CMOS线性敏感器阵列

ＴＡＯＳ公司的ＣＭＯＳ线性阵列除对光强信号比较敏感外 ,还可给出空间信息。这些器件中的线形光电二极管阵列的每个光电二极管均可敏感入射光 ,其输出为与积分时间和入射光强成正比的模拟或数字电压信号。该线性阵列器件具有２００、３００和４００ＤＰＩ（每英寸的点数）三种类型 ,像素数从６４～１２８０点 ,各型号的主要参数如表１所列。ＴＸＬ２０Ｘ系列的点密度为２００ＤＰＩ ,像元尺寸为１２０μｍ（高）×７０μｍ（宽） ,像间距是１２５μｍ。为了简化操作 ,该器件只需串行输入（ＳＩ）信号和时钟（ＣＬＫ）信号即可正常工作 ,它…     

光电子技术

TN204 99010124人射光强和背景光对二维光电位t敏感器件千扰的影响/吕爱民,袁红星,贺安之(南京理工大学)11光学学报.一1998,18(6)『一762一766光电位置敏感器件(PSD)是一种可直接对其光敏面上的光斑位置进行检测的光电器件,可构成非接触高精度动态测量系统.光电位置敏感器件在使用中的关键间题是如何定量确定入射光强的大小和克服各种背景光干扰,以提高检测的精度和可靠性.根据光电位置敏感器件的原理和光点位置方程,找到有背景光作用于光电位里敏感器件上位置输出的关系及背景光导致的位置误差的实验数据,同时研究入射光强对光电位置敏感…     

一种低压智能功率集成技术

本文介绍了一种以传统多晶硅栅ＶＤＭＯＳ工艺为主的新型自隔离智能功率集成工艺技术。该技术可以将ＶＤＭＯＳ、ＨＶ－ＣＭＯＳ、ＬＶ－ＣＭＯＳ、ｎｐｎ双极晶体管、齐纳二极管、电容等器件集成在同一单片电路中。整个工艺仅１０块掩模版。结合我们研制的高边智能功率开关电路，对器件结构、特性和工艺设计考虑进行了详细的分析。     

共焦扫描显像成像系统的非相干光学传递函数

共焦扫描光学显微（ＣＳＯＭ）系统有透射式和反射式,相干光和非相干光荧光等类型。ＣＳＯＭ系统的平面分辨率和纵发辨率依赖于放置在光电探测器前面的空间滤波器的孔径大小。根据不同孔径计算反射式荧光ＣＳＯＭ系统的非相干光学传递函数,并进一步说明反射式荧光ＣＳＯＭ系统的成像特性对孔径的依赖关系。     

光纤和曲面反射镜组合的光学应变仪

东京农工大学研制出光纤和曲面反射镜组合的光学应变仪. 光学应变仪与普通电阻应变仪相比,具有很强的抗磁、电波和化合物质干扰的能力,并具有将光纤直径和反射镜曲率最佳化容易制成应变仪的特点. 在光纤上入射激光束,从光纤端面射出的激光束扩束后入射至曲面反射镜上,激光束以与反射镜曲率相应的反射角反射,再入射到光纤端面.这时的入射光强随光纤端面和反射镜距离的不同而发生线性变化,在测量部分显示出应变.如果光纤端面和反射镜距离发生微小变化,反射镜反射回来的入射光强则发生较大变化,用光电二极管检测其强度就可以测量出应变. (以上由车会生供稿)     

重庆光电技术研究所新品简介

重庆光电技术研究所新品简介ＧＬ３１９０Ｚ型电荷耦合线阵摄像器件１工作原理以端端交错的拼接方式将三个２０４８位线阵电荷耦合器件（ＣＣＤ）拼接为６１４４位线阵ＣＣＤ摄像器件。光敏二极管线阵将入射的一维光信号转换为电信号存贮在光敏二极管的结电容中，然后由转...     

