8—12GHz低噪声PHEMT单片集成电路

描述了以ＰＨＥＭＴ为有源器件的８￣１２ＧＨｚ宽带低噪声单片电路的设计及制造，获得了满意的结果。其性能为ｆ＝８￣１２ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４￣１９．５ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４￣２．２０ｄＢ；ｆ＝８￣１４ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４￣１９．９ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４￣１．５ｄＢ。     

X波段宽带功率放大器

介绍了８～１２ＧＨｚ宽带功率放大器的设计、制作。放大器的主要技术指标：工作频率８～１２ＧＨｚ，增益≥２３ｄＢ，１ｄＢ压缩输出功率≥２７ｄＢｍ，输入输出驻波比≤２∶１。     

12—18GHz宽带功率低噪声固态放大器

研制开发了１２－１８ＧＨｚ宽带功率固态放大器，主要技术指标：工作频率为１２－１８ＧＨｚ，增益Ｇｐ≥２５ｄＢ，输出功率ＰＯ≥４００ｍＷ输入输出驻波比ＶＳＷＲ≤２．５：１，噪声系数Ｆａ≤６ｄＢ。     

12～18GHz宽带功率低噪声固态放大器

研制开发了１２～１８ＧＨｚ宽带功率固态放大器。主要技术指标：工作频率为１２～１８ＧＨｚ，增益ＧＰ≥２５ｄＢ，输出功率ＰＯ≥４００ｍＷ，输入输出驻波比ＶＳＷＲ≤２．５∶１，噪声系数Ｆｎ≤６ｄＢ。     

6～20GHz宽带低噪声中功率放大器

本文介绍了６￣２０ＧＨｚ微波宽带低噪声,中功率放大器的研制工作。采用微波宽带匹配和ＣＡＤ技术,研制出了符合整机要求的放大器。主要性能指标：工作频率６￣２０ＧＨｚ,１ｄＢ压缩输出功率≥１８ｄＢｍ,增益≥２８ｄＢ,输入输出驻波比≤２．０：１,噪声系数≤４．０ｄＢ,增益平坦度≤±２．０ｄＢ。     

8～12GHz低噪声PHEMT单片集成电路

描述了以ＰＨＥＭＴ为有源器件的８～１２ＧＨｚ宽带低噪声单片电路的设计及制造，获得了满意的结果。其性能为ｆ＝８～１２ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．５ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．２０ｄＢ；ｆ＝８～１４ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．９ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．５ｄＢ     

SPDT,SP3T大功率PIN开关

描述了２－４ＧＨｚ、８－１２ＧＨｚ的ＳＰＤＴ和８－１２ＧＨｚ的ＳＰ３Ｔ大功率ＰＩＮ开关的设计方法、实现过程和测试结果。其连续波功率最大可承受８０Ｗ，插入损耗小于１．８ｄＢ，，隔离度大于２５ｄＢ，驻波比小于１．８，开关时间小于１ｕｓ具有功率容量大，工作频带宽、可靠性高，成本低，调试简单等特点。     

8毫米功率HBT研究

简要介绍了异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的发展现状。对ＨＢＴ器件性能进行了理论分析、设计并制作了功率ＨＢＴ器件样品。器件性能达到：ｆ＿Ｔ＝４０ＧＨｚ，ｆ＿（ｍａｘ）＝３２ＧＨｚ，在８ＧＨｚ工作频率下测量，输出功率为１００ｍＷ，功率附加效率为３１．３％，增益为９．４ｄＢ；ｆｏ＝１２ＧＨｚ，输出功率为２３．６ｍＷ，增益６．１ｄＢ，功率附加效率为２３．４％。     

8毫米功率HBT研究

简要介绍了异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的发展现状，对ＨＢＴ器件性能进行了理论分析，设计并制作了功率ＨＢＴ器件样品。器件性能达到：ｆＴ＝４０ＧＨｚ，ｆｍａｘ＝３２ＧＨｚ在８ＧＨｚ工作频率下测量，输出功率为１００ｍＷ，功率附加效率为３１．３％，增益为９．４ｄＢ，ｆ０＝１２ＧＨｚ，输出功率为２３．６ｍＷ，增益６．１ｄＢ，功率附加效率为２３．４％。     

2～18GHz超宽带射频放大器

采用分布电路原理、ＣＡＤ技术和微带电路技术，制作出多倍频程超宽带放大器。其主要技术参数为，ｆ＝２～１８ＧＨｚ，Ｇ＿ｐ≥３０ｄＢ，△Ｇ＿ｐ≤±３ｄＢ，Ｆ＿ｎ≤７ｄＢｍ，Ｐ＿（－１）≥＋１０ｄＢ，ＶＳＷＲ≤２．５：１。     

2～12GHz GaAs单片行波放大器

报道了一个全平面超宽带ＧａＡｓ单片行波放大器的研究结果。该单片电路的核心部件是四个３００μｍ栅宽的ＭＥＳＦＥＴ，整个电路拓扑结构简单，芯片面积为３．０ｍｍ×１．８ｍｍ。电路经优化设计后在２～１２ＧＨｚ范围内，小信号增益为５±１ｄＢ，输入输出电压驻波比≤１．７５。上述频率范围内输出功率≥１６ｄＢｍ，噪声系数≤８ｄＢ。采用全离子注入、全平面工艺，均匀性、一致性良好。实验结果与设计预计值十分一致。     

