低温烧结SiC基陶瓷制造技术

众所周知SiC共价键极强及扩散率很低，其烧结致密很难，必须借助添加剂才能在较低温度（约为1800℃）烧制高密度SiC陶瓷．西安工业大学采用Sol—Gel法包裹亚微米级SiC颗粒的形式加入各种添加剂，如Y2O3，Al2O3，TiO2，B，N等的方法，在小于1750℃时生成高粘度液相来促进其烧结．     

低温烧结SiC基陶瓷制造技术

众所周知SiC共价键极强及扩散率很低,其烧结致密很难,必须借助添加剂才能在较低温度（≈1800℃）烧制高密度SiC陶瓷．西安工业大学采用Sol—Gel法包裹亚微米级SiC颗粒的形式加入各种添加剂,如Y2O3,Al2O3,TiO2,B,N等的方法,在小于1750℃时生成高粘度液相来促进其烧结．     

烧结助剂对氧化铝陶瓷低温烧结的影响

氧化铝(Al_2O_3)陶瓷烧结温度较高,通过添加烧结助剂可以实现Al_2O_3陶瓷的低温烧结。对比分析了不同含量的CuO-TiO_2和MnO_2-TiO_2-MgO复合烧结助剂在不同的烧结温度下对Al_2O_3烧结性能的影响,得到了烧结助剂含量和烧结温度对Al_2O_3陶瓷体积收缩率、体积密度以及内部显微结构的影响规律。实验分析表明,在1 350℃的烧结温度下,添加4%(质量分数) CuO-TiO_2和MnO_2-TiO_2-MgO的烧结助剂,Al_2O_3陶瓷分别能获得高达3. 67 g/mm~3和3. 76 g/mm~3的体积密度,并且在扫描电子显微镜下观察到良好的显微结构。     

碳化硼陶瓷低温烧结技术的研究现状

综述了各种碳化硼陶瓷低温烧结技术及其影响因素，阐述了粉末粒度、制备工艺和化学成分等关键因素对碳化硼陶瓷烧结温度的影响，分析了进一步降低碳化硼陶瓷烧结温度的可能途径。结果表明，通过以上几种途径可以实现低温烧结。     

复合助剂对氮化铝陶瓷低温烧结的影响

为弄清添加剂对氮化铝陶瓷低温烧结性能的影响,采用4种复合添加剂Y2O3-CaF2,Y2O3-Dy2O3,Y2O3-CaC2和Y2O3-Li2O,在1 650 ℃热压烧结AlN陶瓷;通过电子显微镜测定并分析了AlN陶瓷的性能和微观结构.结果表明:添加该4种复合助剂在低温烧结的AlN陶瓷晶格氧含量均较低,样品热导率较高.尤其是添加Y2O3 和CaF2可获得热导率为192 W/(m*K)的AlN陶瓷样品.     

SnO2基压敏陶瓷的烧结

通过对影响SnO2基压敏陶瓷的烧结添加剂CoO，Cr2O3，Nb2O5，Ta2O5，La2O3等化合物以及不同烧结工艺条件对SnO2密度的影响的研究，给出了添加剂的影响结果，并对其进行了理论解释；对烧结工艺条件进行探索，分析其结果，并给出相应的理论解释。为SnO2基压敏陶瓷烧结的进一步研究提供了依据。     

PZT压电陶瓷液相低温烧结技术的研究进展

阐述了PZF压电陶瓷烧结过程中的液相传质机理及实现液相烧结的主要途径.综述了PZY压电陶瓷材料的液相低温烧结研究方向与进展.     

纳米添加剂在陶瓷烧结中的作用

用微米级和纳米级两种复合助剂Y2O3-Dy2O3加入氮化铝陶瓷(AlN)中,在1650℃热压烧结AlN陶瓷;研究其对AlN陶瓷的微观结构和性能的影响.结果表明:纳米级添加剂Y2O3-Dy2O3能更好地提高AlN陶瓷的烧结活性,热扩散率也更高.     

掺杂Fe^2＋,Bi^3＋,Cu^2＋的PZT陶瓷低温烧结

在利用水热法合成的粉体低温烧结ＰＺＴ「ｐｂ（Ｚｒ０．５３ＴｉＯ０．４７）Ｏ３」陶瓷中,掺杂了ＦｅＡ＾２＋、Ｂｉ＾２＋,Ｃｕ＾２＋等无机化合物,使ＰＺＴ陶瓷在８５０℃温度下即可烧成,密度可达理论值９８％,压电性能测定表明,其Ｋｐ值变化不大,而Ｑｍ值有较大提高。     

注射成形SiC陶瓷的烧结温度及其力学性能分析

以SiC微粉为原料,Y2O3、Al2O3为复合烧结助剂,以多组元蜡原料为粘结剂,采用注射成形法及液相烧结法制备了SiC陶瓷,通过扫描电镜、透射电镜等测试分析了粉体及烧结试样的物相组成及显微结构.力学性能分析显示,在合适的注射成型及液相烧结工艺参数下,烧结样品可获得良好的综合物理性能,1 900℃烧结后材料结构致密,其密度可达3.24 g/cm3,相对密度为98.2%,维氏硬度达2 486.3 HV,断裂韧性达6.68 MPa·m1/2.     

