胶体模板法制备三维锗光子晶体

采用胶体模板法并通过简单可控的化学填充工艺制备了三维锗光子晶体;以单分散二氧化硅小球的蛋白石结构为模板,由氯化亚锗与丙烯酸化合制备得到3-三氯锗丙酸（Cl3GeCH2CH2COOH）白色粉末,以三氯锗丙酸的乙醇溶液作为锗源先驱体,低温水解得到β-羧乙基锗倍半氧化物,在600～660℃经H2还原后形成锗,由2％HF化学浸蚀消除模板．对终产物进行X射线衍射分析。结果表明：产物为多晶锗。通过扫描电子显微镜对终产物的形貌进行观察的结果表明：包裹有空气的锗壳球有序阵列已经形成。将先驱体浓度为0．6mol／L的溶液填入模板空隙后。壳层表面可以获得较为光滑致密的锗壳。     

模板法制备半导体纳米阵列及其形态调控

以聚苯乙烯单层胶体晶体为模板,分别采用溶液浸渍法和磁控溅射法制备Ti O2和Zn O二维纳米阵列。研究了前驱体浓度、溅射时间和溅射功率对纳米阵列形态的影响,研究发现随着前驱体浓度的降低,Ti O2纳米阵列的形貌由孔状变为环状。对于特定的Zn O孔状阵列,随着溅射功率的增大和溅射时间的延长,阵列的表面形貌也出现了明显的变化。结果表明,利用模板法制备的纳米阵列的形态可通过实验参数来进行调控。     

硅基AAO模板法制备纳米阵列研究进展

硅基纳米材料结构与性能独特,在光学、半导体和材料科学等领域具有广阔的应用前景。本文介绍了硅基阳极氧化铝模板相对于铝基模板在集成纳米功能器件方面的优势及其制备方法,对阳极氧化工艺过程进行了分析,并对几种基于硅基AAO模板组装的纳米阵列进行了综述,总结了硅基纳米结构阵列性能的研究概况。     

模板法合成TiO2纳米阵列及其微观结构表征

采用异丙醇钛[(C4H9O)4Ti]为先驱体配制二氧化钛溶胶,以阳极氧化铝模板(AAO,孔径尺寸200 nm,厚度约60 mm)直接浸渍和负压辅助浸渍的方法制备二氧化钛纳米管或管棒混杂的阵列结构,所得产物在450℃下进行热处理后,化学刻蚀去除模板. 利用FE-SEM, HR-TEM以及XRD对其微观形貌、结构等进行了观测和分析. 结果表明,产物450℃热处理后为多晶锐钛矿相. 模板法简单易行,制备出的管棒外径取决于模板孔道的尺寸,在负压辅助下可有效提高产物的连续性.     

十二烷基硫酸钠模板法制备纳米硒

以十二烷基硫酸钠作为软模板,用抗坏血酸还原亚硒酸制备纳米硒,并对所制得的纳米硒进行了表征,研究了反应条件对产物形貌以及粒径的影响.结果表明,当反应体系中亚硒酸浓度为0.01 mol/L,抗坏血酸浓度为0.07 mol/L,十二烷基硫酸钠质量分数为1.0%时,常温下反应7 min后可得到均匀稳定的球形红色纳米硒颗粒,平均粒径约35nm,制得的纳米硒颗粒经超声波超声后能稳定存在两个月以上.     

魔芋粉模板法制备纳米硒

以魔芋粉作为软模板,用还原法制备了球状的硒纳米粒子.研究了不同的还原剂、模板剂用量和温度对硒纳米粒子的影响.采用扫描电镜和X射线衍射对产物进行了表征.结果表明,当n(Vc)∶n(Na2SeO3)=3 ∶ 1、魔芋粉质量分数为3.0×10-3、40℃反应1.5h时,可得到均匀稳定的球形硒纳米颗粒,平均粒径约60～150 ...     