超低相位噪声超高速声表面波雷达频率综合器

介绍了一种新型的高性能雷达频率综合器的制作方法，即采用声表面波技术制作高性能的雷达频综器。采用这种方法成功地制造了Ｌ波段、Ｓ波段、Ｃ波段超低相位噪声超高速频率综合器。该类频综输出信号具有极低相位噪声（１．６ＧＨｚ处：单边带相位噪声Ｌｍ（１ｋＨｚ）＝－１２７ｄＢｃ／Ｈｚ；３．４ＧＨｚ处：Ｌｍ（１ｋＨｚ＝－１２２ｄＢｃ／Ｈｚ；６．８ＧＨｚ处：Ｌｍ（１ｋＨｚ）＝－１１６ｄＢｃ（Ｈｚ）、极短的频率切换时间（约１６０ｎｓ）、低杂波电平（Ｌ波段为－７０ｄＢ；Ｓ波段为－６５ｄＢ；Ｃ波段为－６０ｄＢ）、较多频点（５１点）等多项优异性能。同时，该频综通过了各项环境试验的考核，且长期工作性能稳定。     

6～20GHz宽带低噪声中功率放大器

本文介绍了６～２０ＧＨｚ微波宽带低噪声、中功率放大器的研制工作。采用微波宽带匹配和ＣＡＤ技术, 研制出了符合整机要求的放大器。主要性能指标： 工作频率６～２０ＧＨｚ, １ｄＢ压缩输出功率≥１８ｄＢｍ , 增益≥２８ｄＢ, 输入输出驻波比≤２．０∶１, 噪声系数≤４．０ｄＢ, 增益平坦度≤±２．０ｄＢ     

宽带GaAs MMIC放大器

Ｍ／Ａ-ＣＯＭ研制的ＭＡＡＭ２８０００-Ａ１型宽带ＭＭＩＣ放大器的工作频率为２～８ＧＨｚ,它采用２级放大,单电源１０Ｖ供电,具有较好的增益平坦度,输入输出阻抗均为５０Ω,增益为１７ｄＢ,增益平坦度为±０．５ｄＢ,在２～４ＧＨｚ、４～６ＧＨｚ和６～８ＧＨｚ时的最大噪声分别为８．０ｄＢ、６．５ｄＢ和６．０ｄＢ,输入和输出驻波比分别为１．６和１．５,输入ＩＰ３为+７ｄＢｍ,输出１ｄＢ压缩为+１．４ｄＢｍ,反向隔离为３５ｄＢ,最大偏压电流为１００ｍＡ。该器件采用廉价的小型８脚陶瓷封装,不需要任何外部元件,可用于卫星通…     

8～16GHzGaAs单片宽带分布放大器

报道了８～１６ＧＨｚＧａＡｓ单片宽带分布放大器的设计与制作。单级ＭＭＩＣ电路采用三个栅宽为２８０μｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ作为有源器件，芯片尺寸为１．１ｍｍ×１．６ｍｍ。在８～１６ＧＨｚ频率范围，用管壳封装的两级级联放大器增益Ｇ＿ａ，为１１．３±１ｄＢ，噪声系数Ｆ＿ｎ＜６ｄＢ，输出功率Ｐ＿（１ｄＢ）＞１６ｄＢｍ。     

S波段频率综合技术研究

本文论述的Ｓ波段频率综合器，频率范围是２．６１￣３．９６ＧＨｚ，频率步进为２．５ＭＨｚ，相位噪声指标〈－（８８￣９３）ｄＢｃ／Ｈｚ，长期频率稳定度为１×１０＾－９／日，杂散抑制优于５５ｄＢ，谐波抑制优于５０ｄＢ，输出功率大于１４ｄＢｍ。     

2～18GHz GaAs单片超宽带放大器

介绍了２￣１８ＧＨｚ ＧａＡｓ微波低噪声宽带单片放大器设计原理及主要研究工作，给出了主要研究结果：在２￣１８ＧＨｚ频率范围内，管壳封装的两级级联放大器的增益Ｇ＝１３．５￣１８．３ｄＢ，噪声系数Ｆｎ＝４．２￣６．２ｄＢ，输入电压驻波比ＶＳＷＲｉｎ〈２．０，输出电压驻波比ＶＳＷＲｏｕｔ〈２．５。     

锁相介质振荡器

锁相介质振荡器采用锁柏稳频技术将介质振荡器的频率稳定在参考频率上。研制的一种Ｘ波段锁相介质振荡器,得到的性能指标如下：频率８．４４８ＧＨｚ;相位噪声≤ －８０ｄＢＣ／Ｈｚ＠１００ｋＨｚ、≤－１１０ｄＢ／Ｈｚ＠１００ｋＨｚ;输出功率≥１０ｄＢｍ;杂波≤－７５ｄＢｃ、谐波≤－３０ｄＢｃ。     

DC～1．5GHz GaAs单片集成跨阻放大器

介绍一种采用８个砷化镓ＦＥＴ和７个二极管的单片集成跨阻放大器，其结果良好，频率为ＤＣ～１．５ＧＨｚ，增益Ｇａ≥１８ｄＢ，噪声系数Ｆｎ≤４．３ｄＢ（ｆ＝４００ＭＨｚ，Ｒｓ＝Ｒ＿Ｌ＝５０Ω）。     

数控衰减器研究

应用ＣＡＡ技术研究模拟了ＰＩＮ二极管的电参数特性，并用于数控衰减器的ＣＡＤ。频率范围：１．０～１．７ＧＨｚ，衰减范围：２，４，８，１６ｄＢ，插入损耗≤２．３ｄＢ，ＶＳＷＲ≤２．０。