WINDOWS下VB5.0通信的二种方式

介绍在Ｗｉｎｄｏｗｓ９．ｘ下用ＶＢ５．０的串行通信控件（ＭＳＣＯＭＭ．ＯＣＸ）和应用编程接口（ＡＰＩ）来实现通讯功能。     

脉冲激光沉积铌酸锶钡铁电薄膜及其性能表征

利用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）技术在ＭｇＯ、ＬＳＣＯ／ＭｇＯ衬底上在位制备了铌酸锶钡（ＳＢＮ）铁电薄膜,发现ＳＢＮ薄膜在ＭｇＯ、ＬＳＣＯ／ＭｇＯ衬底上均呈（００１）择优取向。用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和原子力显微镜（ＡＦＭ）表明ＳＢＮ薄膜的晶粒细小致密,铁电微畴尺寸约为２００ｎｍ。ＳＢＮ薄膜的剩余极化强度为１８．６μＣ／ｃｍ２,矫顽场为２２．３ｋＶ／ｃｍ。     

自对准硅化物CMOS／SOI技术研究

在ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸＳＯＩ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路速度性能的影响．实验表明，采用ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻，改善单管的输出特性，降低ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振电路门延迟时间，提高ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的速度特性．     

MOCVD源物质Ti(OC_4H_9)_4的重复性研究

本文讨论了ＭＯＣＶＤ源物质Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的重复性．首次实验发现了Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的重复性问题．研究结果表明,热学性质的变化是Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的重复性发生变化的根本原因．     

ZnO导电陶瓷的制备及其性能表征

本文利用化学共沉淀法分别制得Ｚｎ５（ＣＯ３）２（ＯＨ）６掺杂Ａｌ（ＯＨ）３、Ｍｇ（ＯＨ）２以及Ｚｎ５（ＣＯ３）２（ＯＨ）６掺杂Ｓｂ（ＯＨ）３、Ｂｉ（ＯＨ）３、Ｓｎ（ＯＨ）４、Ｃｏ（ＯＨ）３、ＭｎＯ（ＯＨ）２两种复合粉体,利用高频等离子体焙解新工艺,制得了纳米ＺｎＯ及相应的添加剂陶瓷复合粉体．ＴＥＭ分析结果表明：两种陶瓷复合粉体的粒径均小于１００ｎｍ．利用前者,通过添加适当的Ａｌ２Ｏ３和ＭｇＯ,制备出了电阻率约１０～２０００Ω·ｃｍ,Ｖ－Ｉ特性较好的ＺｎＯ线性陶瓷电阻．利用后者,通过适当的杂质配比,在１００     

采用混合模式晶体管(BMHMT)构成低温BiCMOS集成电路

本文介绍采用与ＣＭＯＳ工艺完全相容的双极／ＭＯＳ混合模式晶体管（ＢＭＨＭＴ）构成新型的低温ＢｉＣＭＯＳ集成电路．理论分析表明该电路与ＣＭＯＳ相比，在电压摆幅相同，静态功耗相近的条件下，具有更大的驱动能力，尤其在较低的工作电压下，其特点更加突出．我们用统一的标准和相同芯片面积设计了３９级带负载的ＢｉＣＭＯＳ和ＣＭＯＳ环形振荡器．实验样品经室温和低温平均门延迟时间测试，表明在相同工作电压下ＢｉＣＭＯＳ优于ＣＭＯＳ．若两种电路都采用ＳＯＩ结构，预计ＢｉＣＭＯＳ可以获得更好的结果     

0．2μmCMOS门阵列

０．２μｍＣＭＯＳ门阵列日本ＮＴＴ公司采用ＳＩＭＯＸ（ＳｉｌｉｃｏｎＩｓｏｌａｔｉｏｎｂｙＩｍｐｌａｎｔｅｄＯｘｙｇｅｎ）工艺研制成功０．２μｍＣＭＯＳ门阵列。产品特点是低功耗和高集成度，其功耗是０．５μｍＣＭＯＳ门阵列的１０倍。产品的电路元件由波长...     

