半导体量子器件

概述了半导体量子微结构中的量子效应，并介绍了谐振隧道器件，评述了新的量子微结构，如单电子隧道器件，电子波衍射晶体管和量子线量子箱激光器的开发，还讨论了量子微结构的尺寸要求和研究课题。     

微结构量子器件

微结构量子器件是八十年代中期伴随着微结构物理的发展而出现的一种新的半导体器件,这种器件以量子力学原理工作,具有常规“经典”器件无法比拟的优异特性。本文在简要介绍了微结构系统电子状态的基础上,较详细地描述了量子谐振隧道器件以及量子线和量子点激光器的基本原理、特点及其应用前景。     

探索量子微结构的新阶段

概述了超薄层量子结构中的量子效应及其器件之后，以立体量子微结构为重点，介绍了其中的电子的波动行为，例如普适的电导波动、弹性散射和声子散射的抑制等，并简要介绍了量子线和量子箱激光器以及电子波衍射晶体管，还讨论了对量子微结构的尺寸要求。     

谐振隧道二极管

由于外延技术的快速发展与进步,作为量子耦合器件及其电路里程碑的谐振隧道量子器件（ＲＴＤ）引起的学术界的密切关注。ＲＴＤ可使电路密度增大,速度提高,且单位器件的逻辑功能高于传统的晶体管。文中分析了谐振隧道二极管的工作原理、重要物理现象,并对有关设计问题进行了讨论。     

纳米器件与干法刻蚀技术目前发展的特点

本文简要介绍了纳米器件中量子传输效应、电子速度过冲现象、以及典型的量子效应器件,并对干法刻蚀工艺在纳米器件加工中的重要意义和目前发展状况作了较详细的介绍。     

纳电子隧穿器件的蒙特卡洛模拟

介绍了一种利用正统理论与蒙特卡洛方法模拟纳电子隧穿器件的程序，该程序可模拟电子通过包含小隧道结、电容和理想电压源的电路输运过程，并利用该程序，对含量子岛和量子岛阵列的纳电子学器件进行了模拟。     

量子电子器件及其应用

随着半导体芯片的特征尺寸从微米量级向纳米量级挺进,半导体的量子效应现象显现。文章阐述了半导体器件中的量子尺寸效应、隧道效应、干涉效应等量子效应的种类以及利用这些量子效应制作的量子点器件、谐振隧穿器件和单电子器件三大种类量子电子器件。介绍了各类量子电子器件的原理以及它们具有超高速、超高频、高集成度、低功耗和高特征温度等优越特性,并着重介绍了各类量子电子器件的制造方法。在此基础上,指出了量子电子器件的应用及发展前景。     

量子器件与量子信息技术

从信息社会的发展分析提出了量子器件及量子信息技术产生和发展的必然性,介绍了谐振隧穿器件、单电子器件、电子波导晶体管等纳米电子器件及其特点,对量子激光器和量子信息技术及其性能作了简要介绍,并给出了应用前景.     

纳米级隧道效应器件——双电子层隧道晶体管和共振隧道二极管

随着电子技术由微米时代进入纳米时代，基于量子隧道效应的器件和电路显示出其优越性。本文介 绍两种电子隧道器件：双电子层晶体管和共振隧道二极管。     

固体纳米电子器件的发展及应用

介绍固体纳米电子器件及其应用。固体纳米电子器件包括共振隧穿器件(RTD)、量子点器件(QD)和单电子器件(SED)。单电子器件又分为单电子晶体管(SET)和单电子存储器(SEM)，     

硅基量子点器件

硅基量子点器件由于其独特的性能以及和硅集成电路相容的特点成为研究的重点。量子点中电子和空穴强的量子限制作用使其表现出一些新颖的物理性能,从而在微电子和光电子器件方面有着重要的应用价值。本文介绍了硅基量子点器件的一些应用,包括单电子晶体管、红外探测器、发光二极管。     