6H－SiC反型沟道和掩埋沟道MOS器件的特性

介绍了在宽禁带半导体６Ｈ－ＳｉＣ材料上制作的反型沟道和掩埋沟道栅控二极管及ＭＯＳＦＥＴ。器件的制作采用了热氧化和离子注入技术。因为６Ｈ－ＳｉＣ禁带宽度为３ｅＶ，用ＭＯＳ电容很难测量表面态，故利用栅控二极管在室温条件下来测量表面态。反型沟道器件中电子有效迁移率为２０ｃｍ２／Ｖ．ｓ，而掩埋沟道ＭＯＳＦＥＴ沟道中的体电子迁移率为１８０ｃｍ２／Ｖ．ｓ。掩埋沟道晶体管是第一只ＳｉＣ离子注入沟道器件，也是第一只６Ｈ－ＳｉＣ掩埋沟道ＭＯＳＦＥＴ。     

一种新的宽动态范围硅光电探测器和线性传感阵列

设想、发展和制造了一种利用MOS场效应晶体管亚阈值效应的新颖固传器,并获得了实验结果。这种光电探测器能和MOSFET电路或CCD电路集成在一同芯片上,在宽动态范围内提供模拟电压信号。实验表明:此光电探测器和阵列在可见光谱内,有大于10~7的入射光强动态范围。另外,新的光电探测器还被用于实现CCD和自扫描MOSFET线阵。本文详细描述了新的光电探测器件的理论和用它构成成象线列的应用。最后,介绍了对设计制造的器件及阵列的实验结果。     

光并行连接的PD阵列组件

日本富士通研究所，研制出小型PD阵列组件，该组件装在对实现装置间光互连起重要作用的光并行连接组件上．该器件的成功之处在于(1)开发带有新型微透镜的背面入射型平面pin光电二极管阵列，并引入到光敏器件里；(2)开发了将此pin光电二极管     

6H—SiC反型沟道和掩埋沟道MOS器件的特性

介绍了在宽禁带半导体６Ｈ－ＳｉＣ材料上制作的反型沟道和掩埋沟道栅控二极管及ＭＯＳＦＥＴ。器件的制作采用了热氧化和离子注入技术。因为６Ｈ－ＳｉＣ禁带宽度为３ｅＶ，用ＭＯＳ电容很难测量表面态，故利用栅控二极管在室温条件下来测量表面态。反型沟道器件中电子有效迁移率为２０ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ，而掩埋沟道ＭＯＳＦＥＴ沟道中的体电子迁移率为１８０ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ，掩埋沟道晶体管是第一只ＳｉＣ离子注入沟道器件，也是     

SiC器件──物理与数值模拟

从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ～ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达１０００Ｋ温度下应用的可能性。６Ｈ－ＳｉＣ１２００Ｖｐ－ｎ￣（－）－ｎ￣（＋）二极管与相应硅（Ｓｉ）二极管的比较说明６Ｈ－ＳｉＣ二极管开关性能较高，同时由于６Ｈ－ＳｉＣ　ｐ－ｎ结内建电压较高，其正向功率损耗比Ｓｉ略高。这种缺点可用６Ｈ－ＳｉＣ肖特基二极管克服。Ｓｉ、３Ｃ－ＳｉＣ和６Ｈ－ＳｉＣ垂直功率ＭＯＳＦＥＴ的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下，这种ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的开态电阻低于０．１Ωｃｍ￣２，可在高达５０００Ｖ阻塞能力下工作，而ＳｉＭＯＳＦＥＴ则限于５００Ｖ以下。这一点通过用ＰＩＳＣＥＳ计算６Ｈ－ＳｉＣ１２００ＶＭＯＳ－ＦＥＴ的特性得以验证。在低于２００Ｖ的电压区，由于硅的迁移率较高且阈值电压较低，故性能更优良。在上述的６Ｈ－ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约４×１０￣６Ｖ／ｃｍ的电场。为了研究ＳｉＣ器件的高频性能，提出了６Ｈ－ＳｉＣ发射极的异质双极晶体管?     

亚微米BiCMOS工艺技术

ＢｉＣＭＯＳ是双极的速度和驱动能力与ＣＭＯＳ的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因，ＢｉＣＭＯＳ器件主要以ＣＭＯＳ为主。因此，双极器件通常并入ＣＭＯＳ核心工艺流程。当器件尺寸减小时，双极和ＣＭＯＳ技术显得愈发相似。本文例举了０．８μｍ和０．５μｍ的技术论点，ＢｉＣＭＯＳ电路与ＣＭＯＳ相比，成本稍有增加，但其性能提高一倍。     