N-CODEⅡ/M9638型机上变换器(机外型电视遥控器)的工作原理(一)(艺通专栏)

Ｎ—ＣＯＤＥⅡ／Ｍ９６３８型机上变换器（机外型电视遥控器）的工作原理（一）（艺通专栏）□林必强（福州艺通电器有限公司３５０００７）图２Ｎ—ＣＯＤＥⅡ／Ｍ９６３８应用电原理图１Ｎ—ＣＯＤＥⅡ／Ｍ９６３８型机上变换器系统构成及主要特点１．１系统构成框图图...     

The Application of ODE Method in MOP

ＴｈｅＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｏｆＯＤＥＭｅｔｈｏｄｉｎＭＯＰ￥ＺｈｏｕＺｏｎｇｆａｎｇ（ＣｈｏｎｇｑｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＰｏｓｔｓａｎｄＴｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ，Ｃｈｏｎｇｑｉｎｇ６３００６５，Ｐ．Ｒ．Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ...     

MOCVD和GSMBE生长Ga_（0．5）In_（0．5）P外延层中有序结构的研究

用ＭＯＣＶＤ在（１００）、ＧＳＭＢＥ在（１００）和（１１１）ＢＧａＡｓ上生长了ＧａＩｎＰ外延层．ＰＬ测试表明，（１００）衬底上ＧａＩｎＰＰＬ峰的能量比计算的带隙分别小４３（ＧＳＭＢＥ生长）和１０４ｍｅＶ（ＭＯＣＶＤ生长）．用Ｋｕｒｔｚ等人的模型对ＭＯＣＶＤ和ＧＳＭＢＥ生长的ＧａＩｎＰ中有序度的不同进行了解释．并讨论了衬底晶向对ＧａＩｎＰ中有序程度的影响．     

手机良伴MA600使用全攻略

ＭＡ６００,手机的良伴,发烧友的利器！ 大名鼎鼎的手机良伴是由一个ＭＡ６００红外线装置和一张光碟组成,通过９针串口与计算机相连,外型为白色长方体,比火柴盒大一些、厚一些（如图１）。安装ＭＡ－６００红外线驱动程序 １．将ＭＡ－６００接到计算机ＣＯＭ１或ＣＯＭ２口上。 如果ＭＡ－６００接到ＣＯＭ２口,请进入系统ＢＩＯＳ确定ＣＯＭ２选项是Ｅｎａｂｌｅｄ且设为ＵＡＲＴ ＣＯＭ２。注意！切勿将ＣＯＭ２设为Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｅｎａｂｌｅｄ,必须设为标准ＣＯＭ口。 ２．将ＭＡ－６００光盘放入光驱,光碟会自动执行（如…     

短沟道CMOS／SIMOX器件及电路的辐照特性研究

利用薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ工艺成功地研制了沟道长度为１．０μｍ的薄膜抗辐照ＳＩＭＯＸＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ反相器和环振电路，Ｎ和ＰＭＯＳＦＥＴ在辐照剂量分别为３ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）和７ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）时的阈值电压漂移均小于１Ｖ，１９级ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ环振经过５ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）剂量的电离辐照后仍能正常工作，其门延迟时间由辐照前的２３７ｐｓ变为３２８ｐｓ。     

掺CaO和MgO的钼板在氢气气氛下二次再结晶

掺ＣａＯ和ＭｇＯ的钼板在含Ｏ２的Ｈ２气氛下进行再结晶退火，用光学、扫描和透射电镜对再结晶试样分析。此外为了认识化学添加过程，把干燥添加剂（Ｃａ，Ｍｇ）（ＮＯ３）２进行热分解并用ＤＴＡ和ＴＧＡ方法进行分析。用Ｘ射线衍射扫描鉴定热分解产物。在１０００℃预烧３．６×１０＾３秒的过程中，添加剂反应生成ＣａＯ，ＭｇＯ和Ｃａ（ＯＨ）２。预烧毛坯在Ｈｅ（惰性）气氛下２０００℃烧结过程中，由于内氧化而生面ＭｏＯ２     

4兆像素的电荷调制器件———图像传感器

４兆像素的电荷调制器件———图像传感器奥林巴思光学有限公司（ＯｌｙｍｐｕｓＯｐｔｉｃａｌＣＯ．Ｌｔｄ）研制了一种称为电荷调制器件（ＣｈａｒｇｅＭｏｄｕｌａｔｉｏｎＤｅｖｉｃｅ，简称ＣＭＤ）的图像传感器，该传感器集成了多至４兆的像素，是典型电荷耦合器件...     