CaMnO3热电材料的低温烧结研究

采用固相反应法制备CaMnO3粉末,加入Bi2O3混合、压块后,在900％烧结12h得到样品,并对样品的物相、组织和热电性能进行了测试分析。结果表明：制备出的热电材料是单相的CaMnO3,加入Bi2O3后没有形成可观测的第二相;随着Bi2O3加入量的增加,样品的平均电导率增大,温差电势减小;平均电导率随温度的增加而增加,呈半导体特性,温差电势随温度的增加而增大;加入Bi2O3促进了烧结,降低了烧结温度,改善了材料的热电性能。     

碳化硅（SiC）器件制造工艺中的干法刻蚀技术

简述了在ＳｉＣ材料半导体器件制造工艺中,对ＳｉＣ材料采用干法刻蚀工艺的必要性．总结了近年来ＳｉＣ干法刻蚀技术的工艺发展状况．     

Al2O3/SiC纳米复合陶瓷中SiC粉料的氧化现象

为验证在空气环境中，烧结Al₂O₃/SiC纳米复合陶瓷过程是否出现纳米SiC粉料的氧化现象，以及氧化后纳米陶瓷性能的变化规律，分别采用了常压氩气保护烧结和常压空气环境中烧结两种工艺，制备了Al₂O₃/SiC纳米复合陶瓷.经检测，前者性能优异，其相对密度为9882%，抗弯强度为489 MPa，断裂韧性达6.67 MPa·m^1/2；而后者性能大幅度降低，经x-ray检测发现，烧结后样品中SiC衍射峰消失，即纳米SiC严重氧化；同时发现随纳米SiC粒径的减小及含量增加，氧化现象加剧，性能更加变差.借助断口的SEM图像对烧结过程SiC粉料氧化机理进行分析，发现：碳化硅已经分解为CO₂和SiO₂，前者以气体形式挥发并在陶瓷体内留下气孔，而后者以玻璃相形态存在于晶界中.     

各种添加剂对低温陶瓷结合剂性能的影响

实验主要研究6种添加剂对陶瓷结合剂性能影响。实验证明，随着α—Al2O3加入量的增多，结合剂的熔点逐渐升高，在加入量为15％时流动度最好；CuO、Cr2O3和Zn对结合剂熔点有明显的提高作用；Sn和Cu可以降低结合剂的熔点；加入8％Cr2O3或加入6％Sn时其流动度值最佳。     

新加工和挤压成型技术使陶瓷的几何形状更精细

据报道,美国新泽西州克利夫顿的聚合物技术公司开发了一种精细陶瓷加工和挤压成型技术．其精度达到了亚微米级,可以制作出此前加工不出的产品形状。该技术可用于陶瓷和其它生物相容性材料。可加工的产品的几何尺寸有：小至10μm的孔：0．3mm～5mm的外径：0．5mm～100mm的长度：100μm～2．49mm厚的壁。另外,小孔还能制作成各种各样的形状．管材也可加工有多个孔道。     

陶瓷微滤膜过滤微米级颗粒体系的模拟

通过对陶瓷膜错流过滤微米级颗粒悬浮液过程中颗粒的受力分析,获得了可沉积在膜表面颗粒的临界粒径,结合传统的滤饼阻力模型,可获得膜表面污染层的阻力,从而计算出过滤过程的渗透通量.与实验结果相比,模型的模拟结果良好.     

纳米SiC粉中的氧含量对Al_2O_3陶瓷无压烧结的影响

讨论了纳米 SiC中的氧含量对 Al2O3/ SiC纳米复相陶瓷性能的影响 .发 现当氧含量偏高时,烧结体难以致密化,同时在组织中出现大尺寸气孔 .实验证明,氧含量 较低的纳米β SiC可以使烧结体密度和强度得到极大提高;而氧含量偏高的 Si/C/N非晶 复合粉,提高性能的作用甚微 .其根本原因就是,粉体中的氧与硅形成蒸气,从而使烧结体 中出现气孔 .     

快速原型制造技术在陶瓷制件上的研究进展

评述了几种快速成型技术的原理、工艺、特点以及在陶瓷方面的应用，例如分层实体制造、熔化沉积造型、形状沉积成型、立体光刻、选区激光烧结等，并对上述技术的发展提出了新的构想。