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相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 93 毫秒
1.
自发极化和压电极化是氮化镓制作光电器件没有解决的问题,对非极性GaN材料的研究解决了极化现象.采用低温AIN作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面GaN,用原子力显微镜和高分辨X射线衍射、光致发光谱比较了生长在γ面蓝宝石上的α面GaN和с面蓝宝石上的с面GaN,α面GaN材料质量和с面GaN相差较大,在α面GaN上发现了三角坑的表面形貌,这和传统的с面生长的极性GaN截然不同.对α面GaN的缺陷形成原因进行了讨论,并且确定了三角坑缺陷的晶向.  相似文献   

2.
本文应用X射线衍射方法、全相观察及电子探针分析方法对AI-Si-Gd(0-33.33at%)三元系合金相图的室温等温截面及中间化合物的结构进行测定和研究,这对我们了解稀土元素Gd加入到Al-Si合金后的作用机理有一定的理论指导意义.  相似文献   

3.
表达多晶材料晶体取向的极图或反极图法,是三维取向的二维投影,在分析取向时可能得不出确定的结果。实际的困难导致三维取向分布函数法(ODF)的提出。文章概括而通俗地介绍了这种较为复杂的分析方法。重点阐述了以完整极图作为输入,以球谐函数展开计算的过程,以及ODF的表达和分析。  相似文献   

4.
磷锗锌(ZnGeP2)单晶体生长研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
以高纯(6N) Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.1%~0.3%配料,在特殊设计的密封安瓿中,采用改进的两温区气相输运法(MTVM)和机械振荡技术合成出单相致密的ZnGeP2多晶原料.以此为原料,采用改进的垂直布里奇曼法(VBM)生长出尺寸为Φ15 mm×25 mm的 ZnGeP2单晶体,呈黑灰色,外观完整、无裂纹.对晶体进行解理试验发现,其存在(112)和(101)两个易解理面;对10×10×2 mm3 ZnGeP2晶片,采用同成分粉末包裹,在550~600 ℃真空退火后,经红外透过率测试结果显示:在2~12 μm波段内红外透过率可达55%以上.  相似文献   

5.
研究了Ca8(Al1-xNix)3(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)合金的相结构及相组成。结果表明,当x=0时,合金中只有Ca8Al3相存在;当x=0.1,0.2,0.3时,合金中除Ca8Al3相外,出现NiAl相和Ca,随着x的增大,Ca8Al3相逐渐减少,而NiAl相和单质Ca大幅度增多;当x进一步增大到0.4时,Ca8Al3相完全消失,合金仅是由NiAl和Ca相构成。  相似文献   

6.
本文首次采用高温高压固相反应法合成了Sr1-XLaXTiO3(X=0.0,0.2)与Ba1-XLaXTiO3(X=0.0,0.2)样品,进行了X射线衍射谱XRD测试.研究了稀土掺杂下高温高压合成规律及其结构性质,从高温高压极端条件合成这一领域为高温超导的研究打下了实验基础.  相似文献   

7.
Mn掺杂及其价态变化可引起钛酸锶钡陶瓷有趣的结构相变,对低损耗陶瓷材料的开发具有重要的研究价值.采用冷压陶瓷技术在1 380℃/5 h烧结条件下制备了Mn掺杂(Ba0.75Sr0.25)TiO3陶瓷.利用X射线衍射(XRD)确定晶体结构,研究Mn掺杂对(Ba0.75Sr0.25)TiO3陶瓷结构的影响.研究表明,随Mn掺杂量的增加,(Ba0.75Sr0.25)(Ti1-y Mn y)O3陶瓷发生四方相→四方-六方混合相→立方-六方混合相的结构相变.  相似文献   

8.
采用冷压陶瓷技术制备具有六方钙钛矿结构的Ba(Ti1-xFex)O3-δ(x=0.05,0.08)陶瓷.由拉曼光谱(RS)技术研究Ba(Ti1-xFex)O3-δ陶瓷在840 cm-1处的"电荷效应".实验观察到代表电荷效应的840 cm-1带消失,其原因最可能是:Fe3+相对于Ti4+具有更小的离子半径、Fe3+-Vo-Fe3+缺陷复合体的形成以及具有低对称性晶格点阵的六方畸变导致电荷效应湮灭.  相似文献   

9.
在不同温度下,首次采用国产X射线衍射(XRD)仪及配套低温附件对BaTiO3陶瓷体进行XRD测试技术研究.结果表明:从30到130℃温度范围内,BaTiO3陶瓷体的晶体结构显示四方对称性;高于130℃,进入立方区域,BaTiO3陶瓷的单胞体积随温度线性增加.同国外的粉末数据比较,验证了国产XRD技术的准确性和稳定性.  相似文献   

