超薄层材料生长技术

半导体超薄层材料的研究，依赖于先进的外延生长技术。本文着重该领域的ＭＢＥ。ＭＯＣＶＤ，ＣＢＥ和ＡＬＥ的发展现状及关键技术作一综述。     

MBE生长面发射激光器的的位厚度监测

在ＭＢＥ生长“ＤＢＲ型结构性材料”的过程中，由于生长中的多层结构干涉效应，使高温黑体辐射谱呈现振荡现象，利用此现象辅以计算机数据拟合，可以实现ＭＢＥ生长中层次、组分和厚度的实时监控，对ＭＥＢＥ系统生长垂直腔型结构材料的实时质量监控有重要意义，我们首次在国内采用这项技术，利用红外高温仪对ＶＣＳＥＬ器件生长全过程（包括谐振腔）及多种组分ＤＢＲ的表观衬底热辐射振荡进行监测，采用准黑体模型，结合扫描电镜，     

MOCVD和GSMBE生长Ga_（0．5）In_（0．5）P外延层中有序结构的研究

用ＭＯＣＶＤ在（１００）、ＧＳＭＢＥ在（１００）和（１１１）ＢＧａＡｓ上生长了ＧａＩｎＰ外延层．ＰＬ测试表明，（１００）衬底上ＧａＩｎＰＰＬ峰的能量比计算的带隙分别小４３（ＧＳＭＢＥ生长）和１０４ｍｅＶ（ＭＯＣＶＤ生长）．用Ｋｕｒｔｚ等人的模型对ＭＯＣＶＤ和ＧＳＭＢＥ生长的ＧａＩｎＰ中有序度的不同进行了解释．并讨论了衬底晶向对ＧａＩｎＰ中有序程度的影响．     

CoSi_2超薄外延膜的生长研究

用质量分离的离子束外延（ＭＡＬＥ－ＩＢＥ或简作ＩＢＥ）法在ｎ－Ｓｉ（１１１）上生长了ＣｏＳｉ２超薄外延膜．厚度为１０～２０ｎｍ的ＣｏＳｉ２薄膜的结构特性已由ＡＥＳ、ＲＨＥＥＤ及ＲＢＳ作了研究．实验结果表明Ｃｏ的淀积率对ＣｏＳｉ２单晶生长来说是一个关键因素     

晶格失配对C／BN异质结价带偏移的影响

本文采用Ｌｏｗｄｉｎ微扰原理改进计算效率的局域密度泛函（ＬＤＦ）线性Ｍｕｆｆｉｎ－ｔｉｎ轨道原子球近似（ＬＭＴＯ－ＡＳＡ）能带从头计算方法，以平均键能Ｅｍ作参考能级，计算了以闪锌矿结构氯化硼为衬底外延生长金刚石（Ｃ／ＢＮ）、以Ｃ０．５（ＢＮ）０．５合金为衬底外延生长金刚石与闪锌矿结构氯化硼（ＣＩＢＮ）、以金刚石为衬底外延生长闪锌矿结构氯化硼（Ｃ＼ＢＮ）和金刚石与氮化硼以平均晶格常数匹配生长（Ｃ－ＢＮ）等四种不同情况下，宽禁带半导体异质结Ｃ／ＢＮ的价带偏移△Ｅｖ值，结果分别为１．５０５、１．４９４、１．３８     

LTC台CHANNEL BUSY故障的分析和处理

ＬＴＣ台ＣＨＡＮＮＥＬＢＵＳＹ故障的分析和处理天津日电电子通信工业有限公司田建忠ＴＤＮＷＬＴＭＬＴＥ－ＳＳＵＢ×ＴＴＥＳＴＬＩＮＫＬＣＭＦＲＥＣ４ＬＣ图１ＬＴＣ测试原理图ＬＴＴＩＬＴＭＬＴＣＬＴＥ－Ｍ在ＮＥＡＸ６１程控交换机的日常测试和维护工作中，用...     

