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推导了在考虑了基区复合电流后双极晶体管厄利电压的理论表达式。用该表达式计算了Si/SiGe异质结双极晶体管的厄利电压,并且与仿真结果进行了比较。比较结果表明,两种情况下计算出的厄利电压值符合良好。 相似文献
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建立了带有不掺杂隔离层的突变异质结双极晶体管(HBT)模型,在热场发射-扩散(TFD)理论的基础上,又考虑了空间电荷区中的复合效应。对AlGaAs/GaAsHBT特性的分析表明,不掺杂隔离层虽可有效地降低导带边的势垒尖峰,提高发射结的注入效率,但也会增大空间电荷区中的复合电流。因此,在实际器件的设计和制作中,应适当选择不掺杂隔离层的厚度,以获得较好的器件特性。还给出了计算突变异质结界面处电子准费米能级不连续的公式。 相似文献
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本建立了包括空间电荷区复合电流在内的缓变异质结双极晶体管(HBT)的分析模型,对AlGaAs/GaAsHBT特性的分析表明,缓变发射结中可有效地消除导带边的势垒尖峰,但也会大大增加空间电荷区中的复合,导致小电流情况下电流增益的明显下降,发射结界面附近的不掺杂隔离层会进一步增大空间电荷区内的复合,加剧电流增益的下降,因此在器件的设计和制作过程中,应精确控制组分缓变区和不掺杂隔离层的厚度,以减小空间 相似文献
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报道了具有最高单位电流增益截止频率(fT)的Si异质结双极晶体管(HBT)的制作,器件的fT值达75GHz,集电极-基极偏压1V,本征基区层电阻(Rbi)17kΩ/□,发射极宽0.9um,该器件用SiGe作基底材料,采用多发射极双极工艺制作,其75GHZ的性能指标几乎比Si双极晶体管的速度提高一倍,45nm基区中的Ge是缓变的,这样就产生了约为20kV/cm的漂移电场,因而本征渡越时间仅为1.9ps。 相似文献
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八十年代以来,微波半导体技术的迅速发展,应用领域不断扩大,为适应微波、毫米波半导体技术的发展,近年来已出现不少新结构、新器件,如异质结双极晶体管(HBT)、高电子迁移李晶体管(HEMT)、双极反型沟道场效应晶体管(BiCFET)调制掺杂场效应晶体管(MOFET)、谐振隧道晶体管(RTT)、负阻效应晶体管(NBERFET)、毫米波混合隧道雪崩渡越时间(MITATT)二极管、超导器件及量子器件等。本文主要叙述异质结双板晶体管的最新进展及其应用。 相似文献
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随着微波半导体技术的发展,近年来出现不少新结构、新器件。本文介绍国外异质结双极晶体管的发展,包括AlGaAs/GaAs,InP/InGaAs,GeSi等开发现状和性能参数达到的水平。 相似文献
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