半导体量子点的器件应用

半导体量子点的生长和性质已成为当今研究的热点。以Ｓ－Ｋ生长模式已成功地生长了无缺陷的半导体量子点。由于其较强的量子效应,量子点结构的光电器件和电子器件有望比量子阱结构的器件具有更好的性能。介绍了量子点在光电器件中的一些应用,包括单电子晶体管、激光器和红外探测器等。     

全无机胶体量子点显示技术

基于胶体量子点发光的全无机显示器件具有优于OLED的电致发光和抗环境性优势,将成为新一代平板显示器件。本文介绍了全无机胶体量子点显示的优势和发展潜力,介绍了GaN电荷传输层量子点显示器件、金属氧化物电荷传输层量子点显示器件、交流驱动多层结构的透明量子点显示器以及单极性量子点显示器件等。指出深入研究全无机胶体量子点发光器件的电荷输运机制,在新材料、新器件结构和新驱动机制等方面,改进器件的电致发光效率是目前需要解决的主要问题。     

有机电致发光的效率

描述了评价有机电致发光性能的重要指标－－发光效率问题,从发光机制考虑,一般常用外量子效率和内量子效率来评价。外量子效率是有机电致发光器件输出光子数与注入电子数之比;内量子效率是产生在器件内部的光子数与液入电子数之比,对于光子能否输出到器件外部无关紧要。评价器件性能还有一些其他效率评价方法,如能量效率,功率效率等,特别是外功率效率（1m/W),电流效率（cd/A)也常常用于表征有机电致发光性能,但它们与发光光谱的视觉灵敏度有关,对紫外外辐射器件不适用,另外,利用三重态激子发射可以提高EL器件效率,理论上可达100％,器件结构及材料对器件外量子效率影响至关重要。     

量子点电致发光器件发光层能级变化与驱动电压的关系研究

以量子点电致发光器件(QLED)中能级分布和载流子浓度的关系为理论基础,研究了QLED发光层能级变化与驱动电压的关系,建立了数学模型.以CdSe/ZnS核壳结构量子点为发光层,计算了器件正常发光时的阈值电压,分析了电流密度与量子点中电子准费米能级与空穴准费米能级之差的关系.结果表明,当驱动电压大于9.8V时,CdSe/ZnS中电子的准费米能级与空穴的准费米能级之差大于1.03 eV,量子点电致发光器件正常发光;理论模型证实由于电子在发光层与电子传输层界面的大量积聚,导致淬灭发生,降低发光效率.     

应变自组装InAs／GaAs量子点材料与器件光学性质研究

采用MBE技术生长应变自组装InAs／GaAs量子点微结构材料，以这种纳米尺度微结构材料作有源层制备出激光二极管，研究了材料的光致发光和器件电致发光的特性，条宽为100μm、腔长为1.6mm，腔面未经镀膜的量子点激光二极管，室温下最大光功率输出为2．74W。     

纳米级隧道效应器件--双电子层隧道晶体管和共振隧道二极管

随着电子技术由微米时代进入纳米时代,基于量子隧道效应的器件和电路显示出其优越性.本文介绍两种电子隧道器件:双电子层晶体管和共振隧道二极管.     

纳电子隧穿器件的蒙特卡洛模拟

介绍了一种利用正统理论与蒙特卡洛方法模拟纳电子隧穿器件的程序.该程序可模拟电子通过包含小隧道结、电容和理想电压源的电路输运过程.并利用该程序,对含量子岛和量子岛阵列的纳电子学器件进行了模拟.     

纳电子隧穿器件的蒙特卡洛模拟

介绍了一种利用正统理论与蒙特卡洛方法模拟纳电子隧穿器件的程序.该程序可模拟电子通过包含小隧道结、电容和理想电压源的电路输运过程.并利用该程序,对含量子岛和量子岛阵列的纳电子学器件进行了模拟.     

纳米器件的发展动态

介绍了纳米CMOS器件、纳米电子器件和量子器件的发展动态,提出以信息载体来分类纳米器件的方式。在纳米CMOS器件方面,主要介绍近半年来65nm工艺及器件的最新动态;在纳米电子器件方面,主要介绍共振隧穿器件(RTD)的动态;在量子器件方面,主要介绍量子器件和半导体自旋器件的概况。