10.
研究了不同衬底温度下C60膜的热壁外延生长特性.X射线衍射结果表明,当衬底温度高于160℃时,在氟金云母(001)面上外延生长出完全(111)取向了C60膜,此外,对薄膜结晶的完整性及晶粒尺寸的随温度的变化进行了讨论.  相似文献   

11.
The role of lateral growth on the structural properties of high temperature(HT) GaN epitaxial layer has been investigated by means of transmission electron microscopy(TEM) and X-ray diffraction(XRD).Variations of the lateral growth rate of HT GaN in metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) can be obtained by changing the V/Ⅲ ratio.It is found that under higher lateral growth rate,dislocation is easier to bend into subgrains away from c axis,and the position where bend occurs is closer to the buffer la...  相似文献   

12.
为了研究用MOCVD在蓝宝石衬底上制备的AlGaN/GaN异质结的性能,分别在成核温度为580℃和600℃的非故意掺杂GaN模板上制备了Al0.30Ga0.70N/GaN异质结构,并用光学显微镜和HRXRD等测试设备对其进行了表征,结果表明:与580℃的成核温度相比,在成核温度为600℃的非故意掺杂GaN模板上制备的A...  相似文献   

13.
20CrMnTi钢的位错密度及晶体结构   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用X射线衍射法及新的线性分析理论,准确地测量了不同应变量时20CrMnTi钢的位错密度,分析了应变量与位错密度的关系。结果表明:位错密度随变形量的增加而提高,退火状态时位错密度较低。透射电镜试验证明了20CrMnTi退火后的组织为铁素体和珠光体,晶内位错表态为"曲折"形的位错线,变形后形成胞状结构,同时有孪晶出现。胞状结构的出现大大提高了钢的强度。  相似文献   

14.
实验研究了不同驱动电流下GaN基LED的电阻与温度的关系,发现LED的电阻随工作温度的升高而减小,且两者成线性关系;通过线性拟合得到的电阻温度系数值在宽的驱动电流范围内维持稳定。利用这一特性,可以通过标定单个设定电流下的电阻温度系数,实现任意工作电流(该工作电流应处于电阻温度系数维持稳定的电流范围内)作用下LED结温的测试。  相似文献   

15.
LB膜的X-射线衍射分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
X-射线衍射分析是测定LB膜结构的重要表征技术.综述了近年来X-射线衍射分析在测定各种不同LB膜结构时所起的作用.这些LB膜包括长链脂肪族化合物LB膜、长链芳香族化合物LB膜、聚合物LB膜、无机超微粒子与有机物混合LB膜等四大类.  相似文献   

16.
从天然产物中寻找新的化学成分,应用单晶X射线衍射分析方法对获得的香茶菜二萜成分进行结构分析.获得了MACERYATALB分子三维结构.首次报导晶态下该类化合物的三聚体结构,为香茶菜二萜分子的结构与活性研究提供了可靠的分子立体结构数据.  相似文献   

17.
Microstructures and microwave dielectric properties of 0.5Ba(Mg1/3Nb2/3)O3-0.5Ba(Ni1/3Nb2/3)O3 ceramics with x wt% CuO−x wt% MnO2 additions (x=0.25–1) prepared by conventional solid-state route were investigated. It is found that low level-doping of CuO-MnO2 can significantly improve the density of the specimens and their microwave dielectric properties. The relative density of 0.5Ba(Mg1/3Nb2/3)O3-0.5Ba(Ni1/3Nb2/3)O3 ceramics can be increased by 95% sintering at 1 330 °C due to the liquid phase effect. The second phase is not observed in ceramics with CuO-MnO2 addition. The parameter ε r increases with increasing sintering temperature, and Q f is effectively promoted by CuO-MnO2 addition. Higher CuO-MnO2 content would make τf value more positive. Meanwhile, ε r value of 30.5, Q f value of 63 200 GHz and τ f value of 0.5 ppm/°C were obtained for 0.5Ba(Mg1/3Nb2/3)O3-0.5Ba(Ni1/3Nb2/3)O3 ceramics with 0.5 wt% CuO-0.5 wt% MnO2 addition sintered at 1 330 °C for 4 h.  相似文献   

18.
用XRD、LRS研究了ZrO2/SO2-4和ZrO2晶相。用N2吸附法、化学分析法和滴定法测定了ZrO2/SO2-4的比表面、S含量和酸强度,XPS测定ZrO2/SO2-4的能量。实验结果表明,SO2-4的存在延迟了ZrO2的晶变,提高了晶变温度,在ZrO2/SO2-4体系中不存在水和游离H2SO4,体系酸强度最高时ZrO2主要呈四方晶系。  相似文献   

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