MEMS电热驱动器的设计与分析

该文介绍了一种双层膜的电热微驱动器。根据高等数学和材料力学可求得偏置层结构末端的位移公式,进而验证了采用镍作为偏置层材料的合理性。利用CoventorWare软件对驱动器进行有限元仿真,得出偏置层在温度为300K、电压为5V、响应时间为5ms时,偏置层厚度H1与驱动器位移d的曲线关系图,驱动层厚度H2与d的曲线关系图以及驱动层厚度与驱动器左侧固定端应力的曲线图,从而确定H2=8μm。通过验证驱动器的最大应力为130MPa,小于镍的许用应力,确定驱动器在H2=8μm可以进行可靠的工作。分析驱动层厚度和偏置层厚度的加工误差对驱动器末端位移的影响,可得在对偏置层进行加工时要严格控制H1的加工误差。对驱动器进行了模态分析和抗过载分析,电热驱动器的工作频率范围在821.011Hz以内,且具有抗击8 000 g(g=10m/s2)冲击加速度的能力。     

Ge/Si波导集成型APD器件的仿真分析

设计了一种Ge/Si波导集成型雪崩光电二极管(APD).器件采用将Si波导层置于Ge吸收层之下的结构,光经波导层进入吸收层只需一次耦合,降低了光的损耗,提高了光的吸收率和光电流.采用silvaco软件对器件的结构和性能进行仿真,结果表明:器件的雪崩击穿电压为-28 V,最大内量子效率达到89％,在1.15～1.60 μm范围内具有较高响应度,峰值波长位于1.31μm,单位响应度最高达0.74 A/W,3 dB带宽为10 GHz.     

激光诱发前向转移技术在电子制造领域的应用

激光诱发前向转移是基于激光的诱导作用实现微量物质转移的技术.转移过程中激光与薄膜材料发生相互作用,使薄膜从源透明基板上剥离,转移到目标基板上,发生转移的薄膜最终在目标基板上发生沉积.作为微细加工的一种手段,激光诱发前向转移技术具备制作微小结构的能力,能实现金属、有机物、半导体和生物材料等多种材料的转移和图形制作,在电子制造领域有着广阔的应用前景.     

SiNx插入层对Si衬底上生长GaN薄膜晶体质量和表面形貌的影响

在Si(111)衬底上采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术外延生长GaN薄膜,对外延生长所得GaN薄膜的晶体结构和表面形貌进行表征,并研究SiNx插入层对GaN薄膜的晶体质量和表面形貌的影响.结果表明,在Si衬底上生长GaN薄膜过程中引入SiNx插入层可使GaN薄膜的(10-12)面的X-射线回摆曲线的半峰宽(FWHM)值从974.01减小到602.01arcsec;表面凹坑等缺陷减少、表面平整度提高.可见,SiNx插入层对在Si衬底上外延生长GaN薄膜的晶体质量和表面形貌有着重要的影响.     

浅谈春夏潮湿季节对柔性线路板制造和SMT加工的影响

虽然近年来经过技术改进聚酰亚胺薄膜在技术上有较大提升,但春夏季节,材料的吸水率和吸湿后的尺寸变化还是没有彻底解决,这就需要我们在加工FPC过程中进行适当有效的管控。     

TiNi合金薄膜的脉冲激光沉积制备与应用

概述了三种TiNi合金薄膜的制备方法,其中重点阐述了脉冲激光沉积法,并详细介绍了TiNi合金薄膜作为微驱动元件在微流体控制系统和微操作系统中的应用.随着薄膜制备工艺和性能研究的发展,TiNi合金薄膜将在复合智能材料与结构、MEMS驱动和传感元件的设计与制造等方面具有更广阔的应用前景.     

Ge/Si复合纳米结构电荷存储特性的模拟研究

这一研究工作模拟计算了 Ge/ Si复合纳米结构 MOSFET存储器的擦写和存储时间特性。结果表明 ,Ge/ Si复合纳米结构存储器在低压下即可实现 μs和 ns量级编程。与 Si纳米结构存储器相比 ,由于 Ge/ Si复合势阱的作用 ,器件的电荷保留时间提高了 3～ 5个量级 ,有效地解决了快速擦写编程与长久存储之间的矛盾 ,使器件的性能得到明显改善。     