以模板法制备二氧化硅纳米空心球及其保温性能研究

以阳离子化聚苯乙烯微球为模板一步法水解正硅酸乙酯制备二氧化硅纳米空心球,得到直径为200~500 nm之间、外形规整的二氧化硅纳米空心球。将空心球作为保温填料用于苯丙涂料后,对涂料保温性能的测试结果表明二氧化硅纳米空心球能显著提高涂料的保温性能。随二氧化硅纳米空心球在涂料中含量的增加,涂料的保温性能越好,并且由于其粒径小,并不影响涂料外观。     

胶体晶体模板法制备三维有序排列的大孔SiO2材料

将粒径为480 nm的聚苯乙烯微球离心组装为胶体晶体模板,以正硅酸乙酯为硅源配制SiO₂溶胶并填充到模板间隙,原位形成凝胶,最后通过焙烧去除模板,得到三维有序大孔（3DOM）SiO₂。通过SEM检测,大孔以六方有序的方式排列,其孔径及孔径收缩率分别为360 nm和25％。大孔之间由小窗口连通,构成内部三维交联的大孔网络。低温N₂吸附测试表明,大孔孔壁上存在中孔孔隙,其中在3～4 nm有一集中的孔分布。XRD显示,制备的3DOM材料由无定形SiO₂组成。     

模板浸润法制备ABS纳米管阵列结构

采用简单的、聚合物溶液或熔体浸润多孔阳极氧化铝(AAO)模板的方法,制备了不同结构的ABS纳米管及其阵列。对于溶液法,溶液的浓度会影响纳米管完整性:2.5%溶液制得的ABS纳米管管壁具有微孔缺陷;而5.0%溶液可以制得完整的纳米管。对于熔融法,熔体的温度影响了纳米管的结构:240℃和270℃都可以制得ABS纳米管,但其管壁和管长都不同。ABS纳米管的分解温度比本体ABS低100℃左右。     

浸润AAO模板法制备EVA纳米管阵列

采用聚合物溶液或熔体浸润多孔阳极氧化铝(AAO)模板的方法,在孔径为200 nm的AAO模板中成功制备了EVA纳米管阵列,用扫描电子显微镜对其微观形貌进行表征.结果表明溶液法制得纳米管管壁厚度随浓度而变化,质量分数5.0%和7.0%的EVA溶液制备的纳米管壁厚约为40 nm和60 nm.熔体法制得纳米管的长度受温度影响而不同.对模板法制备纳米管的形成机理进行了探讨.     

核壳结构半导体纳米晶体CdS/ZnS的制备及其光学性质

通过反胶束法成功制备了CdS及CdS/ZnS核壳结构量子点,采用紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)、透射电子显微镜(TEM)、能量色散型X射线能谱(EDX)以及荧光光谱(PL)等对其结构和性能进行了研究。与CdS量子点相比,CdS/ZnS量子点的粒径明显变大,本文估算了粒子的粒径,TEM图像很好的印证了估算的结果;结合EDX的测试结果可以推断CdS/ZnS量子点的结构是ZnS包裹在CdS表面的核壳结构;CdS/ZnS量子点的荧光强度与CdS量子点相比有了明显的提高,原因主要是壳层的ZnS消除了CdS量子点表面上存在的无辐射复合中心。     

气相法制备ZnO纳米阵列研究进展

Zn O作为一种具有优良性质的半导体材料,其纳米结构的制备方法得到广泛研究。气相法制备Zn O纳米阵列具有产物容易阵列及收集方便等特点,就近些年来Zn O纳米阵列的气相制备法研究情况做一总结和归纳,主要有化学气相沉积法、物理气相沉积法、金属有机物化学气相沉积法、化学气相输运法及脉冲激光沉积法等,并对不同实验方法合成的Zn O纳米阵列形貌结构及生长环境进行分析讨论,简单探讨气-液-固和气-固生长机理,为探索简单、方便,产物形貌结构及尺寸大小可控性强的气相制备方法提供依据。     

AAO模板法制备纤维素纳米纤维

研究了以多孔阳极氧化铝(AAO)为模板,采用抽滤法首次制备直径为35nm的纤维素纳米纤维。孔径为300nm的AAO模板采用二步阳极氧化法制备。纤维素溶解在氯化锂/N,N-二甲基乙酰胺(LiCl/DMAc)溶液中,通过抽滤将纤维素溶液注入AAO模板的纳米孔洞中,除去溶剂和AAO模板后得到纤维素纳米纤维。制得的纤维素纳米纤维呈阵列结构排列,在胶粘剂、疏水材料等领域具有潜在的应用价值。     