消除E10交换机SMM站故障文件超量告警的方法

消除Ｅ１０交换机ＳＭＭ站故障文件超量告警的方法天津市市内电话局申路在ＡＬＣＡＴＥＬ１０００Ｅ１０型ＯＣＢ２８３交换机中，ＳＭＭ站常出现“ＭＡＸＴＨＥＲＥＳＨＯＬＤ－ＯＦＡ”告警，由于ＳＭＭ站是ＯＣＢ２８３交换机的核心，所以我们对其出现的告警十分重视，...     

E10B OCB283交换机中SMM栈的简述

Ｅ１０ＢＯＣＢ２８３交换机中ＳＭＭ栈的简述北京市电话局纪冬一、概述Ｅ１０ＢＯＣＢ２８３交换机是法国ＡＬＣＡ－ＴＥＬ公司１９８９年研制成功的新产品，它在控制结构上与原Ｅ１０ＢＯＣＢ１８１交换机有很大区别，同时在操作与维护系统的硬／软件方面都有很多变动。...     

BreezeCOM无线网络产品

ＢｒｅｅｚｅＣＯＭ无线网络产品ＢｒｅｅｚｅＣＯＭ公司以生产无线网络产品为主，主要产品为ＢｒｅｅｚｅＮＥＴ系列无线以太网和ＢｒｅｅｚｅＬＩＮＫ系列高速无线调制解调器。ＢｒｅｅｚｅＣＯＭ产品的优异性能：１．ＢｒｅｅｚｅＮＥＴ系列是“即插即用”型无线以太网...     

自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术

ＣＯ／Ｔｉ／Ｓｉ或ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构通过多步退火技术在Ｓｉ单晶衬底上外延生长ＣｏＳｉ２薄膜，ＡＥＳ、ＲＢＳ测试显示ＣｏＳｉ２薄膜具有良好均匀性和单晶性．这种硅化物新技术已用于ＣＭＯＳ器件工艺．采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术淀积氮氧化硅薄膜，并用反应离子刻蚀（ＲＩＥ）技术形成多晶硅栅边墙．固相外延ＣｏＳｉ２薄膜技术和边墙工艺相结合，经过选择腐蚀，可以分别在源漏区和栅区形成单晶ＣｏＳｉ２和多晶ＣｏＳｉ２薄膜，构成新型自对准硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）器件结构．在Ｎ阱ＣＭＯＳ工艺     

MBE生长Zn1—xCdxSe／ZnSe超晶格的SIMS和AES谱

本简要叙述了运用ＭＢＥ技术成功生长出Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格的一些工艺和渗数，并对不同的样品进行了ＳＩＭＳ和ＡＥＳ的测试，首次测得了这种材料的元素分布，结果显示ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格有良好的纵向元素分布。     

家用网络的用户接口

本文介绍的是一种家用网的用户接口。此用户接口易被用户接受，适用灵活，以家用网络为基础，也适用于其它家用系统，如欧洲的ＥＳＰＲＩＴ ＨＯＭＥ ＳＹＳＴＥＭ ［ＥＨＳＡ９２］，美国的Ｃｏｎｓｕｍｅｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｂｕｓ（ＣＥＢｕｓ）［ＥＩＡＵ９２］以及日本的ＨＯＭＥ ＢＵＳ ＳＹＳＴＥＭ（ＨＢＳ）［ＥＩＡＪ８６］。     

MSCDEX的使用

ＭＳＣＤＥＸ的使用邵振付计算机对ＣＤ－ＲＯＭ驱动器的识别与操作同ＣＤ－ＲＯＭ驱动器的配置有关，这就是ＭＳＣＤＥＸ和ＣＤ－ＲＯＭ驱动程序的共同任务，下面作一简单介绍。ＭＳＣＤＥＸ命令提供ＣＤ－ＲＯＭ驱动器的配置、安装功能，可通过ＡＵＴＯＥＸＥＣ．ＢＡＴ...     

