜厚度对BMT/PZT复合薄膜结构及介电性能的影响。随着PZT薄膜厚度的增加,BMT/PZT复合薄膜的介电常数呈线性增加。当PZT薄膜的厚度较小时,会明显地增加BMT/PZT复合薄膜的介电损耗;当继续增加PZT薄膜的厚度,介电损耗反而下降直到与BMT薄膜的介电损耗值接近。这是由于PZT的介电常数与介电损耗均明显高于BMT薄膜所致,而异质界面的存在抑制了PZT薄膜中畴壁的运动,使其对复合薄膜介电损耗的影响减弱。研究结果表明,PZT薄膜的引入可以提升BMT薄膜的介电常数而对介电损耗的影响不大。     

微桥试验法评价薄膜力学性能的研究

提出了弹性极限和小挠度极限的概念，对微桥在不同长度、厚度以及可能的弹性模量和残余应力范围内的变形行为进行了表征，提出基于弹性、小挠度极限来选择微桥尺度，并确定实验载荷及小挠度范围的方法，解决了微桥样品尺度以及载荷、挠度范围选择的问题。对两组挠度一载荷实验曲线的分析表明了该方法的可行性。     

铋过量对CaBi4Ti4O15铁电薄膜性能的影响

利用溶胶凝胶法制备CaBi4 xTi4O15(CBT-x)铁电薄膜,探索了不同铋含量对CBT-x铁电薄膜样品的相结构、微观形貌和电学性能的影响,研究表明,当x为0.3时,样品的剩余极化强度达到最大值,2Pr= 8.7μC/cm2,矫顽场强2Ec=7.6kV/mm,相对介电常数的大小在(160±6)%范围内,损耗因子在0.05～0.08之间,适量的铋含量可以较好地抑制过多的氧空位、焦虑石相和其它杂相的产生.     

Physical properties of very thin SnS films deposited by thermal evaporation

SnS films with thicknesses of 20-65 nm have been deposited on glass substrates by thermal evaporation. The physical properties of the films were investigated using X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Raman spectroscopy, and ultraviolet-visible-near infrared spectroscopy at room temperature. The results from XRD, XPS and Raman spectroscopy analyses indicate that the deposited films mainly exhibit SnS phase, but they may contain a tiny amount of Sn₂S₃. The deposited SnS films are pinhole free, smooth and strongly adherent to the surfaces of the substrates. The color of the SnS films changes from pale yellow to brown with the increase of the film thickness from 20 nm to 65 nm. The very smooth surfaces of the thin films result in their high reflectance. The direct bandgap of the films is between 2.15 eV and 2.28 eV which is much larger than 1.3 eV of bulk SnS, this is deserving to be investigated further.     

FePtAg颗粒薄膜的制备及性能表征

采用磁控溅射方法在自然氧化的单晶Si(100)基片上制备了FePtAg颗粒薄膜.通过调整靶材的溅射速率、控制掺杂Ag元素的含量,选择适当的热处理工艺,获得了晶粒尺寸约5nm,分布均匀的FePt颗粒薄膜,矫顽力为3.2×105A/m,磁滞回线具有良好的矩形度,薄膜内部无交换耦合作用,适用于高密度磁记录介质材料.     

Correlation between strain and the metal-insulator transition in epitaxial V2O3 thin films grown by Molecular Beam Epitaxy

We report on the deposition of high quality epitaxial V₂O₃ thin films on (0001) oriented Al₂O₃ substrates with Molecular Beam Epitaxy. Growth of smooth V₂O₃ films with root mean square roughness values down to 1 Å exhibiting both bulk-like and non bulk-like electrical properties has already been reported in a previous contribution. In this work, the lattice parameters and strain state of deposited films are extracted from both out-of-plane and grazing incidence in-plane X-ray diffraction measurements. Resistivity measurements are performed as a function of temperature using the four-point probe method. We observe a correlation between the in-plane tensile strain and the electrical properties, in particular the room-temperature resistivity. We also compare the electrical data of our V₂O₃ thin films with the features of the V₂O₃ bulk phase diagram.     

CNx薄膜的制备和光电性能

以单晶硅片(100)和镀Pt硅片为衬底,用电化学沉积方法在阴极制备出CNx薄膜(x接近于1),薄膜的表面平滑,颗粒均匀.热处理后得到了β-C3N4和α-C3N4多晶结构薄膜.热处理温度的提高使薄膜中的C≡N键逐渐减少而消失,氮元素的流失使薄膜中非晶碳的成分增多,但是薄膜中碳氮逐渐以sp3C-N为主.薄膜的能带在1.1～1.8 eV之间,氮含量对能带大小影响较大.热处理使薄膜的电阻率(高于108Ω@cm)变化不大.氮含量影响PL谱中3.0和3.5 eV处发射峰的峰强,不影响峰位.     

改进sol-gel技术BST薄膜的制备及性能研究

为了制备高性能BST薄膜,采用改进的溶胶 凝胶(sol gel)方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了不同结构、不同组成的BST薄膜;研究了BST薄膜的微观结构及其介电、铁电性能。XRD分析表明,当热处理温度为750℃时,得到完整钙钛矿结构的薄膜材料。SEM电镜显示,含种子层的Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ3种不同类型的BST薄膜的结晶状况有很大改善。得到的BST20薄膜的介电峰温区覆盖常温段,介电常数为405,介电损耗为0.011,剩余极化强度为Pr=2.3μC·cm-2,矫顽场为Ec=45kV/cm。     

BaTiO3/SrTiO3多层膜的制备及其介电性质

采用脉冲激光沉积法在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了BaTiO3／SrTiO3(BTO／STO)多层膜。XRD结果表明：多层膜呈现出明显的(110)择优取向,与Ba0.5Sr0．5TiO3单层膜相比,多层膜的相对介电常数得到了明显的增强,而介电损耗仍然保持在较低的水平。室温下频率为10kHz时,BTO／STO(n=6)多层膜的相对介电常数为506,而介电损耗仅为0．033。薄膜的C-V特性研究表明：多层膜呈现出较好的电容调谐度。