生物模板法制备微纳米三氧化二铁

以FeCl3为起始原料,采用不同的生物模板(定量滤纸、鸡蛋内膜),通过浸渍和煅烧,成功地制备出具有生物形态的微纳米Fe2O3,采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征样品的相组成和微观结构。结果表明:两种模板所制得的产品都很好地复制了原模板的形貌。同时,研究了制备条件诸如煅烧温度和反应物浓度对产物结构、形貌和尺度的影响,并初步探讨了生物形态的微纳米Fe2O3形成的机理。     

纳米氧化锌的模板法制备现状

模板材料的内部结构是十分丰富的,利用模板材料中空隙的空间限制作用和模板的调控作用便可有效地控制纳米氧化锌材料的尺寸、结构、形貌等特征。文章主要对几种特殊模板法合成纳米氧化锌材料的基本原理、合成工艺及其相关的应用领域和发展前景进行了阐述,并提出了一些相关的建议和想法。     

模板法制备纳米氧化铜的研究进展

在纳米材料的制备中模板法具有不可替代的地位,模板剂的加入使纳米材料的形貌、结构及尺寸得到有效控制,使得纳米材料拥有更为独特的性能,近几年对于纳米氧化铜的研究仍是热门话题,使氧化铜在各个领域得到了广泛应用。本文简述了模板法在纳米氧化铜制备中的应用情况,把常用的模板剂分为五种模板类型,并做了举例说明和分析总结,最后对模板法制备纳米氧化铜加以展望。     

聚苯乙烯胶体晶体模板制备及在3DOM-SiO_2材料制备中应用

通过创新的方法制备聚苯乙烯（PS）胶体晶体,成功的制备出粒径在255nm左右的PS胶体晶体,并阐述了乳化剂用量对PS胶体晶体有序性排列的影响。用此PS胶体晶体为模板制备3DOM-SiO2材料,通过扫描电镜与透射电镜观察,SiO2大孔材料的孔径收缩率为10%左右,并且大孔SiO2在大面积范围内排列整齐有序,孔壁均匀致密光滑,是典型的三维有序大孔结构,3DOM-SiO2材料整体上呈面心立方体结构。     

新型模板法制备ZnO纳米结构薄膜及其光学性能研究

通过电化学阳极氧化-化学溶蚀技术制备了一种由无数纳米凸点和凹点所构成的新型铝基纳米点阵模板.采用直流反应磁控溅射法在这种新型模板上沉积得到氧化锌纳米结构薄膜.在室温下观察了氧化锌纳米结构薄膜的形貌,测定材料的晶体结构和光致发光(PL)性能,并讨论了不同溅射时间下制备的氧化锌纳米阵列结构以及其对氧化锌PL谱的性能影响.结果表明,采用直流反应磁控溅射-铝基纳米点阵模板可以制备ZnO纳米结构薄膜;PL谱表明溅射时间为10 min得到的氧化锌薄膜在396.5 nm和506.4 nm处分别出现紫外发射峰和蓝绿色荧光发射峰;随着溅射时间延长,氧化锌薄膜PL谱伴有红移现象且强度逐渐增强.这可能是由于改善了晶粒结构导致不能观测到ZnO薄膜的深能级发射峰所致.     

溶剂热法制备ZnS：Mn纳米荧光粉

采用溶剂热法,以乙二胺和水为溶剂,在表面活性剂十六烷三甲基溴化铵（CTAB）的作用下,制备了ZnS：Mn荧光粉体。通过X射线粉末衍射仪（XRD）、紫外可见分光光度计（UV-Vis）和荧光分光光度计（PL）对合成的ZnS：Mn荧光粉的结构和光学性能进行表征。实验结果发现,溶剂量比不同不但对硫化锌的晶体结构有所影响,对其荧光光谱也有一定的影响。在表面活性剂的修饰下,并不影响其的晶体结构,但对ZnS：Mn的发光强度有所增强。     

廉价模板法制备MnO2纳米棒及其电容特性研究

该文以可再生、廉价、天然多孔的锯末为模板,采用化学溶液浸渍法合成了MnO2纳米棒.TEM,FTIR,XRD测试结果表明,所得样品为α-MnO2纳米棒,其平均直径为15 nm左右,平均长度约为150 nm.循环伏安和恒流充放电测试结果表明:在1.0 mol?L-1的(NH4)2SO4电解液中,0～1.0 V(vs.SCE)电位区间内,充放电的电流密度分别为1 A?g-1和2 A?g-1时,所制备的α-MnO2的最高放电比电容分别达到了176 F?g-1和138 F?g-1.