采用成品率模型技术设计3．3V800nV_（rms）噪声／增益程控CMOS麦克风前置放大器

采用成品率模型技术设计３．３Ｖ８００ｎＶ＿（ｒｍｓ）噪声／增益程控ＣＭＯＳ麦克风前置放大器＝Ａ３．３－Ｖ８００－ｎＶ＿（ｒｍｓ）ｎｏｉｓｅ，ｇａｉｎ－ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅＣＭＯＳｍｉｃｒｏｐｈｏｎｅｐｒｅａｍｐｌｉｆｉｅｒｄｅｓｉｇｎｕｓｉｎｇｙ...     

CMOS电流型运算放大器

ＣＭＯＳ电流型运算放大器＝ＡＣＭＯＳｃｕｒｒｅｎｔ－ｍｏｄｅｏｐｅｒａｔｉｏｎａｌａｍｐｌｉｆｉｅｒ［刊．英］Ｋａｕｌｂｅｒｇ．Ｔ．ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．－１９９３．２８（７）．－８４９～８５２叙述了全差分输入、差分输出...     

MgO-TiO2-ZnO系统多层陶瓷电容器微波瓷料频率特性研究

本文研究了ＭｇＯＴｉＯ２ＺｎＯ系统陶瓷，用其制成多层陶瓷电容器（ＭＬＣＣ），其优点是具有正温度系数（αｃ＝９０±２０ｐｐｍ／℃）、高Ｑ（Ｑ１００００）、高频谐振频率达６９０ＭＨｚ（Ｃ＝３１ｐＦ），重点讨论了容量阻抗频谱．     

高速BiCMOS工艺研究

研究开发了一种准２μｍ高速ＢｉＣＭＯＳ工艺，采用自对准双埋双阱及外延结构．外延层厚度为２．０～２．５μｍ，器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化（简称ＰＢＬＯＣＯＳ）隔离，双极器件采用多晶硅发射极（简称ＰＳＥ）晶体管．利用此工艺已试制出ＢｉＣＭＯＳ２５级环振电路，在负载电容ＣＬ＝０．８ｐＦ条件下，平均门延迟时间ｔｐｄ＝０．８４ｎｓ，功耗为０．３５ｍＷ／门，驱动能力为０．６２ｎｓ／ｐＦ．明显优于ＣＭＯＳ门．     

CMOSIC中浮置栅缺陷的电气模型：I_（DDQ）测试的意义

ＣＭＯＳＩＣ中浮置栅缺陷的电气模型：Ｉ＿（ＤＤＱ）测试的意义＝ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌｍｏｄｅｌｏｆｔｈｅｆｌｏａｔｉｎｇｇａｔｅｄｅｆｅｃｔｉｎＣＭＯＳＩＣ＇ｓ：ｉｍｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｏｎＩ＿（ＤＤＱ）ｔｅｓｔｉｎｇ［刊，英］／ＣｈａｍｐｅｃＶ．Ｈ．...     

完整UHF无线电收发器用FM/FSK电路

ＭＸ－ＣＯＭ Ｉｎｃ公司推出ＣＭＸ０１７发送器ＩＣ和ＣＭＸ０１８接收器ＩＣ适于ＩＳＭ（工业,科学和医学）频率范围（９００ＭＨｚ）的大量应用（包括模拟和数字窄带）以及扩频无线电链路、无绳电话、手持数据终端和无线局域网。增添少量的其他外围元件,这两款ＩＣ可集成为一种高性价比的小型收发器,在８６０～９６５ＭＨｚ频率范围以５００ｋｂｐｓ数据率发送和接收ＦＭ（调频）或移频键控（ＦＳＫ）信号 ＣＭＸ０１７和 ＣＭＸ０１８ ＩＣ采用２８引脚ＳＳＯＰ封装,工作电压２．７～３．３Ｖ,其特性满足典型电池供电工作环境的要…