新颖的MOCCII的电流模式滤波器

文章根据四种典型的信号流图提出了相应的四种新颖的基于 ＭＯＣＣＩＩ（ 多端输出的ＣＣＩＩ） 的电流模式滤波器电路及 ＭＯＣＣＩＩ 的ＣＭＯＳ实现电路。这四种滤波器电路均能同时实现二阶低通、带通滤波器。文中各电路仅含两个ＭＯＣＣＩＩ器件,比较诸文献的多功能电流模式ＣＣＩＩ 滤波器,所用的ＣＣＩＩ 器件数要少。由于ＭＯＣＣＩＩ由ＣＭＯＳ器件实现,电路中所有ＲＣ 元件均接地,所以文中各电路便于集成且与ＶＬＳＩ工艺兼容     

低压低功耗集成电路：SOI技术的新机遇

就热载流于效应、软失效、体效应及寄生电容等问题将薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件与体硅ＣＭＯＳ器件的进行比较。并阐述薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ技术是低压低功耗集成电路的理想技术。     

1-Wire网络硬件配置

１连接１ -Ｗｉｒｅ网络与ＰＣ的适配器任何能够处理１１５．２ｋｂｐｓ的ＵＡＲＴ的ＰＣ都可以作为总线主控器来读写网络上的１ -Ｗｉｒｅ器件 ,但需使用一个串行ＣＯＭ端口到１ -Ｗｉｒｅ转换的适配器来提供计算机ＲＳ -２３２电平与５Ｖ１ -Ｗｉｒｅ总线的接口。由Ｄａｌｌａｓ公司开发的ＤＳ９０９７ＣＯＭ端口适配器是一种经济、易用的接口电路 ,如图１所示。该适配器由计算机ＣＯＭ端口供电 ,电路仅采用钳位二极管和电平转换二极管 ,并充分利用了ＵＡＲＴ的控制输出。该电路可为直接与串口的耦合提供一个简单可靠的方案 ,不足之处是它…     

集成气体传感器的进展

本文综述了集成气体传感器的发展过程的工作机理，讨论了Ｓｃｈｏｔｔｋｙ气敏二极管、ＭＯＳ气敏二极管、ＭＯＳ气敏场效应厚膜集成气体传感器和集成气体传感器阵列。     

短沟道CMOS／SOI器件加固技术研究

通过大量辐照实验分析了采用不同工艺和不同器件结构的薄膜短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件的抗辐照特性，重点分析了Ｈ２－Ｏ２合成氧化和低温干氧氧化形成的薄栅氧化层、ＣｏＳｉ２／多晶硅复合栅和多晶硅栅以及环形栅和条形栅对ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件辐照特性的影响，最后得到了薄膜短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件的抗核加固方案．     

亚微米BiCMOS工艺技术

ＢｉＣＭＯＳ是双极速度和驱动能力与ＣＭＯＳ的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因，ＢｉＣＭＯＳ器件主要以ＣＭＯＳ为主，因此，双极器件通常并入ＣＭＯＳ核心工艺流程。当器件尺寸减小时，双极和ＣＭＯＳ的技术显得愈发相似。本文列举了０．８μｍ和０．５μｍ的技术论点。ＢｉＣＯＳ电路与ＣＭＯＳ相比，成本稍高但其性能提高一倍。     

具有时间延迟积分和元件筛选功能的长线性列阵器件

英国ＧＥＣ－Ｍａｒｃｏｎｉ红外公司根据横向聚集的ＣｄＨｇＴｅ光电探测器列阵已经研制开发了一种传器技术,列阵器件是安装在普通设计的ＣＭＯＳ的多路传输集成电路上的。由于可以利用亚微米硅工艺技术,使得许多功能可以高度集成在探测器上,从而大大简化整个系统的设计。     

高性能BiCMOS制造技术及I/O电路优化

本文报导一套先进的ＢｉＣＭＯＳ集成电路制造技术，建立在ＣＭＯＳ工艺基础上的ＢｉＣＭＯＳ制造工艺，增加了双埋层，２．５微米本征外延层，双阱，基区，多晶硅发射区，深集电区和平坦化双层金属布线等工艺技术。器件性能测试和扫描电镜检查结果表明，双极器件和ＭＯＳ器件性能优良，ＢｉＣＭＯＳ器件的抗锁定性能比ＣＭＯＳ器件提高了一个数量级。