高密度三维封装技术

简要介绍为满足日益增长的低功耗、轻重量、小体积系统的应用需求而涌现出的多种裸芯片封装与多芯片叠层封装技术。详细讨论三维封装的垂直互连工艺。主要分析三维封装技术的硅效率、复杂程度、热处理、互连密度、系统功率与速度等问题。     

采用聚合物绝缘侧墙技术的三维（3D）存储器芯片叠层封装技术

最新设计的三维（3D）存储器芯片叠层封装,成功地使用机械芯片3D封装原型。3D封装的制造工艺包括：1）晶圆片切片;2）包含侧墙绝缘的芯片钝化;3）原始I／O焊盘上的通路开口;4）从中心焊盘到侧墙的I／O再分布;5）使用聚合物粘附的裸芯片叠层技术;6）例墙互连技术;7）焊球粘附。与当前3D封装技术相比较,此新3D封装设计有一些主要的改进。其独特特点是在芯片I／O再分布之前,芯片侧墙的绝缘。这样形成：1）芯片到晶圆的效率更高;2）重要工艺简易化。按照此设计,在传统晶圆设计上可获得100％的芯片效率,而没有在传统3D封装设计I／O再分布工艺期间通常发生的任何相邻芯片的损失。因此,新3D封装设计能够简化下列工艺：I／O再分布、侧墙绝缘、侧墙互连及封装成形。证明原型3D叠层封装的机械完整性满足JEDEC等级Ⅲ及85℃／85％试验的各项要求。     

用于先进PCB制造工艺的叠层封装

在20世纪90年代,球栅阵列封装(BGA)和芯片尺寸封装(CSP)在封装材料和加工工艺方面达到了极限。这2种技术如同20世纪80年代的表面安装器件(SMD)和70年代通孔安装器件(THD)一样,在电学、机械、热性能、尺寸、质量和可靠性方面达到最大值。目前,三维封装正在成为用于未来采用的先进印制板(PCB)制造工艺的下一个阶段。它们可以分为圆片级封装、芯片级封装、和封装面。叠层封装(PoP)是一种封装面叠层封装类型的三维封装技术[15]。     

高密度封装

本文介绍了微电路的几种高密度封装,着重介绍当今最盛行的多芯片封装(MCP)、最新的片内系统(SIP)及三维封装等,并指出这是一种实现片上系统的变通方法。     

电子元器件封装技术发展趋势

晶圆级封装、多芯片封装、系统封装和三维叠层封装是近几年来迅速发展的新型封装方式,在推动更高性能、更低功耗、更低成本和更小形状因子的产品上,先进封装技术发挥着至关重要的作用。晶圆级芯片尺寸封装(WCSP)应用范围在不断扩展,无源器件、分立器件、RF和存储器的比例不断提高。随着芯片尺寸和引脚数目的增加,板级可靠性成为一大挑战。系统封装(SIP)已经开始集成MEMS器件、逻辑电路和特定应用电路。使用TSV的三维封装技术可以为MEMS器件与其他芯片的叠层提供解决方案。     

高密度高性能电子封装技术

本文简要概述了电子封装的发展过程及其结构形式，全面系统地介绍了近几年国外高密度高性能电子封装的最新进展，对当前电子封装的国际发展水平作一综述。     

高密度封装进展之二——半导体封装技术的发展趋势

本文从超小型封装、超多端子封装、多芯片封装等几个方向介绍了半导体封装技术的发展趋势     

BGA封装技术研究

介绍了ＢＧＴＡ技术的研究现状，着重从芯片互连、基板主封装设计等方面讨论了该的发展前景。     

基于微型焊球的高密度叠层自适应封装技术

为了有效解决Ka频段信号在多层高密度叠层基板之间传输处理过程中的电气互联瓶颈问题,通过采用微型焊球在层间实现信号的垂直互联和支撑连接的方法,同时实现高密度叠层自适应封装,完成了一个高密度集成的小型化毫米波SIP低传输损耗模块的制作。对工作在Ka频段基于微型焊球的高密度叠层自适应封装的设计、制造工艺过程进行了深入研究,开拓了高密度叠层自适应封装微型焊球塌陷率精准控制工艺,基于微型焊球垂直互联以及电磁隔离的设计、SIW滤波器内埋、高密度多层基板焊接工艺等。     