基于硅片的SMA薄膜微驱动器驱动原理与模拟

建立了ＳＭＡ 薄膜／基片的耦合数学模型,对溅射在基片上的ＳＭＡ 薄膜产生驱动的过程进行了仿真模拟,结果表明ＳＭＡ 薄膜／ 基片的耦合驱动是双金属效应和形状记忆效应的双重结果,该驱动力比单纯双金属效应产生的驱动力大得多。该模型对于实际应用ＳＭＡ 薄膜／基片结构进行微驱动的器件设计具有理论指导意义。     

两种新结构SiGe/Si功率二极管特性模拟

提出了在 n- 区中采用掺杂浓度三层渐变式结构 Si Ge/Si功率二极管及台面结构的 Si Ge/Si功率二极管。由 Medici模拟所得的特性表明 ,在采用 n- 区渐变掺杂结构的 p+ ( Si Ge) -n- -n+ 功率二极管中 ,在正向特性基本不发生变化的前提下 ,与 n-区固定掺杂结构相比反向恢复过程加快 ,二极管下降时间 t A 缩短近 1 /2 ;在采用台面结构的 p+ ( Si Gi) -n- -n+功率二极管中 ,反向恢复特性也有明显改进 ,电流反向恢复时间缩短近 1 /3 ,而电压反向恢复时间缩短近 1 /2。     

以Si3N4为埋层的SOI结构制备与器件模拟

为了减少经典SOI器件的自加热效应,首次成功地用外延方法制备以Si3N4薄膜为埋层的新结构SOSN,用HRTEM和SRP表征了SOI的新结构.实验结果显示,Si3N4层为非晶状态,新结构的SOSN具有良好的结构和电学性能.对传统SOI和新结构SOI的MOSFETs输出电流的输出特性和温度分布用TCAD仿真软件进行了模拟.模拟结果表明,新结构SOSN的MOSFET器件沟道温度和NDR效益都得到很大的降低,表明SOSN能够有效地克服自加热效应和提高MOSFET漏电流.     

分布传感／执行器智能梁的振动控制及APDL仿真

研究了分布传感／执行器智能梁模型的振动控制问题。传感器和执行器选用了压电薄膜PVDF,控制律根据直接位移反馈、负速度反馈和Lyapunov速度反馈设计。研究表明,在本文讨论的悬壁梁模型中,分布执行器控制的效果等效于自由端施加变化的控制力矩,而且速度型反馈明显优于位移型反馈。另外,在仿真的过程中,利用了ANSYS的参数设计语言APDL（ansys parametric design language）,为复杂三维结构的控制仿真开辟了一条可行的途径。     

多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构

为减少自加热效应 ,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的 SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的 SOI新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .     

一种新耦合结构的介质滤波器的设计与仿真

设计并研究了一种电容负载型的同轴介质滤波器,它采用新颖的耦合结构,以及高介电常数低损耗的微波陶瓷材料,大大减小了同轴介质滤波器的体积。同时用HFSS软件对其进行仿真,讨论了部分结构参数对滤波器性能的影响,最后设计出性能良好的带通滤波器,其中心频率f0=999MHz,插入损耗Li=1.489dB,3dB带宽B=17MHz,带外抑制在f0±30MHz时>20dB。     

应变Si/SiGe沟道功率UMOSFET的模拟分析

提出一种应变Si/SiGe UMOSFET结构,并与Si-UMOSFET器件的电流-电压特性进行比较;对SiGe区域在UMOSFET器件中的不同厚度值进行静态电学仿真。应变Si/SiGe异质结能够有效地提高沟道区载流子的迁移率,增大IDS,降低Vth及器件的Ron;且应变异质结与载流子有效传输沟道距离的大小,对器件的Vth、Isat、V(BR)DSS及电流-电压特性都有较大的影响。因此在满足击穿电压要求的基础上,应变Si/SiGe沟道异质结的UMOSFET相对Si-UMOSFET在I-V特性和Ron方面有较大的改进。     

超高比表面积活性炭结构与比电容的关系

在非水电解质体系中,用恒电流充放电法测定所制活性炭电极的双电层比电容,研究了活性炭的结构对比电容的影响。结果表明,超高比表面积活性炭(SBET≥2500m2/g)比表面积为2827m2/g时,电容器比电容值高达101.6F/g,是比表面积为1384m2/g的普通活性炭电容器比电容的2.4倍。提高活性炭中2～4nm孔所占的百分率,能有效地提高电容器比电容。