印制线路板EMC及CAE基本原理

文章概述了印制线路板产品（ＰＣＢ）的计算机辅助仿真系统（ＣＡＥ）的理论计算基础方法──有限元法（ＦＥＭ），以及如何运用于ＰＣＢ的建模和仿真，并籍此设计出符合有关电磁兼容（ＥＭＣ）规则的ＰＣＢ电子产品。     

多媒体邮件服务综述

首先介绍了多媒体邮件服务的概貌，接着介绍了Ｘ．４００和ＭＩＭＥ，最后介绍了ＢＥＲＫＯＭ，ＣＩＯ，ＭＣＲ实验室开发的多媒体邮件服务。     

升温工艺对PTCBaTiO3陶瓷显微结构和电性能的影响

低于液相呈现温度，用变化升温速率（１６０－１８００℃／小时）的烧结工艺来制备ＰＴＣＢａＴＯ３陶瓷。测量了ＰＴＣＢａＴｉＯ３试样的室温电阻、Ｒ－Ｔ曲线Ｉ－Ｖ曲线及拍摄了试样自然烧结面ＳＥＭ照片。     

优化双极器件的改善BiCMOS电路延迟的CAD方法

优化双极器件的改善ＢｉＣＭＯＳ电路延迟的ＣＡＤ方法＝ＡＣＡＤｐｒｏｃｅｄｕｒｅｆｏｒｏｐｔｉｍｌｚｉｎｇｂｉｐｏｌａｒｄｅｖｉｃｅｓｒｅｌａｔｉｖｅｔｏＢｉＣＭＯＳｃｉｒｃｕｉｔｄｅｌａｙ［刊．英］／Ｄｅｓ－ｏｕｋｌ．Ａ，Ｓ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｃ...     

解析SiGe基极HBT模型及其对BiCMOS倒相器电路的影响

解析ＳｉＧｅ基极ＨＢＴ模型及其对ＢｉＣＭＯＳ倒相器电路的影响＝ＡｎＡｎａｌｙｔｌｃａｌＳｉＧｅ－ｂａｓｅＨＢＴｍｏｄｅｌａｎｄｉｔｓｅｆｆｅｃｔｓｏｎａＢｉＣＭＱＳｉｎｖｅｒｔｅｒｃｉｒｃｕｉｔ［刊．英］／Ｌｕ，Ｔ．Ｃ．…／ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅ...     

A／D与D／A转换器技术

Ａ／Ｄ与Ｄ／Ａ转换器技术ＷＤ９４５１１１０位１００Ｍ采样／秒流水线子区ＢｉＣ－ＭＯＳＡＤＣ＝Ａ１０－ｂ１００－Ｍｓａｍｐｌｅ／ｓｐｉｐｅｌｉｎｅｄ　ｓｕｂ－ｒａｎｇｉｎｇＢｉＣＭＯＳＡＤＣ［刊，英］／Ｓｏｎｅ，Ｋ．…／／ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－Ｓｔａ...     

碲镉汞薄膜材料

研制ＨｇＣｄＴｅ焦平面器件是当前实现长波红外焦平面器件的主要途径。红外焦平面器件要求大面积、均匀性好和高质量的ＨｇＣｄＴｅ材料。用ＬＰＥ、ＭＯＣＶＤ和ＭＢＥ外延生长的ＨｇＣｄＴｅ薄膜材料可满足焦平面器件对材料的要求。ＬＰＥ是目前研制ＨｇＣｄＴｅ光伏列阵主要材料，用双层掺杂生长的ｐ－ｎ异质结得到当前最高的Ｒ＿０Ａ值。ＭＯＣＶＤ和ＭＢＥ生长的ＨｇＣｄＴｅ外延膜近期有了较大的进展，除了在硅衬底上ＭＢＥ生长ＨｇＣｄＴｅ仍在研究之外，其它已趋向成熟并开始转向工业生产。为了研制高质量的ＨｇＣｄＴｅ外延膜，高质量的衬底材料与建立薄膜均匀性的检测工艺是十分必要的。