高密度封装技术现状及发展趋势

综述了对半导体集成电路发展有深刻影响的微电子封装技术的现状 ,指出了适用于高密度封装的载带封装 (TCP)、球栅阵列封装 (BGA)、倒装片 (FCT)、芯片规模封装 (CSP)、多芯片组件 (MCM)、三维封装等关键技术及其发展趋势     

3-D叠层芯片封装技术

超大规模集成电路(VLSI)技术的不断革新要求 IC 产品和其它系统元素之间的互连数目不断增长,而且互连线要短,电信号线仍将维持大容量和高速度。为了跟上 IC 对封装的速度和密度增长的要求,需要更多地使用薄膜多芯片组件。这里推荐一种既能满足将来的要求又能突破先前已有方法的局限性的3-D 叠层技术。     

BGA封装技术研究

介绍了 BGA技术的研究现状 ,着重从芯片互连、基板材料及封装设计等方面讨论了该技术的发展前景。     

MCM与裸芯片封装技术

随着携带用的电子设备市场的迅速扩大，适于高速、高性能的MCM发展也相当惊人，在这样的发展背景下，提高裸芯片封装技术的重要性越来越明显，然而，以KGD问题为代表，在连接、检查、维修以及可靠性等方面需要解决的技术课题也相当多。因此，本文将对其中存在的一些基本问题并以此为突破口而加以探讨。由于较容易引入裸芯片，因此有必要介绍一下有关这方面的新技术开发情况。     

高密度封装技术的发展

本简要介绍了BGA与CSP的概念、发展现状、应用情况及发展趋势等。BGA／CSP是现代组装技术的两个新概念,它们的出现促进SMT（表面贴装技术）与SMD（表面贴装元器件）的发展和革新,并将成为高密度、高性能、多功能及高I／O数封装的最佳选择。     

新型微波毫米波单片三维垂直互连技术

近半个世纪以来,微波电路发展十分迅速,它经历了从低频到高频、从单层到多层的发展历程,最终导致了微波多芯片组件的产生。随着多芯片组件密度的不断提高,互连的不连续性成为制约整体性能的瓶颈。因此,对互连进行仿真和建模,对于微波多芯片组件的设计有着重要的意义。文章以MMIC芯片和介质基板的垂直互连结构作为研究对象,对不连续性结构的散射参数进行了软件仿真优化,并进行了装配、测试和结果分析。     

高密度微电子封装技术

多芯片组件(MCM)是从混合集成电路(HIC)发展而来的。HIC的发展已经有三十多年的历史了,它是把IC芯片与微型元件组装在用某种工艺制作布线的同一个基板上,封装起来,从而实现一定的功能。这种方式在系统的小型化和提高系统可靠性方面发挥了积极的作用。但是,人们在应用中也发现,无论采用何种封装技术后的裸芯片,无论是金丝球焊还是BGA,在封装后裸芯片的性能总是比未封装时要差一些。进入八     

三维单片高频微波集成电路的封装技术

本文详细介绍了当前各种高频微波电路的封装模型，以及分析这些模型的场分析方法和分布网络分析方法。为了减少微波封装电路的插入和反射损耗，各种改进的加工技术被引入。     

高密度封装技术的发展

本文简要介绍了BGA与CSP的概念、发展现状、应用情况及发展趋势等。BGA／CSP是现代组装技术的两个新概念，它们的出现促进SMT(表面贴装技术)与SMD(表面贴装元器件)的发展和革新，并将成为高密度、高性能、多功能及高I／O数封装的最佳选择。